行业研究

钙钛矿产业化风渐起，靶材国产化价值显现——钙钛矿光伏靶材行业深度报告

要点

钙钛矿：极具潜力的第三代光伏技术。钙钛矿材料指具备化学通式ABX3的物质，其具备连续可调的带隙范围，并覆盖最佳带隙；钙钛矿光伏电池（PSCs）则是利用钙钛矿材料作为吸光材料的光伏电池，主要结构包含透明导电基底、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和顶电极5部分。钙钛矿是处于研发与成熟中的先进光伏技术。按技术路线，钙钛矿电池可分为钙钛矿单结电池、四端和两端钙钛矿/晶硅叠层电池，其中，钙钛矿单结电池进展较快，多家企业已进入中试。

光电转换效率天花板高+规模化降本优势，前景广阔。钙钛矿光伏电池的实验室光电转换效率从2009 年的3.8%迅速提高至2021年的25.7%，而这一进程晶硅光伏电池花费了四五十年，且钙钛矿电池的理论转换效率显著高于晶硅光伏。成本端，钙钛矿光伏产业链较晶硅光伏显著缩短，且钙钛矿原材料丰富，用量少，纯度要求低；钙钛矿光伏在达到一定技术成熟度后，产线投资约为5亿元/GW，约为晶硅光伏的1/2；能耗约为0.12KWh/W，约为晶硅光伏的1/10。此外，钙钛矿光伏产线具备规模化降本优势,纤纳光电的20MW产线投资额为5050万元，新建的100MW产线投资额为1.21亿元，投资额仅提升至原投资额的2.4倍。

政策推动研发及产业化，众多参与者积极布局钙钛矿产能。当前国家出台了多项政策推动钙钛矿光伏技术的研发及产业化进程，产业内钙钛矿光伏电池的产能规划亦十分活跃。当前参与布局规划的多为未上市公司，上市公司中，亦有协鑫科技、奥联电子、杭萧钢构等旗下公司进行积极布局。据我们不完全统计（暂不考虑未公开数据），截至2023年2月，现有企业公开的钙钛矿总产能规划约为28GW，2023年钙钛矿产能有望落地约880MW，2024年有望落地超3GW。

与晶硅光伏对比，钙钛矿光伏中靶材占比大幅提升，国产化价值凸显。靶材，又称“溅射靶材”，是在溅射过程中被高速金属等离子体流轰击的目标材料，是半导体、显示面板、光伏等领域制备功能薄膜的核心原材料。晶硅光伏电池中，HJT 技术路线因引入透明导电薄膜，需使用ITO 靶材，故具备较高的靶材成本占比，据前瞻产业研究院，HJT电池成本中，硅片占比最高为 47%，靶材成本占比约为4%。然而，钙钛矿电池成本中，因无硅料成本、生产温度相对降低、能耗成本下降等因素，靶材成本占比进一步大幅提升。以协鑫光电100MW 项目为例，靶材成本占比高达37.2%，比重最高。钙钛矿电池中，ITO 导电玻璃、空穴传输层、电子传输层、金属背电极的制作均会用到各类靶材，当前，全球靶材市场处于外资寡头垄断中，靶材作为钙钛矿电池中成本占比最高的环节，其国产化相关标的将充分受益于钙钛矿趋势与后续的规模化量产落地。

投资建议：钙钛矿作为第三代光伏技术，具备光电转换效率天花板高与规模化降本的双重优势，前景广阔，而靶材在其成本中的占比较传统晶硅光伏显著提升，且处于外资寡头垄断中，国产化价值凸显。建议关注国内高端靶材国产化企业。

1、隆华科技。全资子公司丰联科光电研发生产的高纯钼及钼合金靶材、ITO 靶材、银合金靶材等科技产品，填补了中国在相关领域的技术空白，率先打破高端靶材依赖进口的局面。钙钛矿光伏领域，公司靶材产品可应用于TCO层、空穴传输层和电子传输层。

2、阿石创。公司为国内PVD 镀膜材料领域的龙头。钙钛矿电池领域，在基础的介孔层、致密层用靶材环节，如TiO2等，公司已有成熟产品。

风险分析：技术进展不达预期风险，产业化建设不及预期风险，技术替代风险。

作者

分析师：贺根

执业证书编号：S0930518040002

021-52523863

hegen@ebscn.com

联系人：汲萌

021-52523859

jimeng@ebscn.com

投资聚焦

本篇报告，我们全面梳理了第三代光伏技术钙钛矿的技术特点、技术优势、产业内布局情况，并论述了靶材在钙钛矿电池中价值占比及供应格局，从而重点提示了靶材国产化在钙钛矿光伏领域的投资价值。

我们区别于市场的观点

当前市场对于钙钛矿光伏的设备、组件等环节关注较多，尚未对靶材的投资价值给予充分重视。我们认为，第一，与晶硅光伏对比，钙钛矿光伏成本中靶材成本占比大幅提升，以协鑫光电100MW项目为例，钙钛矿成本占比仅为5.3%，而靶材成本占比高达37.2%；第二，高端靶材的技术壁垒较高，国产化厂商有望充分受益。因此，我们通过本篇报告，重点提示投资者靶材国产化在钙钛矿光伏趋势中的投资价值。

股价上涨的催化因素

1、钙钛矿产能规划的发布与建设投产。

2、重点靶材公司在有关钙钛矿光伏组件厂商方面的客户开拓取得积极进展。

3、钙钛矿光伏技术的进一步突破。

4、钙钛矿光伏技术相关的研发及产业化利好政策推出。

投资观点

钙钛矿作为第三代光伏技术，具备光电转换效率天花板高与规模化降本的双重优势，前景广阔，而靶材在其成本中的占比较传统晶硅光伏显著提升，且供给格局处于外资寡头垄断中，国产化价值凸显。我们认为，高端靶材国产商有望充分受益于钙钛矿光伏发展趋势与后续的规模化量产落地。

建议关注：隆华科技、阿石创。

1、钙钛矿强势崛起，高效率+低成本引领变革 5
1.1、钙钛矿：极具潜力的新一代光伏技术. .5
1.2、优势：光电转换效率天花板高+规模化降本， .........·.·....·.·....·.·....·.·.·..·.·.·..·.·.······ ..8
1.2.1、光电转换效率：相对晶硅光伏，具备更高天花板
1.2.2、成本端：产业链显著缩短，规模化降本效应显著 ...10
1.3、政策推动产业化，多家公司陆续布局钙钛矿产能 .11
2、靶材：钙钛矿靶材占比提升，国产化价值凸显 .14
2.1、靶材：泛半导体领域制备功能薄膜的核心原材料 .. 14
2.2、钙钛矿电池中靶材成本占比显著提升，价值凸显 ..15
2.3、全球靶材处于外资垄断，国产化成果初显 ..17
3、投资建议.... ..19
3.1、隆华科技：靶材国产化先行者. ..19
3.2、阿石创：国内PVD 镀膜材料龙头， ..21
4、风险分析.... .22

图目录

图1：钙钛矿材料ABX晶体结构 .5
图2：半导体材料带隙及对应的理论最大效率.
图3：钙钛矿太阳能电池类型 ..7
图4：钙钛矿电池工作原理. ..7
图5：四端、两端钙钛矿/晶硅叠层结构示意图 (从左至右)
图6：太阳能电池分类.. .9
图7：钙钛矿光伏VS晶硅光伏：发展历程与效率
图8：钙钛矿产业链显著缩短，价值高度集中.. .10
图9：纤纳光电20MW、100MW钙钛矿产线成本 (单位：万元) .11
图10：协鑫光电的1m×2m钙钛矿组件， .12
图11：溅射工艺原理图..
图12：2018年HJT电池成本构成， .. 15
图13：协鑫纳米100MW 钙钛矿组件成本拆分. ..5
图14：钙钛矿电池制作工序、制备工艺及生产设备. .16
图15：TCO 玻璃类别及性能对比.. ...16
图16：靶材产业链四大环节介绍... ..1.7
图17：全球靶材销售市场的主要份额. ..18
图18：隆华科技的三大产业布局... .19
图19：四丰电子的钼靶材产品 (G5代线宽幅) .. 20
图20：晶联光电的ITO靶材产品 (G5代线) .20

表目录

表1：不同技术路线的光伏电池转换效率、量产技术成熟度及制造成本. .10
表2：不同技术光伏组件产线投资额情况. 11
表3：钙钛矿发展的相关政策 ..12
表4：国内企业钙钛矿光伏产能规划及进展 (截至2023年2月) ..13
表5：靶材的分类介绍. .. 14
表6：不同应用领域的靶材介绍. ..15
表7：钙钛矿电池空穴传输层材料简介.. ..17
表9：两种靶材制造工艺的优劣对比... .································. .18
表10：丰联科靶材产品主要用途和功能.. ... 20

1、钙钛矿强势崛起，高效率+低成本引领变革

1.1、钙钛矿：极具潜力的新一代光伏技术

钙钛矿最初指化学式为CaTiO3的矿物质，及拥有CaTiO3结构的金属氧化物。钙钛矿(Perovskite)，是以俄罗斯矿物学家 L.A.Perovski 的名字命名的。1839年，L.A.Perovski研究存在于乌拉尔山变质岩中的钛酸钙(CaTiO3)时，首次提出了钙钛矿这一晶体结构。

经过多年发展，钙钛矿材料定义演变为具备化学通式ABX的物质。其中，A为一价有机（甲基铵，MA+或甲胖，FA+）或无机（Cs+）阳离子，或两者的混合物;B 为 Pb²+或 Sn²+，或两者的混合物；×是卤化物阴离子(I-、Br-或CI-或它们的混合物）。A位阳离子位于中心，B位阳离子和×位卤化物阴离子形成八面体，占据体心立方晶格的角位。晶格中的离子半径决定钙钛矿材料的结构，进而影响钙钛矿材料的电子性质和稳定性，并决定钙钛矿光伏电池的性能和寿命。通过调控A、B和×位离子的配比可以优化电池的性能和稳定性。

图1：钙钛矿材料ABX晶体结构

资料来源：微信公众号【中科院物理所】

钙钛矿材料具备连续可调的带隙范围，并覆盖最佳带隙。光伏电池的工作原理是把入射光子的能量转换为电子，产生电压、电流和功率输出。而带隙就是电子从它的主原子的一个轨道带挣脱到轨道带之外所需的能量，是为电池的电力输出所提供的能量。带隙过大，光子将缺乏发射电子所需的能量，直接穿过太阳能电池，无法产生大量电流；带隙过小，光子会释放电子，但只向每个电子传递少量能量，导致电压过低。材料带隙与能量转换效率息息相关。晶体硅的带隙约为1.1eV，理论效率为29.3%。而钙钛矿具有连续可调的带隙范围，人工设计的钙钛矿材料，带隙可以非常接近于最优带隙（1.4eV），因此单层钙钛矿电池的理论效率为33%，双层钙钛矿电池的理论可达到43%以上。

图2：半导体材料带隙及对应的理论最大效率

资料来源：微信公众号【华东综合能源服务】

钙钛矿太阳能电池(PSCs）指利用钙钛矿结构材料作为吸光材料的太阳能电池。根据电荷传输方向的不同，钙钛矿太阳能电池可分为n-i-p型(透明导电电极/n型电子传输层/钙钛矿吸光层/p型空穴传输层/顶电极）和p-i-n型(透明导电电极/p型空穴传输层/钙钛矿吸光层/n型电子传输层/顶电极），其中，n-i-p型电池根据电子传输层结构的不同又可分为介孔结构和平面结构。平面p-i-n型结构制备工艺简单、成本低，可用于钙钛矿叠层器件的制备，且迟滞现象几乎可以忽略，受到科研关注，但其最大的问题是效率不高。钙钛矿电池结构的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和顶电极5部分简介如下：

(1）透明导电基底（TCO玻璃）：传输太阳光和载流子，其透光率、表面粗糙度、表面方阻等会直接影响器件性能。常用的刚性基底为透明导电玻璃掺氟氧化锡（FTO）和氧化铟锡（ITO），柔性基底为ITO/PEN。

(2）电子传输层（ETL）：抽取和传输电子及阻挡空穴。n-i-p型器件结构的电子传输材料主要是金属氧化物（如TiO、ZnO、AlO、SnO2等），p-i-n 型器件结构的电子传输材料主要是富勒烯及其衍生物。

(3）钙钛矿活性层：钙钛矿太阳能电池的核心层，吸收一定波长范围内的太阳光，促进光生载流子的解离与输运。钙钛矿薄膜的质量会对整个器件的性能起到决定性作用。

(4）空穴传输层（HTL）：传输空穴到接触电极及阻挡电子的反向传输、降低复合。n-i-p 型钙钛矿太阳能电池常用的空穴传输材料包括有机小分子，p-i-n型器件中常用的空穴传输材料为聚合物及无机金属氧化物（NiOx）等。

(5）顶电极：材料有金属（Ag、Au 等）和非金属（碳等）。

图3：钙钛矿太阳能电池类型

资料来源：王茹等，《钙钛矿太阳能电池及其空穴传输研究综述》，《材料研究与应用》2022年

钙钛矿电池将光能转化为电能的原理可简化为“光子进，电子出”。当光子能量高于半导体的能带间隙时，半导体材料吸收光子并产生电子-空穴对，电子-空穴对被P-I-N结的内建电场分离成自由移动的载流子（电子和空穴）。电子和空穴在电场的作用下分别被电子传输层和空穴传输层抽取并定向传输，电子向阴极移动，空穴向阳极移动，最终被两端的电极收集并输送到外部电路。

图4：钙钛矿电池工作原理

资料来源：微信公众号【材新社】，《材新深度丨第三代光伏电池一一钙钛矿电池系列研究（一)》

技术路线方面，钙钛矿单结电池进展较快，已有多家企业进入中试阶段。根据钙钛矿光伏电池的结构，可分为三条主流技术路线：钙钛矿单结电池、四端和两端钙钛矿/晶硅叠层电池。

(1）钙钛矿单结电池：国内外已有数家企业进入中试阶段，目前和晶硅组件的效率依旧相差甚远。钙钛矿组件的造价未来在大范围量产后，预计将略低于晶硅组件。由于其目前较低的效率，度电成本未来仍可能高于晶硅组件。但钙钛矿单结组件可以切入细分的领域，例如BIPV、柔性组件或者空间应用。

(2)四端钙钛矿/晶硅叠层电池：叠层太阳能电池技术旨在突破单结太阳能电池的 Shockley-Queisser 极限（例如晶硅的理论极限小于30%），在高效转换光子能量的基础上将理论极限推至40%以上。四端叠层将晶硅和钙钛矿电池分开制备，仅在组件端进行整合。目前产业界仅有试验性的尝试。

(3）两端钙钛矿/晶硅叠层电池：和四端叠层电池相比，两端叠层电池在成本上的优势更明显，首先可以减少一层透明导电电极的制备，其次良品率由于单片电池面积的减小而大幅上升，同时两端叠层的理论极限上限相对更高。虽然叠层组件制备成本比晶硅组件略高，但由于其更高的能量转换效率，度电成本会更低。目前产业界有英国的牛津光伏进入中试阶段。

图5：四端、两端钙钛矿/晶硅叠层结构示意图 (从左至右)

资料来源：孔文池，《高质量钙钛矿薄膜的合成、加工及应用研究》，2022年

目前，钙钛矿电池产业化发展也面临着一些难点。主要分三方面：大面积制备、稳定性、环保。

(1）大面积制备问题。转换效率较高的钙钛矿电池其尺寸均为实验室级别，未达到商业化尺寸。目前较难生产薄且均匀的大面积钙钛矿层，一旦电池尺寸增大，光电转换效率随之下降。

(2）稳定性问题。潮湿环境（包括昼夜温差造成的水蒸气）、氧气氧化、光辐照、紫外线等都会对电池稳定性产生显著影响。目前，钙钛矿电池持续光照实验最长达10000h，若按全天平均日照时长4h计算，理论寿命只有6.8年。考虑到实际日照时间多于4h及其他日常损耗，正常寿命将会小于6.8年，与晶硅电池的理论寿命25 年比差距较大。

(3）环保问题。目前高性能钙钛矿大多以铅作为原料，并且制备过程中常用的-些溶剂和反溶剂（如氯苯、DMF、DMSO等）具有毒性，会对环境造成危害，不符合绿色可持续发展的长期目标。

1.2、优势：光电转换效率天花板高+规模化降本

1.2.1、光电转换效率：相对晶硅光伏，具备更高天花板

钙钛矿光伏是第三代光伏技术的代表之一。光伏产业发展至今，其技术路线可分为三代。第一代是以单晶硅、多晶硅为代表的晶硅光伏。第二代是以非晶硅、碲化镉（CdTe）、铜铟镓硒（CIGS）和砷化镓（GaAs）为代表的薄膜光伏。而第三代则是以染料敏化太阳能电池（DSSCs）、有机光伏（OPV）、量子点太阳能电池（QDSCs）和钙钛矿太阳能电池（PSCs）等为代表的新兴光伏技术。这些新兴技术尚未大批量进入市场，但因低成本、低能耗、质轻和制造灵活等优点广受关注。

图6：太阳能电池分类

资料来源：微信公众号【东方富海】，光大证券研究所绘制

钙钛矿光伏电池的实验室光电转换效率在10年间快速追赶晶硅光伏电池。目前光伏电池技术中应用最为广泛的是第一代晶硅电池。而钙钛矿光伏电池则凭借优异的光电转换效率，在第三代太阳能电池中脱颖而出。钙钛矿光伏电池的实验室光电转换效率从2009 年的3.8%提高至2021年的25.7%，而这一进程晶硅光伏电池花费了四五十年。

图7：钙钛矿光伏VS晶硅光伏：发展历程与效率

资料来源：微信公众号【东方富海】，光大证券研究所整理

钙钛矿电池的理论转换效率天花板相对晶硅电池较高，未来提升潜力大。目前，主流光伏晶硅电池的光电转换效率已接近天花板，晶硅组件的实验室最高转换效率为26.7%，量产转换效率约为23-25%，理论转换效率上限为29.3%；而钙钛矿单结电池的实验室光电转化效率为25.7%，理论转换效率可以达到33%，钙钛矿叠层电池的理论转换效率更达到45%，具有较高的天花板。预计未来伴随钙钛矿技术的逐步成熟，钙钛矿电池的光电转换效率具备较高的提升空间。

表1：不同技术路线的光伏电池转换效率、量产技术成熟度及制造成本

技术路线	实验室最高转换效率	量产转换效率	量产技术成熟度	制造成本
晶硅	26.70%	23%-25%	非常成熟	低
铜铟镓硒	23.40%	16%-18%	成熟	高
碲化镉	22.10%	19%	成熟	高
砷化镓	29.10%	未量产	不成熟	极高
钙钛矿单结	25.70%	15%-18% (预计)	不成熟	低(预计)
钙钛矿/晶硅叠层	29.80%	27%-28%(预计)	不成熟	低（预计）

资料来源：微信公众号【高瓴时间】，光大证券研究所整理

1.2.2、成本端：产业链显著缩短，规模化降本效应显著

钙钛矿光伏产业链较晶硅光伏显著缩短，原材料到组件仅需45分钟。据协鑫纳米，100兆瓦的钙钛矿单一工厂，从玻璃、胶膜、靶材、化工原料进入，到组件成型，总共只需 45分钟。而对于晶硅来说，硅料、硅片、电池、组件需要四个以上不同工厂生产加工，一片组件完工大概需要三天以上的时间，用时差异大。

图8：钙钛矿产业链显著缩短，价值高度集中

资料来源：协鑫纳米，微信公众号【能镜】

从原材料视角，钙钛矿原材料丰富、材料用量少、纯度要求低。相比于晶硅问世至今材料未发生变化，钙钛矿的材料可以不断迭代。钙钛矿是直接带隙材料，吸光能力远高于晶硅，晶硅组件中硅片厚度通常为180 微米，而钙钛矿组件中钙钛矿层厚度大概是0.3微米，存在三个数量级的差异，因此，相比于全球每年大概50万吨的硅料产量，钙钛矿仅需大概1000吨即可满足需求。纯度要求方面，相比于硅料99.9999%的纯度要求，钙钛矿仅需95%即可满足使用要求。

钙钛矿在产能投资、单瓦能耗等方面均具有优势。产能投资方面，晶硅光伏的硅料、硅片、设备、组件加起来，约在10亿元/GW，而钙钛矿光伏的产能投资，在达到一定成熟度后，约为5亿元/GW，是晶硅光伏的1/2。单瓦能耗方面，晶硅光伏的最高工艺温度在1500 度以上，而钙钛矿光伏的最高工艺温度在150 度左右，因此，钙钛矿组件的制造能耗显著低于晶硅组件制造能耗，单晶硅光伏组件的能耗约是1.52KWh/W，而钙钛矿组件能耗仅为0.12KWh/W，约为晶硅组件制造能耗的1/10。

表2：不同技术光伏组件产线投资额情况

项目	硅基			铜铟镓硒	碲化镉	钙钛矿
	PERC	TOPCon	HJT
原材料	充足			稀有元素	稀有、剧毒元素	充足
能耗回收期	3.5年(生产能耗约1.52kWh/W)			2.3年	1.6年	0.17年(能耗0.12kWh/W)
硅料成本	3.45亿元/GW(1GW 对应3千吨硅料)
硅片成本	4亿元/GW
电池设备投资额	1.5~1.6亿元/GW	2~2.5亿元/GW	4亿元/GW	25亿元/GW(ManzTumkey整线造价）	50亿元/GW(Tumkey整线造价）	5亿元/GW(含原材料)
组件投资额	0.63亿元/GW
产线总投资额(含原料成本)	9.6亿元/GW	10~10.6亿元/GW	12亿元/GW
组件价格	1.51~1.6元/W	1.7~1.85元/W	1.85~2.2元/W	7-8元/W	4元/W	1元/W
2021年度电成本(均值)	0.35~0.4元/kWh		0.45~0.5元/kWh	0.7~1.4元/kWh(分布式)		0.3元/kWh(10年折旧),0.23元/kWh(20年折间
	20年折旧

资料来源：微信公众号【德沪涂膜设备】，《钙钛矿太阳能电池产能投资对比分析》，2022年8月

钙钛矿电池产线建设具备规模化降本优势。钙钛矿不同规模产能的成本差异较大，随着产线产能的提高，平均建设成本将显著降低。以纤纳光电为例，其目前运行的20MW产线投资额为5050万元，新建的100MW产线投资额为1.21亿元，产能提升至原先5倍，投资额仅提升至原投资额的2.4倍，产线建设总成本具备显著的规模化降本效应。

图9：纤纳光电20MW、100MW钙钛矿产线成本 (单位：万元)

资料来源：微信公众号【德沪涂膜设备】，《钙钛矿太阳能电池产能投资对比分析》，2022年8月，光大证券研究所绘制

1.3、政策推动产业化，多家公司陆续布局钙钛矿产能

国家出台多项政策推动钙钛矿光伏的研发及产业化进程。2021年11月，《“十四五”能源领域科技创新规划》将“研发大面积、高效率、高稳定性、环境友好型的钙钛矿电池，开展晶体硅/钙钛矿、钙钛矿/钙钛矿等高效叠层电池制备及产业化生产技术研究”列入重点任务之一。2022年6月，《科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2022一2030年）》提出坚持研发高效稳定钙钛矿电池等技术。2023年1月，《关于推动能源电子产业发展的指导意见》提出推动钙钛矿及叠层电池等先进技术的研发应用，提升规模化量产能力。

表3：钙钛矿发展的相关政策

政策名称	发文部门	发文时间	主要内容
《"十四五"能源领域科技创新规划》	能源局、科技部	2021年11月	研制基于溶液法与物理法的钙钛矿电池量产工艺制程设备，开发高可靠性组件级联与封装技术，研发大面积、高效率、高稳定性、环境友好型的钙钛矿电池；开展晶体硅/钙钛矿、钙钛矿/钙钛矿等高效叠层电池制备及产业化生产技术研究。
《科技支撑碳达峰碳中和实施方案 (2022-2030年)》交	科技部、发展改革委、工业和信息化部、生态环境部、住房城乡建设部、通运输部、中科院、工程院、能源局	2022年6月	坚持研发高效硅基光伏电池、高效稳定钙钛矿电池等技术。
《工业和信息化部等六部门关于推动能源电子产业发展的指导意见》	工信部、教育部、科技部、人民银行、银保监会、能源局	2023年1月	鼓励以企业为主导，开展面向市场和产业化应用的研发活动，扩大光伏发电系统等智能化多样化产品和服务供给。引导太阳能光伏、储能技术及产品各环节均衡发展，避免产能过剩、恶性竞争。发展先进高效的光伏产品及技术。加快智能光伏创新突破，发展高纯硅料、大尺寸硅片技术，支持高效低成本晶硅电池生产，推动N型高效电池、柔性薄膜电池、钙钛矿及叠层电池等先进技术的研发应用，提升规模化量产能力。

资料来源：各政府部门官网，光大证券研究所整理

多家企业发力布局钙钛矿产能建设。目前，钙钛矿产能规划活跃，参与者多为未上市公司，上市公司中，也有协鑫科技、奥联电子、杭萧钢构等旗下公司（分别为协鑫光电、奥联光能、合特光电）进行积极布局。目前，协鑫光电已建成全球首条100MW量产线，组件尺寸1m×2m。当前产线处于工艺开发和设备改造阶段，下线组件效率已实现稳步提升，预计2023年底实现18%以上的转化效率，有望成为全球首条跑通量产的100MW产线；纤纳光电多次蝉联钙钛矿小组件世界效率纪录榜首；极电光能150MW试验线已开始投产，是目前全球已投产且产能最大的钙钛矿光伏生产线。据我们不完全统计，截至2023年2月，现有企业规划的钙钛矿总产能已达28GW，2023年钙钛矿产能有望落地880MW，2024年有望落地超3GW。

图10：协鑫光电的1m×2m钙钛矿组件

注：该100MW钙钛矿光伏组件的组件面积为1m*2m，目标效率18%，是目前世界上面积最大的钙钛矿光伏组件，其具有超过25年的使用寿命，主要技术指标接近晶硅组件，且制造成本低至晶硅组件的70%资料来源：微信公众号【协鑫光电】

表4：国内企业钙钛矿光伏产能规划及进展 (截至2023年2月)

企业名称项	目地点	项目名称	规划产能	投资额 (亿元)	项目进展	2023E(MW)	2024E(MW)
协鑫光电	江苏昆山	100 MW 大尺寸钙钛矿组件产线	100MW	2+5	2020年开始建设100MW（1*2m）钙钛矿组件量产线，2021年12月开始试生产，2022年中实现产能释放。目前处于工艺开发和设备改造阶段。	100	100
纤纳光电	浙江衢州	衢州纤纳新能源科技有限公司生产基地项目	5GW	54.6	2022年年初建成100MW规模化产线，并于2022年7月实现5000片α组件的顺利出货。目前处于钙钛矿前沿技术开发和GW级产线扩建阶段。	100	100
极电光能	江苏锡山	150MW试制线	6GW	>50	2022年12月150MW钙钛矿产线在锡山经济技术开发区正式投产。同时公司计划于2023年初开始投入超过50 亿建设 6GW的产能，第一期1GW 将在2024年达产，到2025年6GW产线全部达产。	150	1150
无限光能	-	大尺寸钙钛矿太阳能电池模组试验线	100MW		公司现已建成10MW级钙钛矿太阳能电池试验线，规划将于2023年底建成100MW级中试线，并计划在2024 年实现钙钛矿太阳能电池的商业化量产。	10	110
仁烁光能	江苏苏州	10MW中试产线	10MW		2022年9月已投入使用。	10	10
仁烁光能	江苏苏州	150MW钙钛矿组件量产线	150MW		2022年底设计工作已完成，预计在2023年Q3投产，2024年量产。	150	150
万度光能	湖北鄂州	200MW 钙钛矿光伏组件大试线示范项目	10GW	60	2021年5月签约，9月开始施工。第一期建设一条200MW级可印刷介观钙钛矿太阳能电池大试线落地，成功后拟扩充至10GW产能。22年11月一期厂房的土建和内部装修已完成，配电房、泵房等配套基础工程均已全部完工并已投入使用，产品生产设备正陆续进场和调试。	200	200
万度光能	湖北鄂州	2000MW钙钛矿光伏组件研发及制造生产基地项目	2000MW	10	2023年1月开工，分三期建设，全部建成达产后可实现年产2000MW以上太阳能电池。	1	1
大正微纳	江苏	10MW柔性钙钛矿光伏组件产线	100MW	0.8+2	2022年7月实现量产，到2023年将投入2亿元，将产能提高至100MW。	100	100
合特光电	：	首条异质结/钙钛矿叠层电池中试线	-	：	2022年底投产。	：	：
鑫磊半导	甘肃金昌	年产1GW钙钛矿薄膜光伏组件生产基地项目	1GW	10.36	2022H2开工，分两期建设。一期主要建设四栋生产厂房及研发中心办公楼、展示中心楼及相关基础设施；期主要建设剩余生产厂房及部分配套设施。	、	1000
锦能新能	湖南常德	钙钛矿铜铟镓硒叠层电池全产业链项目	1	20	2021年11月签约。	-	：
锦能新能	江苏泰州	年产1.45GW钙钛矿叠层电池项目	1.45GW	5.5	2023Q1开工，分三期建设。一期拟建设年产能150MW的铜铟镓硒薄膜太阳能电池和钙钛矿铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池中试线；二、三期拟分别建设年产能300MW、1GW 的钙钛矿铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池生产线。	-	150
奥联光能	=		2GW		计划2023年50MW钙钛矿中试线投产，2024年120MW 钙钛矿电池组件生产线投产，力争5年内形成 2GW 钙钛矿电池组件生产能力。	50	170
光晶能源		100MW中试线	100MW		已建成30cm×30cm组件10MW小试线，计划于2023年投建 60cm×120 cm组件100 MW中试线，2024年实现100MW产线量产的目标。	10	110
合计			28.01GW			880MW	3.35GW

资料来源：各公司官方微信号等，光大证券研究所整理
注：鑫磊半导金昌项目、锦能新能泰州项目2024年产能为光大证券研究所预测值。

2、靶材：钙钛矿靶材占比提升，国产化价值凸显

2.1、靶材：泛半导体领域制备功能薄膜的核心原材料

靶材是半导体、显示面板、光伏等领域制备功能薄膜的核心原材料，具备十分重要的作用。靶材，又称“溅射靶材”，是在溅射过程中被高速金属等离子体流轰击的目标材料，纯度为99.95%以上，更换不同靶材可得到不同的膜系，从而实现导电或阻挡等功能。

图11：溅射工艺原理图

资料来源：江丰电子招股说明书

溅射工艺原理介绍：一般来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。

表5：靶材的分类介绍

分类标准	产品类别
按形状分类	长靶、方靶、圆靶、管靶
按化学成份分类	金属靶材(纯金属钼、铝、钛、铜、钼等)、合金靶材(钼锯合金、钼钛合金、钼钽合金、镍铬合金、镍钴合金等)、陶瓷化合物靶材 (氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)
按应用领域分类	半导体芯片靶材、平面显示器靶材、太阳能电池靶材、信息存储靶材、工具改性靶材、电子器件靶材、其他靶材

资料来源：隆华科技公告

表6：不同应用领域的靶材介绍

应用领域	金属材料	主要用途	性能要求
半导体芯片	超高纯度铝、钛、铜、钼等	制备集成电路的关键原技材料	术要求最高、超高纯度金属、高精度尺寸、高集成度
平面显示器	高纯度铝、铜、钼等，掺锡氧高化铟(ITO)	清晰电视、笔记本电脑技等	术要求高、高纯度材料、材料面积大、均匀性程度高
太阳能电池	高纯度铝、铜、钼、铬等,ITO薄	膜太阳能电池	技术要求高、应用范围大
信息存储	铬基、钴基合金等	光驱、光盘等	高储存密度、高传输速度
工具改性	纯金属铬、铬铝合金等	工具、模具等表面强化	性能要求较高、使用寿命延长
电子器件	镍铬合金、铬硅合金等	薄膜电阻、薄膜电容	要求电子器件尺寸小、稳定性好、电阻温度系数小
其他领域	纯金属铬、钛、镍等	装饰镀膜、玻璃镀膜等	技术要求一般，主要用于装饰、节能等

资料来源：隆华科技公告

面板及光伏领域的靶材，对比半导体有不同的高标准。半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。而对比半导体芯片，面板及光伏领域对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，面板及光伏对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。

2.2、钙钛矿电池中靶材成本占比显著提升，价值凸显

钙钛矿光伏成本中靶材成本占比显著提升，协鑫光电100MW项目中靶材成本占比高达37.2%。在新一代晶硅光伏技术中，HJT 技术路线因导电性问题，新引入了透明导电薄膜（TCO），TCO 膜的制备通常使用ITO（氧化铟锡），需要使用稀有金属铟，而铟是伴生矿，产量弹性小、价格高，因此HJT技术路线在晶硅光伏中靶材成本占比相对较高。据前瞻产业研究院，2018年，HJT电池成本构成中，靶材成本占比约为4%。然而，相较晶硅技术路线，钙钛矿技术路线因无硅料成本，且生产温度低、能耗成本下降等因素，靶材成本占比进一步大幅提升。根据协鑫纳米公布的其100MV钙钛矿组件成本构成，总成本约为0.94元/W，其中靶材价值量占比高达37.2%；其次为玻璃及封装材料，占比31.9%。

图12：2018年HJT电池成本构成

资料来源：前瞻产业研究院，光大证券研究所

图13：协鑫纳米100MW钙钛矿组件成本拆分

资料来源：微信公众号【德沪涂膜设备】，《钙钛矿太阳能电池产能投资对比分析》，2022年8月，光大证券研究所绘制

钙钛矿电池制作工序中，ITO导电玻璃、空穴传输层、电子传输层、金属背电极的制作均会用到各类靶材。

图14：钙钛矿电池制作工序、制备工艺及生产设备

资料来源：微信公众号【材新社】

其中，涉及靶材的主要工序及材料情况如下：

1）TCO 玻璃：透明导电氧化物镀膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)玻璃,是在平板玻璃表面通过物理或者是化学镀膜的方法均匀镀上一层透明导电氧化物薄膜，主要包括铟（In）、锡（Sn）、锌（Zn）和镉（Cd）氧化物及其复合多元氧化物薄膜。按膜层成分来分，TCO玻璃可分为ITO-TCO玻璃、掺杂氟的二氧化锡（FTO-TCO）玻璃、掺铝氧化锌透明导电膜（AZO-TCO）玻璃。

图15：TCO玻璃类别及性能对比

TCO类别	ITO	FTO	ZnO(AZO、GZO、BZO等）
材料组成	InO3	SnO2	ZnO
掺杂材料	Sn4	F-,Sb5+	Al,Ga³,Ba³,F
能隙/eV	3.5~4.0	3.8~4.0	3.3~4.6
迁移率/(cm²/Vs)	95~130	18~31	28~120
载流子浓度/cm-3	1.1 × 10² ~ 1.4 × 10²	2.7 × 102°~1.2 × 10²l	1.1 × 102°~ 1.1 × 10²
电阻率/(Ω·cm)	4.4 × 10-5 ~2 × 10-4	7.5 × 10- ~ 7.5 × 10-	6.5 × 10-5 ~5.1 × 10-4
导电率		FTO<ZnO<IT0
等离子体频率		FTO<Zn0<ITO
热稳定性		ZnO<FTO
最低成膜温度		IT0<Zn0<FT0
化学耐久性		ZnO<ITO<FT0
氢等离子体中的稳定性		FTO<ZnO
硬度		Zn0<ITO<FTO
毒性		Zn<Sn<In
原料成本		Zn<Sn<In
制程成本		APCVD<真空蒸镀<磁控溅镀<LPCVD<溶胶-凝胶<PLD

注：GZ0为掺金的氧化锌；BZO为掺钡的氧化锌；APCVD为常压化学气相沉积法：LVCVD为低压化学气相沉积法：PLD为脉冲激光沉积法。资料来源：王恩忠、王振雷，《透明导电氧化物镀膜玻璃的光伏应用前景》，《新材料产业》2011年12期

2）空穴传输层（HTL）：常用的制备工艺为溅射PVD、蒸镀 PVD 或刮涂法。氧化镍材料常选用PVD法，PTAA等有机物常使用刮涂制备或喷雾热解法制备。

空穴传输层被用于增强钙钛矿层的空穴传输效率，并充当水分和金属离子屏障以缓解钙钛矿材料的降解。常用的空穴传输材料主要为有机小分子、有机导电高分子共轭聚合物和无机半导体三类，其中无机半导体中的氧化镍由于价格低廉而被产业端广泛应用。

表7：钙钛矿电池空穴传输层材料简介

材料类型	空穴传输材料	材料特性
有机小分子材料	Spiro-OMeTAD及其改性材料	可使电池达到较高的光电转换效率，但制备困难且昂贵
有机导电高分子共轭聚合物	PEDOT:PSS、PTAA、P3HT （主流)	具有较好的成模性和迁移率
无机半导体	Cul、CuSCN、CuOx、NiOx、VOx	较高的电荷迁移率、较好的化学稳定性且制备成本低廉

资料来源：微信公众号【材新社】

3）电子传输层（ETL）：若选择有机材料会使用蒸镀工艺，若选择金属氧化物作为电子传输层则常选用气相沉积。

电子传输材料与钙钛矿光敏层的电子选择性接触对提高光电转化效率具有重要作用。常用的电子传输层材料包括无机氧化物（TiO2、ZnO、SnO2）和富勒烯及其衍生物，其中无机材料常被用于正式电池结构，有机材料常被用于反式电池结构。目前，产业端多使用SnO2及富勒烯作为电子传输层材料。

表8：钙钛矿电池电子传输层材料简介

材料种类	材料	适用电池体系	材料特点
无机材料	TiO2	正式电池结构	研究最早、技术最为成熟
	ZnO	反式电池结构	更高的电子迁移率和更低的成本
	SnO2	正/反式电池结构	电子迁移率更快、禁带宽度更宽、兼具紫外光稳定性和空气稳定性、目前研究较多
有机材料	富勒烯及其衍生物等	反式电池结构	能大幅提高所制备太阳能电池的光电转换效率和电池器件稳定性

资料来源：微信公众号【材新社】

2.3、全球靶材处于外资垄断，国产化成果初显

靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用四大环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。

图16：靶材产业链四大环节介绍

资料来源：江丰电子招股说明书

靶材制造工艺主要包括熔炼铸造法和粉末烧结法。其中，常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等;常用的粉末冶金工艺包括热压、真空热压和热等静压（HIP）等。两种工艺都有着各自的优缺点。

表9：两种靶材制造工艺的优劣对比

工艺	流程	常用方法	优点	缺点
熔炼铸造法	将一定成分配比的合金原料熔炼，再将合金熔液浇注于模具真中，形成铸锭，最后经机械加真工制成靶材	真空感应熔炼、空电弧熔炼和空电子轰击熔低炼	靶材杂质含量（特别对是气体杂质含量）种，密度高，可大型法化	熔点和密度相差较大的两或两种以上金属，普通熔炼难以获得成分均匀的合金靶材
粉末冶金法	将一定成分配比的原料粉末经等静压成型，再高温烧热结，最后经机械加工形成靶材	冷压-烧结、真空压和热等静压等	晶粒细小、靶材成分均匀	密度低，杂质含量高等

资料来源：隆华科技公告

全球靶材市场处于外资寡头垄断的格局。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度高，以霍尼韦尔(美国)、日矿金属（日本）、东曹（日本）等为代表。这些企业，经过几十年的技术积淀，凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市场的主导地位，占据绝大部分销售市场份额。

图17：全球靶材销售市场的主要份额

资料来源：隆华科技可转债募集说明书 (2021年7月)

突破技术垄断，我国靶材产业国产化取得巨大进展。近年来，受益于国家从战略高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现专业从事溅射靶材研发和生产的企业。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了长足的进步，目前已经改变了溅射靶材长期依赖进口的不利局面。其中，国产高纯金属钼靶材、ITO靶材已实现技术突破，依靠国内原材料高纯钼粉、高纯铟等既有资源优势，已经具备相对有竞争力的产业优势。

3、投资建议

钙钛矿作为第三代光伏技术，具备光电转换效率天花板高、规模化降本的双重优势，前景广阔，而靶材在其成本中的占比较传统晶硅光伏显著提升，且处于外资寡头垄断中，国产化价值凸显。建议关注：隆华科技、阿石创。

3.1、隆华科技：靶材国产化先行者

成功转型为新材料平台型公司。隆华科技的传统业务以节能环保产业为主，2015年起正式启动转型升级，全力布局新材料产业。目前公司在新材料领域的产业布局基本完善，已经形成了“电子新材料”+“高分子复合材料”的两大产业板块。

图18：隆华科技的三大产业布局

资料来源：隆华科技公告，光大证券研究所绘制

全资子公司丰联科光电率先打破高端靶材海外垄断，光伏靶材通过隆基等客户认证。2022年6月，公司全资子公司四丰电子与晶联光电进行了资产整合，设立“丰联科光电（洛阳）股份有限公司”。丰联科光电拥有丰富的靶材产品系列组合，研发生产的高纯钼及钼合金靶材、ITO靶材、银合金靶材等科技产品，填补了中国在相关领域的技术空白，率先打破长期以来高端靶材依赖进口的局面。显示面板领域，公司成功进入京东方、TCL华星、天马微电子、韩国LGD、台湾群创光电及友达光电等多家国际一流半导体显示面板企业的产品供应链，成为细分行业的技术引领者和标准制定者。光伏领域，公司开发的特殊比例光伏靶材已通过隆基等客户的认证，并同时进行着多种新型靶材的研究、开发及拓展工作。随着在不同用户端测试认证的增加和自身产能的快速提升,未来靶材出货量有望同步快速增长。

图19：四丰电子的钼靶材产品 (G5代线宽幅)

资料来源：隆华科技官方网站

图20：晶联光电的ITO靶材产品 (G5代线)

资料来源：隆华科技官方网站

丰联科光电主要产品包括TFT-LCD/AMOLED、半导体IC制造用高纯溅射靶材、高纯钼/铜/钛、钼合金靶材、ITO 靶材、IGZO 靶材、银合金靶材等系列靶材产品，以及钼顶头、钨籽晶绳、钼薄片、钨薄片等系列非靶材钨钼深加工制品，可广泛应用于半导体显示、半导体集成电路、光伏、新能源电池及真空炉制造等多个领域。

钙钛矿光伏领域，公司靶材产品可应用于钙钛矿电池的TCO层、空穴传输层和电子传输层。伴随公司在光伏领域业务不断延伸，以及产业内钙钛矿产能的逐步落地，公司钙钛矿靶材出货量有望逐步增加。

表10：丰联科靶材产品主要用途和功能

产品	主要用途和功能
钼靶材	钼具有优良的电导性和热稳定性，钼靶材主要用于TFT的栅极、源极和漏极金属电极。
钼合金靶材	TFT-LCD用大尺寸钼锯合金靶材、钼钛合金靶材等，应用于铜制程工艺。
钼顶头	主要用于不锈钢、钎钢、轴承钢和高温合金钢等无缝钢管的穿孔工作，用于不同材质的无缝管在高温恶劣环境下的热轧穿孔工作。
钨靶材	主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油等领域。
铜靶材	TFT-LCD制备过程中，由于铜的导电性能优于铝，可在较小的面积上承载较大的电流，能更好地满足大尺寸液晶显示器高驱动频率，高分辨率等技术要求。铜靶材主要应用于TFT的栅极和源漏电极的导线制备，替代传统铝导线。此外，铜靶也广泛应用于薄膜太阳能器件的制备。
钼制品	钼螺丝/杆、钼坩蜗、钼舟、钼板及钼重锤等，广泛应用于核工业、航空航天、高温炉及单晶硅等行业。
钨制品	包括钨销、钨柑锅、钨板、钨籽晶绳、MOCVD钨制中圈加热器等，广泛应用于核工业、航空航天、高温炉及单晶硅等行业。
钛靶材	4N 钛靶，广泛用于TFT-LCD 阻隔层制备。
其他类制品	包括锯靶、蓝宝石热场配件、4J29/4J32/4J36合金钢等。
ITO粉末	包括氧化铟粉末、蓝色ITO粉末、不同比例ITO 粉末等。
ITO靶材	包括不同比例ITO旋转靶、大尺寸ITO平面靶材以及ITO低密度小圆片等，广泛应用于TFT-LCD/AMOLED器件、HIT光伏器件等TCO 膜层制备。
IGZO靶材/ZTO靶材	新型氧化物有源层材料，用于高性能TFT器件制备。
银合金靶材	AMOLED 阳极材料
靶材绑定	采用钎焊技术进行靶材绑定加工，产品包括TFT显示面板行业用系列靶材绑定 (G2.5-G11)、半导体及光伏行业用系列靶材绑定、平面靶材绑定产品、旋转靶材绑定产品。

资料来源：隆华科技公告，光大证券研究所

风险提示：行业竞争加剧风险，光伏新技术产业化不及预期风险，募投项目建设进展不及预期风险。

3.2、阿石创：国内 PVD 镀膜材料龙头

国内PVD镀膜材料领域的龙头。阿石创成立于2002年，总部位于福建福州。公司从事PVD镀膜材料的研发、生产与销售，自主研发200多款高端镀膜材料，主要产品包括ITO、钼、铜、铝、硅、钛、钽及各类合金与稀有金属靶材。公司为国内 PVD 镀膜材料行业设备齐全、技术先进、产品多元化的龙头企业之一。公司产品下游覆盖光学、光伏、半导体、平板显示等多个领域，客户包括京东方、华星光电、水晶光电、舜宇光学、群创光电等一线龙头企业。

公司在钙钛矿介孔层、致密层靶材环节已有成熟产品。ITO靶材被列为35项“卡脖子”技术之一，技术门槛极高，国内市场长期为日韩企业所垄断。公司对于ITO靶材研发布局多年，2017年ITO靶材量产线投产。光伏异质结领域，公司积极推动ITO靶材的扩产与验证。钙钛矿电池领域，在基础的介孔层、致密层用靶材环节，如TiO2等，公司已有成熟产品。

风险提示：技术失密和人才流失风险，光伏新技术产业化不及预期风险，PET铜箔业务量产进度不及预期风险。

4、风险分析

1、技术进展不达预期风险。钙钛矿光伏作为先进的第三代光伏技术，当前仍面临大面积制备、稳定性、环保等多方面的问题需要解决，存在技术进展不达预期的风险。

2、产业化建设不及预期风险。据我们统计，当前行内企业规划钙钛矿产能近30GW，这些产能当前大部分尚未建成，若受到技术、资金、政策等因素制约，则存在产能落地进度推进不及预期的风险，进而影响相关靶材的需求。

3、技术替代风险。尽管钙钛矿光伏在光电转换效率、规模化降本等方面具备优势，但其仍未发展成熟，当前光伏产业领域技术研发日新月异，钙钛矿光伏技术路线存在被其他先进技术赶超或替代的风险。

行业及公司评级体系

说明
	评级买入	未来6-12个月的投资收益率领先市场基准指数15%以上
行业及公司评级	增持	未来6-12个月的投资收益率领先市场基准指数5%至15%;
	中性	未来6-12个月的投资收益率与市场基准指数的变动幅度相差-5%至5%;
	减持	未来6-12个月的投资收益率落后市场基准指数5%至15%;
	卖出	未来6-12个月的投资收益率落后市场基准指数15%以上;
	无评级	因无法获取必要的资料，或者公司面临无法预见结果的重大不确定性事件，或者其他原因，致使无法给出明确的投资评级。
	基准指数说明：	A股主板基准为沪深300指数；中小盘基准为中小板指；创业板基准为创业板指；新三板基准为新三板指数；港股基准指数为恒生指数。

分析、估值方法的局限性说明

本报告所包含的分析基于各种假设，不同假设可能导致分析结果出现重大不同。本报告采用的各种估值方法及模型均有其局限性，估值结果不保证所涉及证券能够在该价格交易。

分析师声明

本报告署名分析师具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并注册为证券分析师，以勤勉的职业态度、专业审慎的研究方法，使用合法合规的信息，独立、客观地出具本报告，并对本报告的内容和观点负责。负责准备以及撰写本报告的所有研究人员在此保证，本研究报告中任何关于发行商或证券所发表的观点均如实反映研究人员的个人观点。研究人员获取报酬的评判因素包括研究的质量和准确性、客户反馈、竞争性因素以及光大证券股份有限公司的整体收益。所有研究人员保证他们报酬的任何一部分不曾与，不与，也将不会与本报告中具体的推荐意见或观点有直接或间接的联系。

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行业研究

钙钛矿产业化风渐起，靶材国产化价值显现——钙钛矿光伏靶材行业深度报告

要点

作者

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投资聚焦

我们区别于市场的观点

股价上涨的催化因素

投资观点

目 录

图目录

表目录

1、 钙钛矿强势崛起，高效率+低成本引领变革

1.1、 钙钛矿：极具潜力的新一代光伏技术

1.2、 优势：光电转换效率天花板高+规模化降本

1.2.1、光电转换效率：相对晶硅光伏，具备更高天花板

1.2.2、成本端：产业链显著缩短，规模化降本效应显著

1.3、 政策推动产业化，多家公司陆续布局钙钛矿产能

2、靶材：钙钛矿靶材占比提升，国产化价值凸显

2.1、 靶材：泛半导体领域制备功能薄膜的核心原材料

2.2、 钙钛矿电池中靶材成本占比显著提升，价值凸显

2.3、 全球靶材处于外资垄断，国产化成果初显

3、投资建议

3.1、 隆华科技：靶材国产化先行者

3.2、 阿石创：国内 PVD 镀膜材料龙头

4、风险分析

行业及公司评级体系

分析、估值方法的局限性说明

分析师声明

法律主体声明

特别声明

目录

1、钙钛矿强势崛起，高效率+低成本引领变革

1.1、钙钛矿：极具潜力的新一代光伏技术

1.2、优势：光电转换效率天花板高+规模化降本

1.3、政策推动产业化，多家公司陆续布局钙钛矿产能

2.1、靶材：泛半导体领域制备功能薄膜的核心原材料

2.2、钙钛矿电池中靶材成本占比显著提升，价值凸显

2.3、全球靶材处于外资垄断，国产化成果初显

3.1、隆华科技：靶材国产化先行者

3.2、阿石创：国内 PVD 镀膜材料龙头

光大证券-钙钛矿光伏靶材行业深度报告：钙钛矿产业化风渐起，靶材国产化价值显现-230218.pdf