碳化硅系列报告一：衬底篇

工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿

分析师：许兴军

分析师：王亮

分析师：耿正

SAC 执证号：S0260514050002

SAC 执证号：S0260519060001

SFC CE.no: BFS478

SAC 执证号：S0260520090002

021-38003661

021-38003658

021-38003660

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gengzheng@gf.com.cn

分析师: 郁正林

SAC 执证号：S0260521110001

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请注意，许兴军，耿正，郁正林并非香港证券及期货事务监察委员会的注册持牌人，不可在香港从事受监管活动。

核心观点：

碳化硅性能优异，衬底为最核心环节：碳化硅材料性能突破硅基极限，相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历芯片的设计与制造，再到模块的封装后，最终流向下游应用市场。从成本拆分来看，衬底成本占比达46%，是产业链中最为核心的环节。目前衬底制备环节中，晶体生长环节，受碳化硅长晶速度慢，黑箱操作以及碳化硅晶体结构类型众多影响，导致碳化硅衬底产量小，良率低；在切割研磨抛光环节，由于碳化硅是高硬度的脆性材料,期切磨抛的加工难度增加，对碳化硅晶柱的材料利用率较低，产出晶片数量较少。上述难点造成了碳化硅目前制备成本较高，成为限制产业发展的瓶颈。未来随着衬底尺寸从6寸向8寸提升，持续优化良率以及相关生产切割、抛光工艺的的升级，碳化硅材料成本有望显著下降，将有效降低整体器件价格，提升下游客户的替代意愿，拉升碳化硅功率器件的市场渗透率。

市场高度集中，海内外公司齐发力：全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。为获取到长期稳定有效的碳化硅衬底供应，海外功率大厂均在大力布局，与碳化硅衬底公司合作频繁，并开始建立自己的产业阵营，形式包括签订长期供货订单，或直接收购投资上游衬底厂商等。目前，衬底市场呈现出高度集中的格局，CR3占据 90%市场份额。目前海内外企业均在积极扩产碳化硅衬底，而我国碳化硅衬底厂商扩产力度更大，市场份额在未来有望得到显著提升。在此背景下，碳化硅衬底市场规模将得到显著扩容，根据Wolfspeed 的预测，预计至2026年，全球碳化硅材料（衬底+外延）市场规模将达17亿美元，相较于2022年提升近2.5倍。

建议关注大力布局碳化硅衬底赛道的本土公司：目前我国碳化硅产业整体处于早期阶段，本土企业已开始加大布局力度，在技术升级与下游客户导入上均实现突破，国产替代正有序推进。展望未来，本土碳化硅玩家有望在3-5 年内加速成长，成为国际市场上的重要力量。建议关注天岳先进、三安光电、东尼电子、天科合达（未上市）等。

风险提示。碳化硅衬底扩产不及预期；碳化硅渗透不及预期；新能源行业需求不及预期。

目录索引

一、碳化硅性能优异，衬底为最核心环节 4
（一）碳化硅：打破硅基极限，性能全方位提升， .4
（二）碳化硅衬底：产业链皇冠上的明珠，制备难度较大， .5
（三）发展趋势：大尺寸&切割抛光技术升级，衬底成本有望得到优化. ..8
二、市场高度集中，产业扩张加速. ..11
（一）竞争格局：收购与合作浪潮涌动，市场高度集中.. .11
（二）市场规模：海内外厂商积极扩产，衬底市场快速扩容. .12
三、建议关注布局碳化硅衬底赛道的本土公司. ...14
（一）天岳先进：国产碳化硅衬底龙头，持续拓展导电型衬底. ..15
（二）东尼电子：大力开拓新业务，碳化硅衬底打开全新成长空间， ..16
（三）三安光电：全产业链布局，碳化硅业务扬帆起航. ..17
（四）天科合达：国内碳化硅衬底龙头企业，技术水平不断突破 ...18
四、风险提示... ..19
（一）碳化硅衬底扩产不及预期， .19
（二）碳化硅渗透不及预期.. .19
（三）新能源行业需求不及预期 ..19

图表索引

图2：碳化硅生产流程. ...5
图3：碳化硅衬底类型及应用领域， ...5
图4:衬底制备生长过程. ...6
图5：碳化硅长晶方式.. ....6
图6：适合用于功率领域的碳化硅晶相， .7
图7：多晶相夹杂后的碳化硅晶体形状.. ..7
图8：金刚线切割碳化硅衬底示意图 ..
图9:8英寸带来生产力与效率的提升. ..9
图10:8寸晶圆大幅降低单位芯片成本. ..9
图11:英飞凌冷裂（Cold Split）技术... ...9
图12:碳化硅晶片CMP三种方式... ..10
图 13:CMP 后衬底表面质量得到显著提升， ...10
图 14:6英寸衬底价格趋势.. ….10
图 16：国际大厂建立阵营...
图 18：海内外衬底厂商扩产.划.. ..2
图19:
图 20：碳化硅本土产业链概览.
图 21:2019-2021年天岳先进分业务营收拆.
图 22:2019-2021年天岳先进归母净利润及增速.. ................................ ..15
图 23：天岳先进6英寸导电型 SiC 单晶衬底.. ...15
图 24:2019-2021年东尼电子分业务营收拆.. ..16
图 25:2019-2021年东尼电子归母净利润及增速， ...16
图 26：东尼电子SiC 单晶材料与 SiC厂房.. ..16
图 27:2019-2021年三安光电分业务营收拆.. ......................... ....17
图 28：2019-2021年三安光电归母净利润及增速. ..17
图 29:三安光电碳化硅产品.. .......................... ...7
表1：三代半导体性能对比.. ..4
表2：半导体材料特性..
表 3：碳化硅单晶生长过程中的缺陷 ....
表4:海内外衬底厂商8寸进展..
表5：本土厂商衬底扩产情况. ..14

一、碳化硅性能优异，衬底为最核心环节

（一）碳化硅：打破硅基极限，性能全方位提升

半导体材料主要分为三个代际。其中第一代半导体以材料硅Si、锗Ge为代表，目前在半导体领域中第一代硅Si材料应用最为广泛；第二代半导体主要以化合物材料砷化镓GaAs、磷化铟InP为代表；第三代半导体主要以化合物材料碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化铝AIN为代表，其具有明显的禁带宽度大、临界击穿电场强度大的特征，又被成为宽禁带半导体。

表1：三代半导体性能对比

物理参量	第代	第二代	第三代
物理参量	Si	GaAs	4H-碳化硅	GaN
带隙宽度（eV）	1.12	1.43	3.26	3.5
电子迁移率（cm2/VS）	1400	8500	900	1250
临界击穿电场（MV/cm）	0.3	0.4	3	3
饱和飘移速度（10^7cm/s）	1	2	2.7	2.7
热导率（W/cm/K）	1.5	0.5	4.9	1.3
相对介电常数	11.8	12.8	9.7	9.5
热氧化物	有	无	有	无

数据来源：Rohm，广发证券发展研究中心

半导体特性的差异决定了不同材料在半导体元件中的应用，而第三代半导体在各个性能领域都优于硅基器件。

表2：半导体材料特性

性质	描述	作用
禁带宽度	价电子产生本征激发的最小能量	发射光的波长、导电性耐击穿、耐高温性能
绝缘击穿场强	电解质在电场作用下失去介电性能所对应的电压	耐高压性能
相对介电常数	以预测材料为介质与以真空为介质支撑的同尺寸电容器电容量之比	寄生电容大小
电子迁移率	电子在电场作用下移动的平均速度	低压条件下的高频工作性能
饱和电子漂移速率	电子漂移速率达到一定范围后，不再随着电场作用而继续增加的极限值	高压条件下的高频工作性能
热导率	单位温度梯度在单位时间内经过单位热导面所传递的热量	高温性能

数据来源：天岳先进招股说明书，广发证券发展研究中心

以SiC为例，由于其带隙宽度较宽、临界击穿电场强度较高，使其具备在高压环境下的应用能力；而较高的热导率和熔点使其能够实现快速的散热，满足高温环境的应用；而其较高的饱和飘逸速度使其能够达到更高的工作频率和实现高频开关的性能。此外SiC的平均密度约为3g/cm3,因此重量相对较轻,它具有化学惰性和耐腐蚀性，即使暴露在高达800C的温度下，也不会受到任何酸、熔盐或碱的侵蚀。SiC具有非常低的热膨胀系数，这意味着在极端温度变化下，它也保持尺寸稳定（例如，它在受热时不会显著膨胀或在受冷时显著收缩），它还具有出色的抗热震性。对比传统的硅基器件它的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度提升。其性能赋予其应用范围广、冷却成本低、尺寸小、轻量化、低损耗等特征。

识别风险，发现价值

图1：碳化硅在各个性能领域胜出

数据来源：RESEARCHGATE，WoIfspeed，广发证券发展研究中心

（二）碳化硅衬底：产业链皇冠上的明珠，制备难度较大

碳化硅生产流程包含材料端衬底与外延的制备，以及后续芯片的设计与制造，再到器件的封装，最终流向下游应用市场。从成本拆分来看，目前受制于产能及良率，衬底成本占比最高，达46%。本篇文章我们将聚焦于碳化硅衬底层面进行分析：

图2:碳化硅生产流程

数据来源：Wolfspeed，Trendforce，广发证券发展研究中心

碳化硅按衬底制备方式以及面向的下游应用分可为两种类型。一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底，外延层上制造各类功率器件；另一种是通过生长氮化镓异质外延，下游应用于5G通讯、国防等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造氮化镓射频器件。

图3：碳化硅衬底类型及应用领域

数据来源：天科合达招股说明书，广发证券发展研究中心

碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的瓶颈。

图4:衬底制备生长过程

数据来源：天科合达招股说明书，广发证券发展研究中心

1.晶体生长环节：该环节是多学科交叉知识的应用，综合生长条件控制、生长效率、缺陷控制等因素，物理气相传输法（PVT）是技术成熟度最高、应用最广泛的方法，具有设备成本低、结构简单、技术成熟等优点。国际龙头Wolfspeed、I-VI公司、SiCrystal（Rohm子公司）等衬底生产企业均采用物理气相传输法。

图5：碳化硅长晶方式

数据来源：晶升装备招股说明书，广发证券发展研究中心

晶体生长难点：（1）长晶速度慢。碳化硅生长速度仅有0.3-0.5mm/h，且晶体最大长度仅能达到2-5cm，与硅基衬底有着较大的差异。并且随着碳化硅晶体尺寸扩大，其生长工艺难度呈几何级增长。

（2）黑箱操作良率低。碳化硅衬底核心参数包括微管密度、位错密度、电阻率、翘曲度、表面粗糙度等。其生产过程完全处于高温的密闭石墨腔体中完成，需要在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长、同时控制参数指标，非常依赖厂商的工艺经验。因此稳定量产各项性能参数指标波动幅度较低的高品质碳化硅晶片的技术难度很大，易产生各类缺陷等问题导致晶体生长环节难度大、良率低、产量小。

表3：碳化硅单晶生长过程中的缺陷

名称	解释
微管	微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷
包裹物	尺寸在微米量级的碳/硅夹杂物。“固-气-固"的转化重结晶过程中形成
多型夹杂	晶体中不同晶型同时存在的情形。碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生
多型夹杂	晶型转化
位错堆积层错	原子的局部不规则排列。由单晶生长热场中热应力、生长过程中的温度、组分等波动造成
	正常堆积顺序中引入不正常顺序堆积的原子面。单晶生长热场存在温度梯度，导致晶体生长过程中存在原生内应力，诱发层错

数据来源：天岳先进招股说明书，广发证券发展研究中心

（3）碳化硅晶体结构类型众多，但仅其中少数几种晶体结构的碳化硅为所需材料，杂质控制难度高，故在晶体生长过程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，降低产品良率。

图6：适合用于功率领域的碳化硅晶相

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

图7：多晶相夹杂后的碳化硅晶体形状

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

2.切割研磨抛光环节：碳化硅晶体制备完毕后，需要将其沿着一定方向切割成厚度不超过1mm的薄片，并通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液进行研磨，去除刀痕及变质层并控制厚度后，再进行CMP抛光以实现全局平坦化后进入最终的清洗环节。

切磨抛难点：由于碳化硅是高硬度的脆性材料，期切磨抛的加工难度增加，加工过程中其曲翘开裂等问题严重，损耗巨大，根据英飞凌的数据，在传统的往复式金刚石固结磨料多线切割方法下，在切割环节对整体材料利用率仅有50%，经过抛光研磨环节后，切损耗比例则高达75%，可用部分比例较低。

图 8：金刚线切割碳化硅衬底示意图

数据来源：英飞凌，广发证券发展研究中心

（三）发展趋势：大尺寸&切割抛光技术升级，衬底成本有望得到优化

1.大尺寸化。与硅基晶圆发展路径相同，未来碳化硅衬底也将持续提升晶片尺寸，降低单位面积芯片成本，推进碳化硅器件的成本下降。海内外衬底厂商以6寸为主流，目前正在向8寸过渡。

表4：海内外衬底厂商8寸进展

国际主流SiC企业8英寸衬底量产进度表
企业名称	展示样品时间量产/预计量产时间
Wolfspeed	2015年 2022年
罗姆	2015年 2023年
安森美	2022年 2025年
Soitec	2022.05 2023年
意法半导体	2021.07 2023年
Coherent	2015年 2024年

国内主流sic企业8英寸衬底进度表

企业名称	研发成功/展示样品时间	小批量量产时间	产品类型
烁科晶体	2020.01	2022.01	8英寸导电型 SiC衬底
天科合达	2022.11	2023年	8英寸导电型 SiC衬底
晶盛机电	2022.08	2023年二季度	8英寸导电型 SiC 衬底
科友半导体	2022.12	=	=
天岳先进	2022.09
中科院物理所	2021.01	=	厚度约 2mm的8英寸4H-SiC 衬底
山东大学	2022.09		厚度 520um的8英寸 4H-SiC 衬底

数据来源：化合物半导体市场，广发证券发展研究中心

衬底尺寸的提升，芯片成本有望显著下降。根据Wolfspeed数据，在相同尺寸的芯片下，8英寸衬底片可切出的芯片数量相比6英寸衬底片提高约90%，同时降低约7%的边缘浪费，带来生产力和效率的大幅提升。伴随着尺寸扩张带来的规模效应以及自动化产线带来的相关成本的降低，Wolfspeed预计至2024年，8英寸衬底带来的单位芯片成本相较于2022年6英寸衬底的单位芯片成本降低超过60%，这将持续推进碳化硅产品的降价，加速对硅基器件的替代。

图9：8英寸带来生产力与效率的提升

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

图 10：8寸晶圆大幅降低单位芯片成本

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

2.切割技术优化：以英飞凌冷裂技术为例，英飞凌在2018年斥资1.39亿美元收购Siltectra获得其Cold Split冷裂技术，作为激光切割的一种形式，ColdSplit冷裂技术是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。根据英飞凌的披露，传统的线切割造成SiC晶锭损失比例超过75%，2021年对晶锭采用冷裂技术会降低损失比例50%，未来还可以对晶圆进行冷裂，一片晶圆经过冷裂可以变成两片晶圆，这将显著提升公司材料的利用效率与总体产量，目前该技术仍在进一步发展中。

图11:英飞凌冷裂（Cold Split）技术

数据来源：英飞凌，广发证券发展研究中心

3.抛光技术提升：SiC的外延层生长过程中的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和晶圆表面，形成各种表面缺陷，从而影响其性能参数。上述表面缺陷出现的部分原因与抛光划痕息息相关，因此正确的抛光技术对碳化硅后续顺利加工至关重要。目前，已开发出如下图所示的三种CMP方式以实现更高的材料去除率、更低的表面粗糙度、更少的划痕和更均匀的表面形貌,以满足更稳定的外延生长的需求。Wolfspeed碳化硅晶片经过CMP加工后，晶片表面缺陷较低，可获得的质量较高的碳化硅衬底，为后续的外延与晶圆制造打下坚实基础。

图12:碳化硅晶片CMP三种方式

数据来源：芯TIP，广发证券发展研究中心

图13：CMP后衬底表面质量得到显著提升

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

技术升级带动衬底成本优化。受益于衬底制备技术持续进步，碳化硅衬底成本将有望得到优化，根据英飞凌数据，2023年至2027年衬底价格将得到显著下降。根据东尼电子公告披露数据，2023年向客户交付6英寸碳化硅衬底单价为5,000元/片，2024年MOS衬底价格为4750RMB/片，2025年MOS衬底价格为4510RMB/片；2024年SBD衬底价格为4275RMB/片，2025年SBD衬底价格为4060RMB/片。我们认为，未来随着衬底尺寸从6寸向8寸提升，持续优化良率以及相关生产切割、抛光工艺的的升级，碳化硅材料成本有望显著下降，将有效降低整体器件价格，提升下游客户的替代意愿，拉升碳化硅功率器件的市场渗透率。

图14：6英寸衬底价格趋势

数据来源：英飞凌，广发证券发展研究中心

二、市场高度集中，产业扩张加速

（一）竞争格局：收购与合作浪潮涌动，市场高度集中

全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。细分来看主要表现出以下三个特点：（1）原本的碳化硅材料厂商进行纵向整合，向下游器件端拓展市场。代表企业：Wolfspeed、I-VI等。（2）传统的功率大厂横向切入碳化硅赛道，积极布局全部或部分产业链。代表企业：意法半导体、英飞凌、斯达半导等。（3）其他厂商抢入碳化硅赛道，布局部分产业环节。代表企业：东尼电子、露笑科技等。

图 15：国外碳化硅收购与合作浪潮涌动

数据来源：英飞凌，Wolfspeed，ST，Il-VI，Rohm，Onsemi，广发证券发展研究中心

国际大厂间的收购与合作错综复杂，都在建立自己的产业阵营。在SiC器件在功率器件市场持续渗透的背景下，获得大批量高质量衬底变得至关重要。为获取到长期稳定有效的碳化硅衬底供应，海外功率大厂均在大力布局，与碳化硅衬底公司合作频繁，建立自己的产业阵营，形式包括签订长期供货订单，或直接收购投资上游衬底厂商等行为。

图16：国际大厂建立阵营

数据来源：Yole，广发证券发展研究中心

衬底市场高度集中，CR3占据主要份额。目前导电型衬底市场呈现出高度集中的格局，CR3凭借出色的技术实力与突出的产能供应占据全球接近90%的市场。其中Wolfspeed一家独大，市场占有率超过60%；Il-VI和SiCrystal（Rohm子公司）分别占据14%、13%；国内企业天科合达排名第五，市占率约4%。

图17：2020年碳化硅衬底市场格局

数据来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

（二）市场规模：海内外厂商积极扩产，衬底市场快速扩容

海外厂商扩产持续。如上文所述，目前碳化硅衬底市场被海外大厂牢牢占据，竞争格局高度集中。根据英飞凌引用yole的数据，目前海外主要衬底厂商持续加大扩产力度，23-24年产能较20-22年实现总产能约4倍的扩充，最大产能将达285万片/年（合6寸）。但从市占率的层面来看，相较于21年总和约90%的市场占比，预计至2024年，海外主要衬底厂商市场份额将降至约65%，究其主要原因，和中国碳化硅衬底企业的大力扩产息息相关。

图18：海内外衬底厂商扩产规划
Leading players in boule & wafer processing market

数据来源：英飞凌，Yole，广发证券发展研究中心

本土企业异军突起。2021年，全球碳化硅衬底市场中，仅有天科合达占比较高，达9%，其余企业占比均不足1%。从22年开始，本土碳化硅衬底企业进入高速扩产期,预计至2024年，天科合达、天岳先进、山西烁科、三安光电以及中电化合物为首的本土公司合计总产能有望超过150万片/年，市场占比合计约为35%。

碳化硅衬底市场规模快速扩容。在海内外企业积极扩产的背景下，碳化硅衬底市场规模将得到显著提升，根据wolfspeed的预测，预计至2026年，全球碳化硅材料（衬底+外延）市场规模将达17亿美元，相较于2022年提升近2.5倍。

图 19：碳化硅衬底+外延市场规模预测

数据来源：wolfspeed，广发证券发展研究中心

三、建议关注布局碳化硅衬底赛道的本土公司

国内企业发力布局碳化硅产业。从产业模式看与国外产业链主要以纵向多环节整合为主不同，国内产业链相对来较为分散，除三安光电以及中电科下属研究所采用产业链全覆盖模式之外，更多厂商选择专注于产业链中某个特定环节。

图 20：碳化硅本土产业链概览

数据来源：广发证券发展研究中心

目前我国碳化硅产业整体处于早期阶段，本土企业已开始加大布局力度，在技术升级与下游客户导入上均实现突破，国产替代正有序推进。展望未来，本土碳化硅玩家有望在3-5年内加速成长，成为国际市场上的重要力量。

表5：本土厂商衬底扩产情况

公司名称	衬底扩产计划
晶盛机电	募投33.6亿元实现年产40万片6英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片
天岳先进	碳化硅半导体材料项目预计2026年100%达产，实现30万片/年的生产能力
东尼电子	募投4.69亿元实现年产12万片碳化硅半导体材料项目
天科合达	第三代半导体碳化硅衬底产业化基地项目2025年全面达产后实现年产37万片碳化硅晶片
露笑科技	第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目，建设期2年，预计形成年产24万片6英寸导电型碳化硅衬底片
三安光电	碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发 (包括长晶一衬底制作一外延生长一芯片制备一封装产业链)
烁科晶体	达产后配套产能约36万片/年的生产能力
安徽微芯	项目建成后，将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力
南砂晶圆	达产后预计年产4英寸碳化硅晶圆片3万片、6英寸12万片
	南砂晶圆二期正规划8英寸衬底晶片生产线，建成后园区年产量将达到 50 万片
超芯星	计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片
中电化合物	投资10.5亿元建设年产8万片4寸至6寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片
世纪金芯天达晶阳	建设年产22万片6-8英寸碳化硅芯片生产线
建设400台套完整（设备）的碳化硅晶体生产线，4-8英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片数据来源：晶盛机电申请向特定对象发行股票的审核问询函，三安光电年报，面包板社区，全球半导体观察，PSD功率系统设计，广

（一）天岳先进：国产碳化硅衬底龙头，持续拓展导电型衬底

公司成立于2010年，主营业务为碳化硅衬底的研发、生产和销售。2021年公司营业收入为4.94亿元，同比增长16.25%；归母净利润为0.90亿元，同比增长114.02%。从营收结构来看，公司营收主要分为碳化硅衬底业务和其他业务，其中碳化硅衬底业务收入为3.87亿元,同比增长10.89%;其他业务收入为1.07亿元，同比增长40.79%。

图 21：2019-2021年天岳先进分业务营收拆分

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

图 22：2019-2021年天岳先进归母净利润及增速

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

公司碳化硅业务进展：2022年7月22日，公司发布公告称“2023年至2025年，公司及公司全资子公司上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元”。该公告彰显公司已具备较强的导电型碳化硅衬底实力，同时，公司2022年IPO募资25亿元建设6寸导电型碳化硅衬底项目，22年开始试生产，预计26年达产，形成对应衬底30万片/年的生产能力，将为公司提供充足成长动力。

图23：天岳先进6英寸导电型SiC单晶衬底

数据来源：天岳先进官网，广发证券发展研究中心

（二）东尼电子：大力开拓新业务，碳化硅衬底打开全新成长空间

公司成立于2008年，主营业务为超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售。2021年公司营业收入为13.39亿元，同比增长44.27%；归母净利润为0.33亿元，同比减少30.14%。从营收结构来看，公司营收主要分为消费电子、光伏、新能源和医疗，其中消费电子业务收入为10.04亿元，同比增长23.49%;光伏业务收入为1.24亿元，同比增长202.44%；医疗业务收入为1.05亿元，同比增长118.75%；新能源业务收入为0.69亿元，同比增长200%。

图 24:2019-2021年东尼电子分业务营收拆分

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

图25：2019-2021年东尼电子归母净利润及增速

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

公司碳化硅业务进展：2023年1月9日，公司子公司东尼半导体与下游客户T签订《采购合同》，约定东尼半导体 2023年向该客户交付6英寸碳化硅衬底13.50万片，含税销售金额合计人民币6.75亿元；2024年商品交付数量为30万片，其中MOS交付数量大于总量50%；2025年商品交付数量为50万片，其中MOS交付数量大于总量55%。

图 26:东尼电子SiC单晶材料与SiC厂房

数据来源：东尼电子官网，广发证券发展研究中心

（三）三安光电：全产业链布局，碳化硅业务扬帆起航

公司成立于1993年，主营业务为化合物半导体的研发、生产和销售。2021年公司营业收入为125.72亿元，同比增长48.71%；归母净利润为13.13亿元，同比增长29.20%。从营收结构来看，公司营收主要分为化合物半导体、材料销售、和租金、物业、服务收入，其中化合物半导体收入为96.61亿元，同比增长61.80%；材料销售收入为26.39亿元,同比增长14.14%;租金、物业、服务收入为2.72亿元,同比增长59.06%。

图 27：2019-2021年三安光电分业务营收拆分

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

图28：2019-2021年三安光电归母净利润及增速

数据来源：Wind，广发证券发展研究中心

公司碳化硅业务进展：公司投资160亿建设碳化硅全产业链，是全国首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。2021年公司湖南三安碳化硅产线产线已通线，进入试量产。碳化硅配套产能扩充到3万片/月。

公司的碳化硅产品在下游市场已取得多点突破，在服务器电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、车载充电机等细分应用市场标杆客户实现稳定供货。2022年11月6日，公司全资子公司湖南三安与需求方（主要从事新能源汽车业务的公司）签署了碳化硅芯片《战略采购意向协议》，本协议约定：供方按照一定的价格向需方提供产品和服务，需方根据实际需求向供方下立采购订单，基于2022年市场价格感知，包含2023年产生的研发业务需求，至2027年预估该金额总数为人民币38亿元（含税）。

图 29：三安光电碳化硅产品

数据来源：三安光电官网，广发证券发展研究中心

（四）天科合达：国内碳化硅衬底龙头企业，技术水平不断突破

公司简介：公司成立于2006年，由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。技术来源于中国科学院物理所多年在碳化硅领域的研究成果和十几年的自主研发及经验积累，在国内最早建立了完整的碳化硅晶片生产线，突破了缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线。

碳化硅业务进展：2022年11月，公司功举办8英寸碳化硅衬底新产品发布会，8英寸碳化硅晶体直径可达209mm，100%面积为4H晶型，半高宽小于20arcsec，EPD<4000/cm²，TSD<100/cm²，BPD<200/cm²，位错密度整体处于国际领先水平，此外，公司宣布将于2023年实现8英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。公司正在新建两期碳化硅衬底产业化基地项目，第一期总投资10.5亿，预计将实现年产能12万片6英寸导电碳化硅衬底，目前正处于调试准备投产阶段。第二期总投资超20亿，预计将实现年产能25万片碳化硅衬底，至2024年底，公司预计将形成年产超50万片的4-8英寸碳化硅衬底。

图 30：天科合达8英寸碳化硅晶体及晶片外观图

数据来源：天科合达官网，广发证券发展研究中心

四、风险提示

（一）碳化硅衬底扩产不及预期

碳化硅衬底作为碳化硅产业链的核心环节，其制造难度较高，产能扩张需要大量资金以及相应的技术支持，若投入资金力度或技术研发进程不及预期，或将给衬底产能扩张带来不利影响。

（二）碳化硅渗透不及预期

碳化硅的渗透进度受上游材料厂商和器件厂商的产能、良率和价格以及下游客户接受程度等综合因素影响，碳化硅渗透若慢于预期，其市场规模以及相关厂商营收表现将会受到影响。

（三）新能源行业需求不及预期

作为碳化硅功率器件最大的下游应用领域，若新能源需求不及预期，会对碳化硅器件需求量造成较大影响。

广发电子行业研究小组

许兴军：浙江大学系统科学与工程学士，浙江大学系统分析与集成硕士，2012年加入广发证券发展研究中心。

王亮：复旦大学经济学硕士，2014年加入广发证券发展研究中心。

叶秀贤：天津大学材料科学与工程学士，天津大学管理科学与工程硕士，2014年加入广发证券发展研究中心。

谢淑颖：厦门大学电子工程学士、上海财经大学金融硕士，2018年加入广发证券发展研究中心。

耿正：上海交通大学材料科学与工程学硕士，2020年加入广发证券发展研究中心。

郁正林：中国科学院大学硕士，2020年8月加入广发证券发展研究中心。

栾玉民：博士，毕业于北京大学，2022年加入广发证券发展研究中心。

焦鼎：博士，毕业于中国科学院，2022年加入广发证券发展研究中心。

张大伟：硕士，复旦大学电子与通信工程硕士，2021年加入广发证券发展研究中心。

任思儒：硕士，毕业于上海交通大学，2022年加入广发证券发展研究中心。

王钰乔：硕士，毕业于上海交通大学，2022年加入广发证券发展研究中心。

李佳蔚：硕士，毕业于京都大学，2022年加入广发证券发展研究中心。

广发证券—行业投资评级说明

买入：预期未来12个月内，股价表现强于大盘10%以上。

持有：预期未来12个月内，股价相对大盘的变动幅度介于-10%～+10%。

卖出：预期未来12个月内，股价表现弱于大盘10%以上。

广发证券—公司投资评级说明

买入：预期未来12个月内，股价表现强于大盘15%以上。

增持: 预期未来12个月内，股价表现强于大盘5%-15%。

持有：预期未来12个月内，股价相对大盘的变动幅度介于-5%～+5%。

卖出: 预期未来12个月内，股价表现弱于大盘5%以上。

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权益披露

(1)广发证券（香港）跟本研究报告所述公司在过去12个月内并没有任何投资银行业务的关系。

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广发证券-半导体行业专题研究-碳化硅系列报告一：衬底篇，工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿-230221.pdf