2024年06月05日

利基存储供需加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开

半导体

投资评级：看好 (维持)

存储芯片板块跟踪报告 (七)

罗通 (分析师)

luotong @kysec.cn

王宇泽 (联系人)

wangyuze @kysec.cn

行业走势图

数据来源：聚源

·利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开

利基存储芯片主要包含4GbDDR4及以下的DRAM,2DNAND及NORFlash等品类，是国内存储公司主要参与的市场。由于此前供需格局未出现明显改善，目前利基型产品价格仍在底部，涨价潜力仍未兑现。目前来看，供给侧方面，海外原厂目前正加注投入HBM、DDR5等高端产品，并逐渐退出DDR4、DDR3 等市场，利基型存储市场供给侧正加速收缩；需求侧来看，利基存储空间虽不及主流存储市场，但产品性能特点鲜明，不可替代性较强，市场空间预计将保持稳定。且近期随着行业库存逐渐去化，以及终端消费电子需求大增，DDR3相关需求表现较为强劲；价格方面，目前DDR3等产品价格仍处于历史绝对底部，近期涨价信号频发，我们预计强劲涨势有望于2024H2正式形成；从中国台湾厂商的月度营收来印证，南亚科、华邦电等公司近期营收表现良好，连续多月实现同比增长，复苏趋势明显，侧面印证利基存储板块景气度正持续提升。

·大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起

随着供需格局扭转推动产品价格持续回升，利基存储板块有望正式迎来上行周期。我们认为我国存储芯片厂商有望充分受益于（1）原厂退出后所迎来的份额提升：复盘NORFlash市场格局演变，2017年前后，海外各大龙头加注投入主流存储市场，淡出NORFlash市场，中国台湾及大陆厂商趁势抢占份额，迅速成长为了该领域的绝对龙头。我们认为随着各龙头逐渐淡出DDR3等市场，中国大陆厂商有望复刻在NORFlash的成长之路，迅速提升份额；（2）产品价格提升带来的业绩复苏：海外龙头退出后，市场供给侧将大概率由中国台湾及大陆厂商主导，由于目前中国台厂目前仍未实现盈利，对提升盈利表现有较大诉求，在本轮周期中预计将全力推高价格上涨，中国大陆厂商业绩表现有望因此受益；(3)产品升级所带来的空间拓宽：利基存储市场规模虽不及主流市场，但仍有约130亿美金的市场规模，且本轮供给侧收缩情况已外溢至DDR4，预计DDR4将成为利基型厂商竞争的下一个主要方向，利基市场规模有望随之提升。目前国内厂商产品正不断往高端化升级，已有多家厂商在DDR4 相关领域形成完善布局，成长空间明显拓宽。

·投资建议

随着板块持续复苏，我们认为中国大陆利基型存储芯片厂商有望充分受益于份额提升、业绩复苏、成长空间拓宽等多方面因素，受益标的：兆易创新、普冉股份、东芯股份、澜起科技、聚辰股份、恒烁股份、北京君正。

·风险提示：板块复苏不及预期、市场竞争加剧、下游需求复苏不及预期。

1、利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开....
1.1、供需情况：原厂产能转移，供需改善趋势确定性强.. ...3
1.2、价格：DDR3 涨价信号频发，强劲涨势或于下半年正式形成.. ..5
1.3、景气印证：中国台厂营收复苏，上行周期或已正式开启.
2、大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起.. ..7
2.1、份额：复刻 NOR 成长路径，大陆厂商DDR3 份额有望显著提升... ..7
2.2、业绩：中国台厂涨价诉求明确，大陆厂商有望受益.. ...8
2.3、空间：产品持续升级，大陆存储厂成长空间明显拓宽..
3、投资建议.. .. 11
4、风险提示... ..12

图表目录

图1：2023H2以来DXI指数反弹明显， ..3
图2：利基型产品（以DDR3为例）价格仍在历史底...
图3： DDR3 价格仍处于历史绝对底...
图4: SLC NAND价格仍处于历史绝对底部...
图5: 2024M4南亚科连续6月营收同比增长..
图6: 2024M4华邦电连续5月营收同比增长..
图7: 海外龙头淡出后，中国大陆及台湾厂商占据NORFlash市场主要份额. ..7
图8：三星等海外龙头仍占据DDR3市场主要份额（半导体产业纵横2024M3 报道）
图9：中国台湾厂商净利率仍未转正，涨价诉求明确....
表1：各大原厂纷纷减产、停产DDR3.
表2：利基型DRAM仍广泛应用于消费电子、汽车等多个领域，需求稳.. .
表3：利基型存储市场空间预计约为130亿美元... .9
表4：中国大陆存储厂商产品多元布局，多家厂商已成长为国际龙头. ..10
表5：受益标的估值与盈利预测汇总表.. ...11

1、利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开

价格仍处底部区间，利基存储涨价蓄势待发。利基存储芯片主要包含4GbDDR4及以下的DRAM，2DNAND及NORFlash、EEPROM等品类，具有下游应用广、制程工艺相对成熟等特点，是目前国内存储公司主要参与的市场。价格方面，2023H2以来，海外原厂集体减少产能，主流存储市场供需逆转，产品价格得到明显复苏；反观利基市场，因供需格局未发生明显变化，目前价格仍处于本轮周期底部，涨价潜力尚未兑现。展望未来，随着各家原厂纷纷加注AI,产能正加速转移至HBM、DDR5等相关高端产品，利基型存储市场供给侧明显收缩，产品价格有望开启新一轮景气周期。

图1：2023H2以来DXI指数反弹明显

数据来源：Wind、开源证券研究所注：DXI指数是集邦咨询于2013年创建反映主流DRAM价格的指数

图2：利基型产品（以DDR3为例）价格仍在历史底部

数据来源：Wind、开源证券研究所

1.1、供需情况：原厂产能转移，供需改善趋势确定性强

供给侧：原厂加注HBM投资，利基存储供给收缩趋势已经确立

随着生成式人工智能（AI）市场不断发展，AI芯片的需求持续提升，作为其中的关键器件，HBM（高带宽内存）产品正处于供不应求的局面当中。为扩大自身市场份额与影响力，三星、海力士等存储龙头纷纷加大投资，专注于HBM的产能扩建，并逐渐退出DDR3等利基型市场，供给侧明显收缩。

具体来看：主要原厂DDR3基本停供，DDR4产能明显转移

DDR3：闪德资讯5月13日报道，SK海力士于2023年底将大陆无锡厂的产能由DDR3转向高端产品,不再供货DDR3,三星近期已通知客户在2024Q2停产DDR3,美光、南亚科的DDR3供应量也明显减少。

DDR4：闪存市场5月22日表示，2024Q2以来，存储原厂为应对互联网巨头们的急单需求，开始将部分DDR4产能切换至HBM上，至2024年底，原厂将原有约80%的产能切换至DDR5、HBM等高端产品上，DDR4市场预计也将陷入到供给短缺的局面当中。

表1：各大原厂纷纷减产、停产DDR3

厂商		DDR3减产情况
韩国	三星	通知客户将在2024Q2底停产DDR3
韩国	SK海力士	将无锡厂DDR3产能转移至其他产品，等同于不再供应DDR3
美国	美光	为扩充DDR5、HBM产能，大幅减少DDR3供应量
中国台湾	南亚科	产能开始大幅转向DDR5，DDR3仅接受客户代工订单

资料来源：闪德资讯公众号、开源证券研究所

需求侧：特点鲜明，需求稳固，近期消费电子市场需求激增

利基型存储虽空间不及主流存储，但产品性能特点鲜明，下游需求稳定，不可替代性较强，短期内市场空间无明显收缩趋势。以DDR3为例：

（1）传输速率：相较前代产品，DDR3在传输速率方面实现了大幅提升，显著加快了数据的读取和写入速度，有效满足了多任务处理和大规模数据运算的需求；

（2）功耗：其低功耗特性显著降低了计算机系统的能耗，进一步提升了电池续航能力，为移动设备用户带来便利；

（3）兼容性：DDR3表现出高度的兼容性，可以适配台式机、笔记本电脑，服务器等设备，确保系统运行的稳定性和可靠性。

因功耗低，兼容性强等特点，DDR3至今仍广泛应用于网络通信、电视、监控、机顶盒、工业、智慧家庭等领域，市场规模约为70亿美金。从近期来看，据半导体产业纵横5月22日报道，随着产业经过逾一年去库存，近期终端消费性电子订单大增，带动DDR3芯片需求显著增长。

表2：利基型DRAM仍广泛应用于消费电子、汽车等多个领域，需求稳固

下游	规模占比	应用
消费领域	79%	WiFi路由器、数字机顶盒、PON等通讯设备、行车记录仪、家电等
工业领域	12%	监控系统、POS机系统、智能仪表、人机接口 (HMI) 平台
汽车领域	9%	ADAS、车载娱乐、汽车链接

资料来源：钰创科技官网、半导体产业纵横公众号、开源证券研究所

1.2、价格：DDR3涨价信号频发，强劲涨势或于下半年正式形成

复盘：2022年产品价格大幅下跌，目前位于历史绝对低位。回顾利基存储价格走势，2022年中由于存储市场供过于求，相关产品价格大幅下降，目前仍处于历史绝对低位，未见明显回升。以4Gb(512Mx8)DDR3 价格为例，截至2024/5/27，产品价格已从2022年高点下跌64.2%，跌幅较大，多家相关厂商已处于亏损状态，价格基本已无继续下探可能，后续有望随供需结构改善实现显著反弹。

图3：DDR3价格仍处于历史绝对底部

数据来源：Wind、开源证券研究所

展望：涨价信号频发，强劲涨势或于2024H2正式形成

从趋势来看，据半导体产业纵横报道，三星和美光等海外龙头已于 2023Q4 及2024Q1陆续喊涨DDR3，近期中国台厂华邦电也计划将DDR3价格调升20%，随着三星、海力士等龙头将在下半年停供DDR3，市场抢货情况频发，现货价格已开始上扬，下半年预计维持上行趋势。

从节奏上来看，虽然目前三星等厂商已宣布将停产DDR3，但由于公司还存在部分库存，所以目前各家龙头仍处于供货状态，供给侧未产生明显收缩，因此DDR3市场虽有涨势，但幅度不大。我们预计 2024H2三星龙头将完成清库动作，供给侧将正式收缩，叠加传统消费旺季需求的拉动，供需格局将正式扭转，带动DDR3等利基型产品价格加速上行。

其他利基产品方面，我们预计SLCNAND、NORFlash价格也将一同上涨，由于供需两侧变动程度不及DDR3市场，预计对应涨幅将相对温和。

SLCNAND：兆易创新4月19日投资者关系活动记录表表示，公司已经看到SLC NAND价格回升的迹象，对应上涨时间预计将比利基型DRAM滞后一个季度，整体涨势相对温和。

NORFlash:据闪德资讯，受益于AI需求全面崛起、车用客户导入量持续增加、AMOLED面板渗透进入中低阶智能手机等因素影响，NORFlash渠道库存水位明显下降，需求有望成倍数增长，2024Q2价格涨幅有望扩大为10%-20%

图4：SLCNAND价格仍处于历史绝对底部

数据来源：Wind、开源证券研究所

1.3、景气印证：中国台厂营收复苏，上行周期或已正式开启

中国台厂营收连续多月同比提升，上行周期或已正式开启。由于中国台湾厂商营收表现为月度更新，可以作为高频跟踪指标来印证板块景气度情况。2024M4，南亚科与华邦电分别实现营收32.1亿新台币和69.8亿新台币，同比分别增长42%和23%，营收连续多月同比提升，侧面印证利基存储板块景气度正持续上行。

南亚科（标准+利基型DRAM)：三大终端景气度逐渐回升。南亚科4月10日表示，目前原厂将产能转至HBM与TSV先进封装，常规DRAM供给增加有限。需求端方面，AI及高端服务器正加速发带动 DDR5需求、中国手机销量已开始复苏，高端机型占比不断提升、新一代AIPC 则有望拉动出货量与DRAM搭载量提升，景气度持续向好。

华邦电（利基 DRAM+SLC NAND+NOR Flash)：NOR 去库结束，利基型DRAM&NAND复苏在即。据闪德资讯5月12日报道，华邦电表示，NORFlash渠道去库已经基本结束，目前反映的都是市场的真实需求，有利于价格复苏，利基型DRAM和NAND也有望跟上复苏节奏。据华邦电判断，受益于AI带动，PC市场应该是复苏较快的下游市场。

图5：2024M4南亚科连续6月营收同比增长

数据来源：Wind、开源证券研究所

图6：2024M4华邦电连续5月营收同比增长

数据来源：Wind、开源证券研究所

2、大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起

中国存储芯片上市企业产品多面向利基型市场，在本轮主流产品的涨价浪潮当中受益较小。随着供需格局扭转推动产品价格持续回升，利基存储板块有望正式迎来上行周期。我们认为，随着周期持续复苏，我国存储芯片厂商有望充分受益于(1)原厂退出后所迎来的份额提升；（2）产品价格提升带来的业绩复苏；（3）产品升级所带来的空间拓宽。

2.1、份额：复刻NOR成长路径，大陆厂商DDR3份额有望显著提升

复盘：龙头淡出后，中国大陆及台湾厂商NORFlash份额明显提升。起初NORFlash 市场主要由多家海外龙头占据，而后随着功能手机逐渐淡出市场，2005-2015年期间NORFlash市场陷入了长时间的低迷状态，2017年前后，赛普拉斯、美光科技等多家龙头纷纷宣布淡出NORFlash市场，转而发力空间更大的主流存储产品。随着龙头的淡出，中国大陆及台湾厂商趁势抢占份额，市占率加速攀升，至2021年，中国台湾厂商华邦电、旺宏以及中国大陆厂商兆易创新的市场份额位列前三，CR3大于90%，马太效应逐渐显现。

图7：海外龙头淡出后，中国大陆及台湾厂商占据NORFlash市场主要份额

资料来源：公司公告、Cypress、维基百科、华经情报网、新浪财经、开源证券研究所

展望：复刻NORFlash成长路径，大陆厂商DDR3份额有望显著提升。DDR3市场方面，目前三星、美光和SK海力士依旧占据近7成的市场空间，随着三家厂商逐渐减产、停产DDR3，2024H2市场供给侧预计将出现明显收缩，中国大陆厂商在该领域布局已久，DDR3产品矩阵齐全，各厂商有望复刻其在NORFlash领域的成长路径，填补DDR3供给侧的短缺，市场份额预计将出现显著提升。

图8：三星等海外龙头仍占据DDR3市场主要份额（半导体产业纵横 2024M3报道）

数据来源：半导体产业纵横公众号、开源证券研究所

2.2、业绩：中国台厂涨价诉求明确，大陆厂商有望受益

随着各海外龙头逐渐淡出利基市场，中国台湾及大陆厂商预计将在市场供给侧占据主导地位，市场影响力将显著提升。而南亚科、华邦电和旺宏等中国台湾主要厂商自2022Q4净利率严重下滑以来，多个季度遭遇亏损，2024Q1仍未实现盈利，经营严重承压，涨价诉求明确。我们预计待2024H2海外龙头正式淡出DDR3市场后，中国台湾厂商将全力主导本轮涨价浪潮，改善公司经营表现。鉴于各公司目前净利率距离上轮周期水平仍有较大差距，我们认为本轮利基存储涨价幅度将较为可观，中国大陆厂商有望充分受益。

图9：中国台湾厂商净利率仍未转正，涨价诉求明确

数据来源：Wind、开源证券研究所

2.3、空间：产品持续升级，大陆存储厂成长空间明显拓宽

供给侧收缩已外溢至DDR4，利基市场随主流一齐扩容。利基型存储市场规模虽不及主流存储市场，但仍有130亿美金左右的市场空间（DDR3+SLCNAND+NORFlash+EEPROM)，规模可观。随着AI落地带动存力需求，存储市场整体规模有望加速提升，海外原厂全力投入高端产品，势必给其余厂商留下更多空间。本轮周期中，供给侧收缩的情况已经外溢至DDR4 市场，DDR4预计将成为利基型厂商角逐的下一战场，利基型市场规模有望随之提升。

表3：利基型存储市场空间预计约为130亿美元

2023年市场空间	数据来源
DDR3 70亿美元左右	半导体产业纵横
SLC NAND	20多亿美元 Gartner、东芯股份招股书
NOR Flash 30多亿美元	Yole
EEPROM 9亿美元左右	赛迪顾问、聚辰股份招股书
合计	130 亿美元左右

数据来源：半导体产业纵横公众号、Gartner、东芯股份招股书、Yole、赛迪顾问、聚辰股份招股书、开源证券研究所

向高端产品迭代升级，大陆厂商成长空间持续拓宽。我国利基型存储厂商布局全面，市场影响力不断提升，多家公司已成为细分领域的国际龙头，近年来积极向高端产品持续延伸，成长空间明显拓宽，如在DRAM方向：

兆易创新：随着DDR3在2023M9量产入市，公司已具备DDR3和DDR4两条产品线多个产品型号的供应能力。公司2023年市场拓展效果明显，DDR3L2Gb、4Gb产品出货量持续增加，目前已基本覆盖网通、TV等应用领域及主流客户群；

北京君正：2023年进行了不同容量、不同类别的高速DRAM、MobileDRAM等存储芯片的产品研发，包括了从 SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等各类产品，其中公司的8GLPDDR4已开始量产；

东芯股份：在目前已有的 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2 产品基础上，持续推进新产品的研发工作，设计研发的LPDDR4x在完成可靠性验证后，将积极进行客户送样及市场推广。

表4：中国大陆存储厂商产品多元布局，多家厂商已成长为国际龙头

公司	市场地位	DDR4	DDR3	NOR Flash SLC NAND EEPROM		MCU
兆易创新	NOR Flash市占率全球前二、MCU市占率全国第一	√	√	√	√	√
北京君正	SRAM全球市占率第二、DRAM全球第七	√	√	√	√
东芯股份	SLC NAND 国内龙头	√	√	√	1
普冉股份	小容量 NOR Flash 国内龙头			√	√	√
聚辰股份	EERPOM国内龙头，全球前三			√	√	√
恒烁股份	NOR Flash 存算一体新星			√		√

资料来源：各公司2023年年报及招股说明书、半导体投资联盟公众号、开源证券研究所

3、投资建议

随着海外原厂将产能逐渐转移，利基型存储市场供给侧有望于2024H2明显收缩，推动产品供需扭转，价格持续提升。2023年底至今，中国台湾厂商营收已连续多月同比回升，侧面印证板块上行周期或已开启。随着板块持续复苏，我们认为中国大陆利基型存储芯片厂商有望充分受益于份额提升、业绩复苏、成长空间拓宽等多方面因素，受益标的：

兆易创新：NORFlash&MCU龙头，背靠长鑫存储，2024年自有品牌DRAM采购额同比+135%，业务有望进入高速发展阶段；

普冉股份：小容量NORFlash霸主，成本端优势明显。2023年公司陆续推出ARMM0+和M4内核的12大系列超过100款MCU产品，2024年有望加速放量；

东芯股份：国内 SLC NAND 龙头，多条业务线均有产品通过AEC-Q100 测试，目前已向境外知名Tierl供货，成长动能充足；

澜起科技：内存接口芯片龙头，有望充分受益于DDR5渗透率提升；目前已在AI运力芯片方面布局了PCIeRetimer、CKD等多款新品，成长动能充足；

聚辰股份：国内EEPROM龙头，SPD出货量有望随DDR5内存模组渗透率提升而持续增长，全年业绩增长确定性强;

恒烁股份：NOR存算一体新星，恒芯2号流片成功，2023Q4首次实现了AI语音模组出货，建立了首批AI商业客户，成长动能充足。

北京君正：车规DRAM龙头，产品不断升级，8GLPDDR4已开始量产，后续有望放量。公司同时布局计算、模拟芯片，多领域协同发展；

表5：受益标的估值与盈利预测汇总表

代码	股票简称	收盘价	EPS			PE			评级
代码	股票简称	收盘价	2024E	2025E	2026E	2024E	2025E	2026E	评级
603986.SH	兆易创新	85.30	1.59	2.39	3.03	53.50	35.75	28.13	未评级
688766.SH	普冉股份	120.76	2.28	3.58	4.65	52.89	33.72	25.95	未评级
688110.SH	东芯股份	20.89	0.18	0.41	0.63	118.16	51.10	33.09	未评级
688008.SH	澜起科技	53.63	1.18	1.90	2.49	45.35	28.25	21.54	未评级
688123.SH	聚辰股份	56.83	2.12	3.10	4.15	26.84	18.31	13.68	未评级
688416.SH	恒烁股份	41.87	0.13	0.85	1.46	325.08	49.15	28.73	未评级
300223.SZ	北京君正	59.59	1.48	1.95	2.37	40.39	30.56	25.11	未评级

数据来源：Wind、开源证券研究所注：公司盈利预测数据均来自于Wind一致预测，时间截至2024/06/04

4、风险提示

(1）板块复苏不及预期

若海外原厂在DDR3 等领域的减产不及预期，则板块供需扭转程度不及预期，价格上涨动能有限，相关公司业绩复苏或不及预期;

(2）市场竞争加剧

若中国台湾厂商为抢占市场份额而加大扩产力度，则行业竞争加剧，对相关公司业绩复苏形成压力；

(3）下游需求复苏不及预期

下半年通常为行业旺季，若2024H2需求复苏不及预期，则供需格局改善程度将有所减弱，影响价格回升幅度及相关公司表现。

特别声明

《证券期货投资者适当性管理办法》、《证券经营机构投资者适当性管理实施指引（试行)》已于2017年7月1日起正式实施。根据上述规定，开源证券评定此研报的风险等级为R3（中风险)，因此通过公共平台推送的研报其适用的投资者类别仅限定为专业投资者及风险承受能力为C3、C4、C5的普通投资者。若您并非专业投资者及风险承受能力为C3、C4、C5的普通投资者，请取消阅读，请勿收藏、接收或使用本研报中的任何信息。

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股票投资评级说明

	评级	说明
证券评级	买入(Buy)	预计相对强于市场表现20%以上;
	增持（outperform)	预计相对强于市场表现5%～20%;
	中性(Neutral)	预计相对市场表现在一5%～+5%之间波动;
	减持(underperform)	预计相对弱于市场表现5%以下。
行业评级	看好（overweight)	预计行业超越整体市场表现；
	中性（Neutral）	预计行业与整体市场表现基本持平;
	看淡（underperform)	预计行业弱于整体市场表现。
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图表目录

1、利基存储：供需格局加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开

1.1、供需情况：原厂产能转移，供需改善趋势确定性强

供给侧：原厂加注HBM投资，利基存储供给收缩趋势已经确立

具体来看：主要原厂DDR3基本停供，DDR4产能明显转移

需求侧：特点鲜明，需求稳固，近期消费电子市场需求激增

1.2、价格：DDR3涨价信号频发，强劲涨势或于下半年正式形成

展望：涨价信号频发，强劲涨势或于2024H2正式形成

1.3、景气印证：中国台厂营收复苏，上行周期或已正式开启

2、大势已明，国内存储芯片厂商有望乘势而起

2.1、份额：复刻NOR成长路径，大陆厂商DDR3份额有望显著提升

2.2、业绩：中国台厂涨价诉求明确，大陆厂商有望受益

2.3、空间：产品持续升级，大陆存储厂成长空间明显拓宽

3、投资建议

4、风险提示

(1）板块复苏不及预期

(2）市场竞争加剧

(3）下游需求复苏不及预期

特别声明

分析师承诺

股票投资评级说明

分析、估值方法的局限性说明

法律声明

开源证券研究所

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存储芯片板块跟踪报告（七）：利基存储供需加速扭转，涨价浪潮2.0即将展开-开源证券 听光Vic.pdf

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