投资评级：看好（维持)

最近12月市场表现

分析师张益敏

SAC 证书编号：S0160522070002

zhangym02 @ctsec.com

国产存储器行业深度报告

核心观点

AI 技术革命伴随周期触底反弹，国内存储器产业转折点临近。回顾日韩半导体产业发展历史，存储器是后发国家追赶先行者的关键赛道。人工智能使数据产生量快速增长，NAND、DRAM、HBM等高性能存储器需求量庞大，国产化需求迫切。国内大宗和利基存储领域有优质企业涌现；与高端逻辑制程相比，3DNAND电路线宽要求相对简单，有望实现制造设备的高比例自主可控；国产芯片和上游供应链企业面临重要发展机遇。

X 终端产品需求旺盛，存储芯片需求有望好转：2023年9月以来，国产Mate60与苹果iphone15系列手机发售，消费电子市场迎来旺季。多款智能终端产品销量旺盛，提振上游的存储芯片需求规模。国产存储器芯片有适配国产旗舰手机的历史经验,未来市占率有望进一步提升。

海外巨头缩支减产，国内企业有望受益：由于存储芯片价格过低，产线持续亏损，三星、海力士、美光等巨头陆续减产并削减资本开支。三星的DRAM到年底计划减产30%，NAND减产幅度一度扩大至50%。海外企业大力减产，有望推动存储芯片库存和价格回归正常水平，规模相对较小的国内存储器企业业绩有望改善。

X 存储器市场空间大，中国企业市占率与海外巨头存在较大差距：存储器是国际龙头芯片企业竞争激烈的关键市场，2022年DRAM与NAND市场规模分别为797与587亿美元。Yole估计2022年中国主要NAND企业长江存储全球市占率约为 4%，2021年主要DRAM 企业合肥长鑫全球市占率约为0.2%，与海外巨头有较大差距。

全产业链齐发力，国内存储发展迎难而上：国内存储器IDM企业，面临海外供应链风险和景气度压力，积极验证国产设备、材料、零部件；长江存储已增资至1052.7亿元；国内企业在利基/新型存储、存储主控芯片、存储芯片封装领域也进步较快。随着国内配套产业链不断进步，行业周期见底回升，国内3DNAND、DRAM产线有望恢复并加速扩产，相关产业链企业有望深度受益。

X 投资建议：建议关注德明利、佰维存储等存储模组企业，东芯股份等存储芯片企业；中微公司、拓荆科技、华海清科、精测电子、中科飞测等设备企业，与兴森科技、鼎龙股份等材料企业。

风险提示：存储器市场需求不及预期；技术研发不及预期；海外供应链风险;行业竞争加剧

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表1：重点公司投资评级：

代码	公司	总市值（亿元）	收盘价(11.03)	EPS （元）			PE			投资评级
代码	公司	总市值（亿元）	收盘价(11.03)	2022A	2023E	2024E	2022A	2023E	2024E	投资评级
001309	德明利	103.61	91.49	0.84	0.14	1.35	63.17	661.34	67.61	未覆盖
688525	佰维存储	247.78	57.58	0.17	0.25	0.31	97.04	231.57	184.91	未覆盖
688110	东芯股份	171.59	38.8	0.42	0.62	0.86	62.31	62.58	45.12	增持
688012	中微公司	1,022.38	165.38	1.9	2.23	3.19	51.58	74.16	51.84	增持
688072	拓荆科技	445.14	237.8	3.18	2.77	4.47	68.16	85.85	53.2	增持
688120	华海清科	334.36	210.38	5.25	5.01	6.38	42.77	41.99	32.97	增持
300567	精测电子	228.61	82.19	0.99	1.32	1.72	50.71	62.27	47.78	增持
688361	中科飞测-U	248.96	77.8	0.05	0.32	0.46	0	243.12	169.13	增持
002436	兴森科技	259.35	15.35	0.33	0.12	0.32	29.33	127.92	47.97	增持
300054	鼎龙股份	230.42	24.39	0.42	0.54	0.82	50.69	45.17	29.74	增持

数据来源：wind 数据，财通证券研究所，未覆盖公司预测数据来自wind一致预期

内容目录

1存储器：数字社会信息存储的基石.
1.1 存储器芯片：市场规模巨大. 5
1.2 DRAM:计算过程中数据存储的关键介质 .8
1.3 NAND:广泛运用于长期信息存.. .10
1.4 NOR等其他存储器：小众市场精耕细作. 13
2 存储器市场景气度迎来拐点. ..14
2.1 海外企业积极减产，产能过剩有望缓解.. .14
2.2 企业库存与市场需求转好，企业业绩有望改.. ..16
3 存储器：国内产业发展迎接新时代... 18
3.1 借鉴历史.：产业.协作与逆周期.扩张助力.韩追赶. ....18
3.2 利基、大宗全面布局，国内存储器产业发展迅速. ..19
3.3 存储器晶圆IDM上游供应链：国产化率有望迅速提升.. .. 21
4 投资建议：.. ..23
4.1 存储芯片设计与模组企业：细分市场百花齐放.. ..23
4.2 存储芯片封测企业：服务国内外一线厂商. .23
4.3 设备企业：存储器产业上游基石.. .24
4.4 材料与零部件企业：存储器产线的血液.. ..25
5 风险提示.. .26

图表目录

图1.2022各类半导体产品销售金额与年化增速（单位：十亿美元）
图2.存储器产品应用分类.. 6
图3.全球数据产生量快速快速上升..
图4.智能手机存储容量呈上升趋势..
图5.存储芯片/其他集成电路历年销售金额(亿美元). .8
图6.DRAM芯片、模组与下游需求结构. .9
图7.三种DRAM性能和能耗对比.
图8.2021年DRAM市场份.
图9.HBMDRAM堆栈工作模式.. 10
图10.海力士HBM3 芯片. 10
图11.不同种类的NAND具备不同的存储能力 11
图12.从 2DNAND 到 3D NAND.. .11
图13.NAND 发展历.. .. 11
图14.NAND 厂商技术路线对..
图15.NAND市场份额变化.. .12
图16.NOR Flash 全球市场规模. ..13
图17.全球NORFlash市场 2021年竞争格局.. .13
图18.EEPROM全球市场规模.. 13
图19.聚辰股份EEPROM存储器.. .13
图20.海力士等五家存储器企业季度资本开支已为数年来低点（百万美元) .14
图21.DRAM与3DNAND 存储芯片现货价格走势（单位：美元） .15
图22.全球半导体月度销售金额已见底回升. .16
图23.DIXDRAM价格指数已有反弹趋势.. .16
图 24.国内存储器上市公司存货周转天数已呈小幅改善趋势， .17
图 25.存储器产业竞争格局与历史演变.. .18
图26.各生产商DRAM芯片销售金.. .19
图 27.2022年中国存储芯片金额占比. ..20
图 28.中国存储器产业布.. ..20
图29.东芯股份的 SPINAND FLASH 产.
图 30.佰维存储的 SSD产..
图31.3D NAND 芯片构造. .22
图32.DRAM芯片构造. .22
图 33.存储器芯片制造中光刻工艺重要性低于逻辑芯片， ...2
图34.3DDRAM电路结构预测.. .23
图35.3D DRAM内部架.. ..23
图 36.中国大陆存储器产业相关公司分布.

1 存储器：数字社会信息存储的基石

1.1 存储器芯片:市场规模巨大

存储器芯片（memorychip）是利用半导体介质贮存电荷，存储数据和指令等的记忆部件，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。存储器芯片是应用面最广、数量最多的电路基础性产品之一，也是重要的半导体细分类市场，重要性和市场规模仅次于逻辑集成电路。

图1.2022各类半导体产品销售金额与年化增速（单位：十亿美元）

数据来源：SIA，WSTS，KoreaEconomicDaily，财通证券研究所

存储芯片的核心集成电路模块，由大量基本电路单元的重复排列构成，标准化程度较高。不同企业生产的存储器芯片差异较小，通用性和可替代性较强，具备大宗商品的属性。因此存储器芯片的价格，受下游需求周期性波动影响较大。

据WSTS和SIA统计，2022年全球存储器芯片销售金额为1298亿美元。受全球宏观经济环境、地缘政治、半导体周期影响，存储器销售金额同比下滑16%，但市场规模仍排在半导体市场第二位，仅次于逻辑芯片。

数据来源：EDUCBA，Yole，Semienigneer，财通证券研究所

存储芯片有多个细分品类，其中应用最广泛的品类为：DRAM、NAND、NOR、EPROM/EEPROM。其中DRAM和NAND是大宗存储，NOR 和EPROM是利基存储。2021年存储芯片中，DRAM占比达56%，NANDFlash占比约为40%，两者主要用于移动终端、个人电脑、服务器、固态硬盘等领域。利基存储芯片中，NOR占比约为2%，EEPROM占比与NOR 属于同一量级；利基存储芯片主要运用在移动终端、电脑、可穿戴、智能设备中所需存储容量较小的领域，和通信、工控、车规市场中对安全性可靠性要求较高的领域。

如果依据其在计算机系统中的位置和用途，存储器可分为主存（Main/primaryMemory）和辅存（Secondarymemory)。主存是计算机系统中的内部存储器，用于临时存储正在执行的程序和数据。主存是相对于高速缓存而言的，其容量通常比高速缓存大得多，但访问速度较慢。辅存与主存相比，辅助存储器的容量更大，但访问速度较慢。辅助存储器通常用于长期存储和持久保存数据，即使在断电或重新启动计算机后，存储在辅助存储器中的数据仍然保持不变。

图3.全球数据产生量快速快速上升

数据来源：IDC，Forbes，财通证券研究所

5G，XR与元宇宙，大数据算法，人工智能，家电汽车智能化，安防与智慧城市等发展趋势，推动人类社会数据产生量快速增长。IDC 预计，全球数据产生量将从2018 年的33ZB 增至2025年的175ZB。2018 年，中国数据圈占全球数据圈的23.4%，即 7.6ZB。2018-2025年，中国的数据产生量将以年均30%的速度增长，比全球快3%。2025 年中国将成为全球最大的数据产生领域，数据产生量增至48.6ZB，占全球数据圈的 27.8%。人工智能的革命性变化进一步加速数据生成量增长，产生大量的数据存储与计算需求，有望大幅拉动NAND、DRAM等存储芯片的需求。

图4.智能手机存储容量呈上升趋势

数据来源：CounterpointResearch，安兔兔，财通证券研究所

2023Q2安兔兔用户手机存储分布

移动终端APP的功能不断扩展，占用空间日趋增大；高清晰度相机拍摄的照片、视频的占用的存储空间较大；人工智能应用逐渐向移动端渗透，AI生成的数据量快速增长，进一步提升数据存储需求。早期配备128g/64g容量的终端产品，存储能力捉襟见肘，日渐难以满足需求。最新的国产旗舰手机产品配备512g/1T存储容量，未来有望成为中高端消费电子产品标配。同时，为满足高速数据处理的内存需求,12g/16g内存的手机占比快速增长。手机存储容量和内存容量的快速增长，有望大幅拉动上游NAND/DRAM存储芯片的需求。

图5.存储芯片/其他集成电路历年销售金额（亿美元)

数据来源：WSTS，财通证券研究所

存储芯片的市场规模呈现出周期波动的特征，但总体增长趋势明显。受益于快速增长的数据存储需求，存储器芯片市场增速领先半导体市场整体，呈波动上升趋势。WSTS 统计，2022年全球集成电路市场规模为4744亿美元；2022年全球存储器市场1298亿美元，增速快于集成电路整体，占比有所提升。存储芯片巨大的市场空间和较少的细分品类，使其成为中国实现集成电路自主可控的重要环节。

1.2DRAM:计算过程中数据存储的关键介质

DRAM指动态随机存取存储器，属于掉电易失存储芯片。DRAM可存储计算机,手机运行数据，并和CPU进行直接通信，具有运算速度快、体积容量高、成本低、高密度的特征。计算机、服务器中的DRAM通常以内存模组的形式存在；在手机和其他移动设备中,DRAM通常以芯片状态直接安装在主板中。

图6.DRAM芯片、模组与下游需求结构

数据来源：三星官网，观研网，佐鸟电机株式会社，财通证券研究所

根据产品种类不同，可以将 DRAM 主要分为 DDR(双倍速率同步动态随机存储器）、LPDDR（低功耗双倍数据速率内存）、GDDR(绘图用双信道同步动态随机存取内存)，和 HBM(高宽带内存）等。其中，DDR 主要应用于服务器和PC 端、LPDDR主要应用于移动端、GDDR作为显存主要应用在图像处理领域。

根据市场定位的不同，又可以将DRAM分为主流DRAM和利基型DRAM，其中主流DRAM企业为三星、美光和海力士，国内DRAM大厂长鑫存储的定位也在主流 DRAM市场；利基型 DRAM 市场的参与企业更为分散，除了三星、美光、海力士(逐渐退出该市场)之外，还包含南亚、华邦和兆易创新、北京君正等公司。

图7.三种DRAM性能和能耗对比

数据来源：三星ICSA2016公开报告，财通证券研究所

图8.2021年DRAM市场份额

数据来源：Yole，财通证券研究所

DRAM芯片领域已经形成了高度垄断的全球竞争格局，市场主要由韩国三星电子（Samsung）、SK海力士（SKHynix）、美国美光（Micron）等占据。2021年，三星、海力士、美光合计占据全球 DRAM市场94%的份额。其他市场参与者包括中国安徽省的长鑫存储、中国台湾地区的南亚、华邦、力积电。

图9.HBMDRAM堆栈工作模式

数据来源：cadence官网，财通证券研究所

图10.海力士HBM3芯片

数据来源：海力士官网，财通证券研究所

为满足高性能AI服务器的需求，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）应运而生。HBM是利用3D封装和硅通孔（TSV）技术，将很多个DRAM芯片堆叠在一起，实现了高带宽、大容量、低功耗的需求，HBM的DRAM堆栈没有以外部互连线的方式与信号GPU/CPU/SOC芯片连接，而是通过速度更快的中间介质层连接，堆栈结构内部DRAM采用TSV实现信号纵向连接。

DRAM芯片在计算环节中配合CPU与GPU的广泛使用，使其成为提升算力的重要元件。随着人工智能应用推广，中国国内对于算力需求不断提升，实现DRAM芯片国产化也迫在眉睫。

1.3 NAND:广泛运用于长期信息存储

闪存芯片（NANDFlash）是东芝的舛冈富士雄博士于1986年发明为非易失性存储器。闪存芯片内部电路结构采用非线性宏单元模式，具备容量大，改写速度快的优点，广泛用于需要大量存储空间的电子设备，例如固态硬盘（SSD）、智能手机、记忆卡、U盘等。

1992年东芝将NANDFlash设计授权给三星，同年英特尔也推出了第一款NAND闪存产品。2007年东芝率先推出基于BiCS技术的3DNAND芯片，正式开启了3DNAND大容量时代。

图11.不同种类的NAND具备不同的存储能力

数据来源：MEMKOR官网，财通证券研究所

图12.从 2DNAND 到 3D NAND

数据来源：Esmchina官网，财通证券研究所

NANDFlash可分为SLC、MLC、TLC、QLC等。SLC每个cell单元有两种状态,可存储1bit信息；MLC每个cell单元有四种状态，存储 2bit信息；TLC每个cell单元有八种状态，存储 3bit信息。以此类推每个cell单元存储量越大，单位面积容量就越高，成本越低。从SLC到QLC，电压状态数量的增加，闪存芯片结构稳定性和寿命会降低。SLC闪存芯片稳定性好，具有非常快的读写速度和长寿命，可用于高可靠性、高性能、高耐久性环境中，如企业级数据存储、服务器、工业控制系统。

图13.NAND发展历史

数据来源：Electronic Specifier官网，TOSHIBA，财通证券研究所

传统的2DNAND通过微缩电路关键尺寸来提升存储密度，技术迭代与集成电路工艺微缩进度密切相关。当电路线宽缩小到40-28nm级别后，进一步微缩会产生严重的漏电现象导致存储信息丢失；同时若大量采用多重曝光工艺生产NAND芯片，成本压力极大。采用多层堆叠技术3DNAND应运而生，其二维平面上的关键尺寸线宽与成熟制程接近，垂直方向也排列有存储单元cell，具有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。目前，最先进的3DNAND堆叠层数已达200层以上。

国内的主要NAND厂商包括长江存储、兆易创新、东芯股份等。2016年，紫光参与控股武汉新芯公司，成立长江存储。2018年，长江存储成功量产32层3DNAND产品，成为国内首家具备3DNAND闪存芯片生产能力的内资企业。

图14.NAND厂商技术路线对比

数据来源：EEtimes，财通证券研究所

数据来源：韩联社，财通证券研究所

全球NANDFlash市场集中度高，多数份额被海外巨头占据。2022Q2，NAND 的前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，市场份额分别为33%、19.9%和15.6%，CR3 接近70%。规模相对较小SLCNAND，被华邦电子、旺宏电子、东芯股份、兆易创新等企业占据。

伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产NAND存储芯片的需求也有望不断增长。

1.4 NOR等其他存储器：小众市场精耕细作

NORFlash属于通用型非易失性存储芯片，是一种基于NOR 结构的闪存芯片。NORFlash 的特点是芯片内执行(XIP)，这种特性使得应用程序可以直接在闪存内运行，无需在系统RAM中查看代码。NORFlash具有良好的随机访问能力、较快的读取速度、可靠耐用的特性，适用于执行代码和读取关键数据，被广泛应用于功能手机、消费电子、工业控制、通讯设备等领域。

图16.NORFlash全球市场规模

数据来源：普冉股份招股说明书，中国产业信息网，财通证券研究所

图17.全球NORFlash市场2021年竞争格局

数据来源：ICinsight，财通证券研究所

随着物联网、汽车电子和TWS耳机等下游需求扩张，NORFlash芯片产业有望迎来新的发展机遇。根据中国产业信息网数据，2021年全球NORFlash 市场规模约33.67亿美元，到2022年这一市场将进一步增长到37.24亿美元。

图18.EEPROM全球市场规模

数据来源：中商情报网，财通证券研究所

图19.聚辰股份EEPROM存储器

数据来源：聚辰股份，财通证券研究所，

EEPROM、EPROM、PROM、SRAM等其他存储器目前市场较小。据Yole 统计，2022年(NV)SRAM/FRAM市场规模7亿元美元，EEPROM等市场规模10亿美元。ROM、NORFLASH等小规模存储市场，海外巨头较少参与竞争，壁垒相对较低，有利于国内企业拓展份额。

2 存储器市场景气度迎来拐点

2.1 海外企业积极减产，产能过剩有望缓解

作为电子领域的大宗商品芯片，存储器的价格对市场的供需平衡较为敏感。由于三星、海力士、美光、铠侠、西部数据等韩美日厂商在市场上主导地位，通常利用产能优势进行价格垄断，牢牢掌握着供给端的话语权；下游需求端的客户议价能力通常偏弱；故大型存储芯片企业的资本开支计划和产能利用率被视为存储芯片价格的风向标。

图20.海力士等五家存储器企业季度资本开支已为数年来低点（百万美元）

数据来源：IDC，财通证券研究所

半导体存储器晶圆生产需要采购大量的半导体设备，并准备大型洁净室厂房，存储器IDM是典型的重资产行业。据TEL公司统计，每10万片月产能的2XX层级3DNAND芯片或1bnm节点的DRAM芯片产线需要90亿美元的半导体设备；考虑到厂房和厂务系统的建设，实际投资成本更高；此外，存储器IDM企业需建设存储容量更大的新一代存储产线。综上，存储芯片的供应量与IDM企业的资本开支密切相关，capex不足会导致供不应求推高存储器价格。

由于居家办公带来的半导体景气周期结束，全球宏观经济放缓，地缘政治冲突，存储芯片需求在2022Q4起大幅放缓，各大存储器IDM企业纷纷削减资本开支。选取美光、海力士、南亚科技、华邦电子、西部数据等5家企业统计（三星半导体的资本开支包括非存储器领域，铠侠未上市)，其在2023Q2的资本开支金额已接近2016年来的最低点。

图21.DRAM与3DNAND存储芯片现货价格走势（单位：美元）

数据来源：集微网，CFM闪存网，IDC，财通证券研究所

除了削减资本开支外，海外企业也积极降低现有产出。三星半导体的DRAM月均投片量从2023Q1的70万片，到Q2减少至63万片，Q3后再减少为59万片；SK海力士月均DRAM投片量则自2023Q1的44.5万片，到Q2减少至41万片，Q3再减少到39万片，预期Q4投片量将更减少。美光计划将DRAM和NAND产能减少30%，预计减产将持续到2024年。海外企业减产力度空前，有望推动存储器芯片市场供需平衡加速恢复。

存储器IDM厂故意减产或意外事故导致的产能缩减，对存储器价格有较强的刺激作用。2013 年无锡海力士发生火灾，海力士当年的 DRAM 市场占有率达到24.6%，无锡工厂的产量占到了SK海力士总产量的一半（全球产能12%)，其火灾短暂停产导致全球DRAM价格上涨幅度高达40%。2017年除云服务需求旺盛外，美光中国桃园DRAM厂氮气污染，日本东芝NAND厂遭遇黑客入侵，也是直接将存储器价格推向历史最高点的主要因素。

2.2 企业库存与市场需求转好，企业业绩有望改善

2023H2期间Mate60等国产手机品牌及iPhonel5系列发布，消费电子需求阶段性转暖。同期AI服务器需求强劲，其平均内存容量可达1.2\~1.7TB，所需DRAM容量远高于普通服务器。得益于消费电子、服务器需求的双轮驱动，存储芯片库存压力有望逐步缓解，供需平衡得到改善。

TrendForce预计NANDFlash 第四季合约价全面起涨，涨幅约8\~13%。NANDFlashWafer方面，目前观察第四季市场几乎已无低价货源可采购，预估第四季NANDFlashWafer合约价涨幅约13\~18%。DRAM 方面，预估第四季合约价季涨幅约3\~8%。

今年9月初三星电子已对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%至20%，涉及小米、OPPO和谷歌等主要智能手机客户。同时也计划上调供应自家Galaxy系列智能手机部门的内存芯片价格。除了三星，美光自9月开始调涨NANDFlash晶圆合约价约10%。

图22.全球半导体月度销售金额已见底回升

数据来源：SIA，财通证券研究所

图23.DIXDRAM价格指数已有反弹趋势

数据来源：WIND，财通证券研究所

美国 SIA统计，2023年8月全球半导体销售金额为440亿美元，环比上升1.9%。其中，中国区销售收入129.9亿美元，环比上升2.0%，全球半导体市场呈现出筑底回升的态势。截止2023年10月27日，DIXDRAM价格指数DIXDRAM出现止跌回升迹象,FLASH256GBwaferTLC的价格自8月底后也出现反弹。种种迹象表明，存储器市场底部或已过。

图24.国内存储器上市公司存货周转天数已呈小幅改善趋势

据来源：WIND，财通证券研究所

国内存储器企业的库存状况也出现一定程度的改善；选取7家国内存储器上市公司，其Q3 财务的数据显示，多数公司的周转天数与Q2相比缩短。其中，江波龙和佰维存储作为下游存储器模组企业，周转天数改善较为明显。海外企业减产抬升价格，有望惠及国内存储产业；随着库存压力缓解，相关企业的业绩有望在未来持续改善。

3 存储器：国内产业发展迎接新时代

3.1 借鉴历史：产业协作与逆周期扩张助力日韩追赶

存储器引领了半导体产业的两次大的转移。

第一次产业转移发生在70-80年代，日本凭借产学合作与政府支持，DRAM的产品质量、经济性、技术水平快速进步；日本半导体产业以DRAM为核心，带动了半导体产业从美国向日本的转移。

“产官学联合研发+低价优质策略+下游需求潮流带动”三重赋能，助力日本从追随美国到实现快速超越。美国分别在1970年和1972年率先研制出1KDRAM和4KDRAM，而此时日本的技术实力与产品性能与美国存在较大差距。1976年日本政府牵头组织富士通、NEC、日立、东芝和三菱共五家日本最大的计算机企业组成“VLSI联合研发体”。

图25.存储器产业竞争格局与历史演变

数据来源：各公司官网，财通证券研究所

1977年日本突破64kDRAM,1980年和1984年率先研制出256K和1000KDRAM。通过集中研发后规模化的成本质量优势，日制DRAM产品迅速渗透市场，1987年达到80%，标志着第一次产业转移完成。但1986年美国认定日本DRAM倾销，并与日本签署《美日半导体协议》，同期日本国内泡沫经济破灭，正式开启了半导体产业的第二次转移。

图26.各生产商DRAM芯片销售金额

数据来源：statista，财通证券研究所，

韩国依靠政府和财团的持续大量投入以及大胆的逆周期投资，实现在DRAM领域从仿制、研发走向自主创新和大规模生产。20世纪80年代，韩国政府和三星、LG、现代等大举进军DRAM，以政府为主、民间为辅，通过购买引进专利技术及设备进行消化吸收。DRAM市场低迷之际，三星采取“逆周期投资”策略，成功抢占日本半导体企业市场份额，占据市场主导地位。

1989年，三星成功量产4MDRAM，几乎与日本同时投放市场；1992年三星率先推出64MDRAM；1996年，三星率先推出1GBDRAM，在技术上实现了落后到领先的转变。1998年，韩国厂商在DRAM全球市场的占有率超过日本。

3.2 利基、大宗全面布局，国内存储器产业发展迅速

中国大陆是全球重要的存储芯片市场，2022年中国大陆DRAM销售金额占全球比例 30%,NAND销售金额占全球比例33%;排名仅此于美国,位居全球第二位，未来存储器需求有望持续增长。但是由于中国存储器产业起步较晚，多数存储芯片仍依赖进口。据Yole估计，2022年中国主要NAND企业长江存储市占率约为4%，2021年主要DRAM企业合肥长鑫市占率约为0.2%。

图27.2022年中国存储芯片金额占比

数据来源：Yole，财通证券研究所

1990 年代，作为技术引进的一部分，日本NEC公司在中国大陆成立了两家合资公司首钢NEC和华虹NEC生产DRAM，但1997年的亚洲金融危机、2001年的互联网泡沫事件、日韩半导体价格战，对DRAM 存储器价格和市场需求打击较大，两家合资企业陷入亏损困境，在技术和供应链上完全依赖海外合资方；随着日本NEC公司2001年退出DRAM业务，国内合资企业也被迫放弃存储器市场。

图28.中国存储器产业布局

数据来源：Yole，财通证券研究所

中芯国际 2006年起大规模量产 80 纳米工艺，并为奇梦达、尔必达等海外企业代工生产DRAM。2008年由于国际金融危机，DRAM价格大幅下跌，中芯国际被迫退出DRAM存储器领域。奇梦达、尔必达等也在随后几年破产。至此，中国大陆企业暂时完全退出了DRAM存储器领域。

2014年9月，国家集成电路大基金一期成立；2015年，《中国制造2025》计划发布,中国存储器产业的面临新的转折，一系列项目密集上马。2016年，福建晋华集成、合肥长鑫存储、武汉长江存储，中国大陆三大存储器IDM公司相继成立。

2019年，中国存储器国产化取得阶段性成果。长江存储于2019年9月2日宣布量产基于Xtacking架构的64层256GbTLC3DNAND闪存；2019年9月20日，长鑫存储DRAM 芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM 产品同步的8Gb DDR4 首度亮相。

图29.东芯股份的 SPINANDFLASH 产品
图30.佰维存储的SSD产品

数据来源：东芯股份，财通证券研究所
数据来源：佰维存储，财通证券研究所

同期，国内企业在利基存储领域也迅速发展，涌现出兆易创新、东芯股份、北京君正、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等一批企业。配套的封测与模组领域，深科技，太极实业，万润科技，江波龙，佰维存储等企业也茁壮成长。

中国存储器产业整体上初具雏形，但是由于起步较晚，国内存储芯片仍极大比例依赖进口，国产存储芯片市占率仍很低。在更上游的存储芯片晶圆制造领域，晶圆厂产线所需的半导体设备、零部件、材料较高度依赖进口。2018年，美国打压国产存储器厂商福建晋华集成；2022年10月，美国公布对华半导体出口新规；国内用于部分存储器芯片生产的半导体设备、零件、材料进口面临困难，国内存储器芯片产线扩产放缓。

3.3存储器晶圆IDM上游供应链：国产化率有望迅速提升

存储器芯片因为其相对特殊的集成电路构造与独特的市场需求模式，走出了一条与逻辑芯片不同的发展模式。与逻辑芯片生产逐渐由企业IDM模式转变为Fabless设计公司+Foundry 代工模式不同，存储器市场保持着IDM 为主的市场格局。除利基型存储器由 Foundry 晶圆厂代工外，大部分存储芯片为存储器 IDM 企业自产，且市场份额不断向行业龙头集中。

图31.3DNAND芯片构造

数据来源：TEL官网，财通证券研究所

图32.DRAM芯片构造

数据来源：TEL官网，财通证券研究所

由于存储芯片的通用性较强，具备大宗商品属性，故企业和市场对其价格波动较为敏感。为有效降低成本，存储器晶圆堆叠路线厂在规划产线时，会尽可能提高产能，提升生产效率以追求规模化优势。此外由于集成电路在28nm 制程后面临良率下降，光刻成本急剧升高的问题：存储器在采用先进光刻工艺时也相对谨慎。

图33.存储器芯片制造中光刻工艺重要性低于逻辑芯片

数据来源：ASML，财通证券研究所

光刻设备是我国设备供应链中最为薄弱的环节，存储器生产中，光刻工艺的重要性相对较低；3DNAND芯片由于放弃微缩化转为多层堆叠，不再需要高精度先进制程光刻机；DRAM芯片产线的光刻设备采购开支占比，上升速度慢于逻辑芯片制造。此外，DRAM芯片因为电容结构物理特性局限，光刻成本压力和刻蚀沉积技术难题等因素，泛林集团预计5年后可能停止微缩，转向3DDRAM结构。存储器芯片生产的上述工艺特点，有助于国内半导体产业扬长避短。

图34.3DDRAM电路结构预测

数据来源：北京超弦存储器研究院，财通证券研究所

图35.3DDRAM内部架构

数据来源：北京超弦存储器研究院，财通证券研究所

国产设备近些年在刻蚀、薄膜沉积、量检测、清洗、化学机械抛光、离子注入、涂胶显影等制造设备，与配套的零部件和材料领域，发展非常迅速，已覆盖国内存储器IDM产线的众多工艺节点。海外供应链日趋不稳定，上游产业链国产化紧迫性提升；国内存储器IDM企业的产线中，国内企业所占的价值量和份额有望快速提升。

4投资建议：

4.1 存储芯片设计与模组企业：细分市场百花齐放

随着存储器市场需求改善，产品价格上涨。德明利、佰维存储、江波龙等存储器模组企业生产存储主控芯片、固态硬盘（SSD）、嵌入式存储、内存条等产品，消费端和企业级客户对其产品的下游需求有望改善。兆易创新、东芯股份、普冉股份、恒烁股份、北京君正、聚辰股份等存储芯片设计企业，精耕利基存储市场，随着终端需求回暖，其业绩也有望改善。

4.2 存储芯片封测企业：服务国内外一线厂商

存储芯片的封装测试需要IDM厂商与下游封测厂紧密配合。国内，万润科技下属长江万润半导体，聚焦闪存封装测试与存储模组，其大股东长江产业投资集团也是长江存储股东；深科技下属沛顿科技的DRAM封测产线主要服务合肥长鑫;太极实业为 SK 海力士提供半导体后工序服务；华天科技、通富微电、长电科技等封测厂也有存储器封测业务。上述企业有望受益于国内外不断增长的存储芯片封测需求。

数据来源：各公司官网，各公司公告，WIND，集微网，财通证券研究所

4.3 设备企业：存储器产业上游基石

未来国内存储器产线有望扩产，并产生大量设备采购资本开支。中微公司、拓荆科技、微导纳米、华海清科、盛美上海、北方华创、至纯科技等企业提供制造设备，可用于国产存储产线。

中微公司的刻蚀设备、拓荆科技与微导纳米的薄膜沉积设备，针对存储器集成电路的高深宽比和多膜层结构，具有很强的工艺适配性，存储产线中需求量大。以上公司的营收与利润规模，有望伴随国内存储产业规模快速扩张。

此外，精测电子、中科飞测的前道量检测产品可用于国内存储器产线；精智达、广立微、长川科技的产品可用于后道测试。上述企业未来有望助力国内存储产线良率提升，并实现相关业绩快速增长。

4.4 材料与零部件企业：存储器产线的血液

存储器晶圆产线的运转，需消耗大量半导体材料与零部件。

鼎龙股份的抛光垫、安集科技的抛光液，昌红科技的晶圆载具，兴森科技的载板，彤程新材、华懋科技的光刻胶产品，金宏气体、雅克科技、正帆科技的气体，江丰电子的靶材等，可运用于集成电路生产，未来市占率有望不断提升。

国力股份、英杰电气的电容器与射频电源产品，可用于刻蚀或薄膜沉积设备；美埃科技的空气净化设备可维持半导体生产所需的洁净环境;富创精密、新莱应材、江丰电子的机械加工类零部件和阀门等，设备企业与晶圆厂均有需求；上述和其他零部件企业不断推进研发和验证，有望受益于国内存储器产业发展。

5风险提示

存储器需求不及预期：存储器市场的供需平衡，对存储芯片价格有较大影响。全球半导体市场景气度仍较低迷，叠加宏观经济增长放缓，可能导致存储器需求不及预期，拖累相关公司业绩。

技术研发不及预期：采用先进制程工艺的存储器芯片研发难度较大；车规级芯片因为高可靠性的要求，也存在较长的验证周期；上游的设备、零件、材料存在较长的导入和验证周期，新产品的研发进度存在不确定性，若研发验证或客户导入进度慢，可能会对相关公司的业绩造成不利影响。

海外供应链风险：海外对中国企业的相关限制措施对国内存储器晶圆厂造成一定影响。若国内存储器晶圆厂扩产放缓，可能会对上下游企业业绩产生不利影响。

行业竞争加剧：国内存储芯片企业的产品线有少量重叠。若未来行业竞争加剧，存储器企业的收入和利润增长将面临压力。

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内容目录

图表目录

1 存储器：数字社会信息存储的基石

1.1 存储器芯片:市场规模巨大

1.2DRAM:计算过程中数据存储的关键介质

1.3 NAND:广泛运用于长期信息存储

1.4 NOR等其他存储器：小众市场精耕细作

2 存储器市场景气度迎来拐点

2.1 海外企业积极减产，产能过剩有望缓解

2.2 企业库存与市场需求转好，企业业绩有望改善

3 存储器：国内产业发展迎接新时代

3.1 借鉴历史：产业协作与逆周期扩张助力日韩追赶

3.2 利基、大宗全面布局，国内存储器产业发展迅速

3.3存储器晶圆IDM上游供应链：国产化率有望迅速提升

4投资建议：

4.1 存储芯片设计与模组企业：细分市场百花齐放

4.2 存储芯片封测企业：服务国内外一线厂商

4.3 设备企业：存储器产业上游基石

4.4 材料与零部件企业：存储器产线的血液

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国产存储器行业深度报告：存储器迈入发展新周期，国内产业链大有可为-20231106-财通证券-27页