半导体国产替代产业研究体系-上

国产替代系列研究（一）

金元证券分析师：王炤杰 S1450518060001

联系方式：0755-21515567

行业评级：增持

一、国产替代：我国半导体产业快速发展的核心驱动力
二、设备：受益于国产替代与晶圆扩产双重提振
三、零部件：影响设备性能的瓶颈环节
四、材料：国产渗透率持续提升，爆发力弱持续性强
五、制造与封测：高端仍受制于设备瓶颈，加速从“可用”向“最优”升级

1.1国产化替代：我国半导体产业快速发展的核心驱动力

》半导体的海外市场和国内市场规律各不相同，海外市场半导体是一个成熟的周期成长行业，国内市场还处于快速发展的中前期成长阶段。

●设备零部件材料：最为卡脖子的瓶颈环节，直接决定产业链的战略安全

晶圆制造/封测：先进制程和先进封装是第一驱动力

）芯片：中低端消费类芯片逐步进入红海，大芯片刚刚崭露头角

，工具软件：EDA工具、IP授权等也会影响先进芯片的生产效率

1.2半导体产业链全景

上游材料

硅晶圆、靶材、CMP抛光材料、光刻胶、湿电子化学品、电子特种气体、光罩.

硅晶园	CMP抛光材料	电子特种气体	光刻胶
日本信越	捎光垂：	空气化工	日本JSR
日本胜高	陶氏化学	普莱克斯	信越化学
环球晶圆	Cabot	林德集团	日本TOK
德国世创	Thomas West	液化空气	陶氏化学
LG SiItron	富士纺	日本大阳日	苏州瑞红
法国Soitec	日本JSR	酸株式会社	北京科华
台湾合晶	抛光液：	中船重工
Okmetic	日本Fujimi	南大光电
台湾嘉晶	Hinomoto	上海至纯
上海新昇	Kenmazai	靶材	光罩
重庆超硅	美国卡博特	JX日矿金属	Photronics
宁夏银和	杜邦	霍尼韦尔	日本DNP
天津中环	Rodel	东曹	Toppan
浙江金瑞泓	Eka	普莱克斯	路维光电
郑洲合晶	韩国ACE	江丰电子	菲利华
北京奕斯伟	安集微电子	有研新材	湿电子化学品
	首骋新材料		江化微电子
	果龙股份		晶瑞股份

单晶炉、氧化炉、
PVD、PECVD、MOCVD、
湿制程设备、光刻机、
涂胶显影剂、检测设备、干法刻蚀机、CMP。引线缝合机..

上游设备

IG设计	IC制造	IC封测
高道	台湾台积电	台湾日月光
英伟达	美国格罗方德	美国安堂
联发科	台湾联华电子	江苏长电科技
超威	韩国三星	矽品科技
赛灵思	上海中芯国际	台湾力成科技
美满电子	台湾力晶科技	甘肃天水华天
联咏科技	Tower Jazz	江苏南通通
瑞昱半导体	台湾Vanguard	富微电子
新思半导体	上海华虹宏力	台湾京元电子
	日本富士通	联测
	美国英特尔	台湾南茂科技
	无锡SK海力士	新加坡联合科技
	长江存储科技	台湾顶邦科技
	上海ASMC	江苏南通富士通微电子
	华海上华科技	韩国Nepes
	上海华力微电子	马来西亚Unisem
		苏州晶方半导体科技
		深圳气派科技
		无锡华洞安盛
		广东风华芯电

2.1半导体设备：受益于国产替代与晶圆扩产双重提振

》全球芯片设备市场持续增长，不断刷新销售记录

√国际半导体产业协会（SEMI）最新报告显示，2024年全球芯片设备销售额预计增长6.5%至1130亿美元，创历史新高。这一数据较此前预测有所上调，主要得益于中国大陆及AI相关领域的投资超预期。2025年和2026年全球芯片设备销售额将分别增长7%和15达到1210亿美元和1390亿美元，连续三年刷新纪录。

》中国大陆投资表现亮眼，国产设备占比超过一半

√ 2024年全球DRAM/HBM相关设备投资同比增长35%，其中HBM设备支出占比首次突破25%，中国大陆市场的设备采购额预计将达到490亿美元，占全球份额32%，进一步巩固其全球领先地位。SEMI指出，至2026年，中国大陆、中国台湾和中国有望继续保持全球芯片设备采购额前三的位置。国产设备占比首次突破50%，在刻蚀、清洗、去胶、CMP等领域国产化率超50%，但光刻设备仍依赖进口。

》国内晶圆厂扩产占比提升，中国大陆通过成熟制程扩产快速提升全球份额

√2024年中国大陆晶圆厂月产能达860万片，同比增长13%，占全球总量的28%。2025年预计月产能进一步增长14%至1010万片，占全球成熟制程产能的25%以上。TrendForce预测，2027年中国大陆成熟制程产能占比将升至39%，成为全球最大供应区域。长期看，政策与新兴需求仍是增长核心。

·2015-2024年全球半导体设备市场规模及增速（亿美元)

· 2015-2024年中国半导体设备市场规模及增速（亿美元)

●2016-2024年12英寸Fab厂设备支出（百万美元）

2.2前道工艺设备：晶圆制造核心环节的关键技术装备

》半导体制造分为前道晶圆制造、以及后道的封装测试，其中晶圆制造分为氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、机械抛光、晶圆检测等工序。

》前道设备在半导体设备中占比约88.30%，其中光刻、刻蚀、薄膜沉积是占比较高的三类设备。壁垒最高的是光刻机，其次是量测设备、涂胶显影等设备。

全球半导体设备市场结构

·半导体前道设备市场结构

·半导体前道设备流程及对应设备

2.3半导体设备竞争格局

光刻机

ASML技术垄断高端EUV和ArF沉浸式光刻机，2024年全球光刻机出货额占比82%，EUV需求爆发（2nm以下制程）及High-NA EUV量产，High-NA EUV将垄断2nm以下市场，但美国出口管制限制其对中国供货。

Nikon和Canon转往中低端市场与面板市场，2024年全球光刻机出货额合计占比14%，份额进一步下降；

国产厂商上海微电子（SMEE）在国内中低端应用领域持续突破，90nmDUV光刻机国内市占率提升，计划2026年推出28nm DUV，目标覆盖国内70%成熟制程需求。

刻蚀设备

》LAM刻蚀设备技术水平全球领先，2024E市场份额接近50%左右；AMAT和TEL凭借在CVD和PVD的产品组合优势紧追在后，2024年预AMAT测全球市场份额分别为22%、24%; 22%

公司

型号

曝光方式

最小分辨率(mm)

曝光光源

最大数值孔径

图片尺寸（mm）

套刻精度（m）产

出率（片/h）

ASMLPP

NEX3300B

EUV曝光

<22

EUV13.5m

0.33

125

NXT1980Di

双台浸没式步进扫描曝光

<33

ArF准分子激光器193nm

1.35

<1.6

275

NXT1950i

<38

1.35

<2.5

175

XT1450H

双台干式步进扫描曝光

<65

0.93

300

162

XT1000K

<80

KrF准分子激光器248mm

0.93

180

XT860K

<110

0.8

<12

210

XT400K

<350

高压汞等光源365nm

0.65

<35

220

PAS5500/1150C

单台步进扫描曝光

<90

ArF准分子激光器193nm

0.75

200

<12

135

AS5500/850D

<110

KrF准分子激光器248mm

0.8

<15

145

AS5500/450F

<220

高压汞等光源365nm

0.65

<25

150

NNikonN

NSR-S631E

浸没式步进扫描曝光

<38

ArF准分子激光器193nm

1.35

200、300

<1.7

270

SR-S621D

<65

KrF准分子激光器248nm

0.92

200

SR-S322F

步进扫描曝光

<110

KrF准分子激光器248mm

0.86

230

NSR-S210D

<110

KrF准分子激光器248mm

0.86

176

Canon F

PA-6300ES6a

步进扫描曝光

<90

KrF准分子激光器248mm

0.86

200\300

200

S SMEE SS

SA600/20

步进扫描曝光

<90

ArF准分子激光器193nm

0.75

SM0<15nmMO<25nm

SC600/10

步进扫描曝光

<110

KrF准分子激光器248nm

200\300

一

SB600/10

步进扫描曝光

<280

高压汞等光源365nm

一

SM0<15nmMM0<25nm

V 国内厂家主要为中微公司与北方华创，分别于介质和导体刻蚀接近国际水平，技术节点达5nm和14nm。中微公司介质刻蚀设备已经打入台积电7nm/5nm产线，是唯一进入台积电产线的国产刻蚀设备厂商；北方华创14nm导体刻蚀设备已经通过ICRD认证，正在中芯国际14nm产线认证中。

项目	应用领域关	键尺寸	珂姆研究	东京电子	中微公司北	方华创
导体刻蚀	槽刻蚀		√	L	√
	栅极					√
	接通孔		√	√		√
	平面		√	√
	容器条
	金属栅膜		√	√
		28nm-14nm	已量产	已量产	已量产	已量产
		14nm-7nm	已量产	已量产	客户验证中	客户验证中
		7nm-5nm	已量产	已量产	研发中	研发中
介质刻蚀	通孔		√	√
	接触孔
	侧墙			√
		28nm-14nm	已量产	已量产	已量产
		7nm	客户验证中	客户验证中	客户验证中
		5nm	客户验证中	客户验证中	客户验证中
		3nm	研发中	研发中	研发中
原子刻蚀	精密结构	14nm以下	已量产	已量产

2.4半导体设备细分品类产业格局

CVD设备

AMAT、LAM、TEL三大厂商占据90%-92%的全球市场份额，国内CVD设备供应商有沈阳拓荆、北方华创、中微公司等；

沈阳拓荆是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD和SACVD设备厂商，技术节点已经达到14nm，进入中芯国际14nm产线验证，2024年国内市占率升至18%；北方华创CVD设备主要用于8寸晶圆厂，中微公司CVD设备主要用于LED芯片制备。

离子注入设备

PVD设备

AMAT具备全方位薄膜沉积设备的解决方案，凭借产品组合的协同优势占据市场份额第一，2024年达到65%，Uicaca和Evatec合计约12%;

》国内厂商中北方华创领先，是国内唯一供应14nm PVD设备厂商，中芯国际验证中，2024年国产化率15%

CMP设备

AMAT凭借在薄膜沉积工艺的技术基础形成半导体表面处理技术平台，掌握CMP研磨的技术优势，2024年全球市场份额约为68%，EBARA约为28%，TEL不足2%；

》国内领先厂家为华海清科，长江存储2024年招标占比30%，14nmCMP设备通过长鑫验证，国内份额突破25%

2.4半导体设备细分品类产业格局

炉式设备

》AMAT技术全球领先，首创RTP形成32/28nm的热处理技术平台，全球市场份额46%，TEL、KE分别占21%、15%;18% 国内目前主要的炉式设备以炉管销售为主，北方华创炉管设备产品线齐全，已经实现大规模量产，屹唐股份通过收购Mattson拓展热处理设备业务，未来潜力较日站国际■其他

量测设备

清洗设备

》SCREEN清洗设备产品应用领域涵括半导体和各种精密工业制造的清洗解决方案，是全球的清洗技术领航者，市场份额51%，LAM、TEL分别为17.6%、16.6%;

国内主要包含盛美、至纯以及北方华创，其中盛美产品已经在中芯国际、长江存储、华虹集团等国内28nm厂商.49%实现量产，14nm先进制程也在验证中。至纯科技产品实现了28nm制程的全覆盖，客户主要以中芯、ICRD等为主。

》KLA量测技术全球领先，已经形成从检测到制程提升的完整解决方案，2020年全球市场份额63.3%，AMAT与日立次之，分别为15.2%、7%；

》国产方面，多家国内厂家于细分赛道发力，均成功量产了细分领域的量测设备。上海睿励专注于集成电路用光学检测设备研发，介质薄膜检测技术国内领先，产品已经打入三星的先进制程存储芯片产线；中科飞测、精测电子基于自身后道封测设备基础，拓展业务到
% 前道量测设备，其中精测电子已经开始进入收获期，量测设备业务逐步增长。

2.5半导体设备全球龙头1一平台型龙头应用材料(AMAT.O)

》应用材料(AMAT.0)成立于1967年，是全球半导体和显示设备领域的领军者。公司自1992年成为全球最大的半导体设备制造厂商以来，一直在电子产业的发展演变中发挥着至关重要的作用。1970 财年公司主营业务收入为 730 万美元，1972 年上市时为 630万美元。截至 2023 财年，公司的主营业务已达 265 亿美元，比上市时增长 4000 多倍。

》应用材料通过并购扩展业务，增强市场竞争力。从1997年至2013年，半导体行业经历了剧烈的震荡期。在干禧年前，PC应用的爆发式增长推动了行业的繁荣，但在2001年互联网泡沫破裂后，行业陷入低迷。随后，智能手机的普及和经济危机使半导体行业呈现周期性波动。尽管面临不确定性，应用材料公司在此期间选择进行外延扩张，转型为“半导体设备超市”。1997年，公司收购了以色列的 OpalTechnologies(高速计量系统)和 Orbot Instruments(成品率系统)并逐步扩展了 CMP、晶圆检测、清洗、薄膜沉积和离子注入等业务。2007年，公司收购了HCT，帮助客户降低光伏电池制造成本，拓展了光伏电源业务。

应用材料通过外延形成平台化布局

2.6半导体设备全球龙头2一光刻机龙头ASML

ASML成立于1984年，是全球领先的半导体设备系统提供商，也是目前世界上唯一能够生产最先进EUV光刻机的制造商。其研制并生产的EUV光刻机广泛受到英特尔、台积电等公司青睐，影响力足以左右全球芯片行业格局。2003年起净销售收入增长迅速，由17亿美元增长至2007年达52亿美元，2025Q1年ASML净销售额达77亿欧元，净利润也很高，有24亿欧元。毛利率提升至54%，超出预期，这主要得益于EUV产品。

》 ASML以创新为生命线，通过技术垄断（EUV+High-NA）和生态闭环巩固其不可替代性。2025第一季度，ASML 新增订单金额总计39亿欧元，其中 EUV 订单有12 亿欧元。从订单应用领域来看，逻辑芯片订单占比60%，存储芯片订单占比 40%。虽然逻辑芯片订单占比略有下降，但依然处于较高水平，这和当下热门的 AI芯片需求关联紧密。存储芯片订单数量稳定，随着 EUV 技术在存储芯片领域的应用越来越广泛，未来增长空间很大。

》ASML光刻机在亚洲地区销售份额较大，2025年第一季度韩国市场一路“开挂”，占比40%，销售额达22.96亿欧元；中国大陆市场同样表现出色，占比27%，销售额为15.5亿欧元；中国台湾市场与美国并列，占比16%，销售额为9.18亿欧元，日本占比相对较小，仅为1%。

ASML2025年一季度各区域收入占比

ASML2025年一季度光刻机销量

2.7国产半导体设备龙头一北方华创

北方华创作为国内领先的平台型半导体设备企业，持续受益于国产替代浪潮，目前先进制程扩产占比已超过50%。在刻蚀、薄膜沉积、清洗与炉管方面，实现了ICP与CCP刻蚀设备重要客户量产、全面覆盖逻辑与存储芯片金属化制程等技术方面的重大突破。

》 2025Q1新签订单约97-98亿元，同比增长30%，高于全年订单增速预期，在手订单充足。通过强化平台运营优势，规模效应逐渐显现，盈利能力稳步增强，净利率显著提升。

》北方华创的产品线丰富，其刻蚀设备、真空热处理装备、气氛保护热处理装备等广泛应用于集成电路、先进封装等高技术领域，持续的技术创新和研发投入，推动北方华创产品性能提升与技术进步。

●北方华创2021-2023年产品收入结构图

	公司名称	2023净利润	净利涧年增长率	现市值	2023PE
海外设备龙头国产设备公司	应用材料(AMAT.0)	68.6亿美元	5.07%	1599亿美元	19.6
	泛林集团(LRCX.0)	45.1亿美元	-2. 05%	1057亿美元	22.9
	阿斯麦(ASML.O)	78.4亿欧元	39. 40%	3365亿美元	34.3
	科磊(KLAC.0)	33.9亿美元	1. 97%	1018亿美元	23.3
	北方华创(002371.SZ)	39.0亿元	65.70%	1689亿元	33.4
	中微公司(688012.SH)	17.9亿元	52.70%	948亿元	53.3
	拓荆科技(688072.SH)	6.6亿元	79.80%	366亿元	65.7
	芯源微(688037. SH)	2.5亿元	25. 20%	132亿元	73.5

3.1半导体零部件：影响设备性能的瓶颈环节，国产替代任重道远

分类占设备成本的比例零部件具体类别所应用的主要设备
机械类	20%-40%	金属工艺件：反应腔、传输腔、过渡腔、内衬、匀气盘等金属结构件：托盘、冷却板、底座、铸钢平台等非金属机械件：石英、陶瓷件、硅部件、静电卡盘、橡胶密封件等		应用于所有设备
电气类	10%-20%		射频电源、射频匹配器、远程等离子源、供电系统、工控电脑等	应用于所有设备
机电一体类	10%-25%		EFEM、机械手、加热带、腔体模组、阀体模组、双工机台、浸液系统、温控系统等	应用于所有设备，其中双工机台和浸液系统仅用于光刻设备主要应用于薄膜沉积设备、刻蚀设备和离子注入设备等干法设备
气体/液体/真	10%-30%	气体输送系统类：气柜、气体管路、管路焊接件等真空系统类：千泵、分子泵、真空阀门等		主要应用于薄膜沉积设备、刻蚀设备和离子注入设备等干法设备主要应用于化学机械抛光设备、清
空系统类		气动液压系统类：阀门、接头、过滤器、液体管路等		洗设备等湿法设备
仪器仪表类光学类	1%-3% 0.55	气体流量计、真空压力计等光学元件、光栅、激光源、物镜等		应用于所有设备主要应用于光刻设备、量测设备等
其他	3%-5%	定制装置、耗材等	应用于所有设备

3.2半导体零部件：影响设备的瓶颈，国产替代任重道远

半导体零部件是保障半导体设备战略安全的瓶颈环节。半导体精密零部件是国内半导体设备企业“卡脖子”的环节之一。目前由于半导体零部件短缺，设备厂商饱受困扰。

》市场规模：按照半导体设备市场规模*成本率*零部件成本占比的公式进行测算，2023年全球半导体零部件市场规模约431亿美元，其中中国大陆市场规模为102亿美元，占比23.7%。

零部件	主要服务的半导体设备类型及工艺步骤	海外供应商	国内供应商	国产替代率（估算）
O-Ring密封圈	单晶炉、氧化炉、清洗机、等离子刻蚀设备、湿法刻蚀机、CVD、PVD、CMP	Dupont		<1%
精密轴承	离子注入、PVD、RTP、WET	Tokai Carbon, EPP	珍宝、神工半导体	>10%
金属零部件	PVD	新鹤	靖江先锋、江丰电子	>10%
Valve阀	CVD、光刻、离子注入、PVD、RTP、WET、CMP	Fujikin, VAT， MKS, Swagelok, Hamlet		<1%
Robots	光刻、WET、TF、Etch、DIFF	Brooks， Yaskawa， Kawasaki， JEL，Rorze,Sankyo， Robostar，RND，Kostek	新松机器人	1-5%
石英件（电容石英、电解石英）	刻蚀、炉管	Ferrotec， Heraeus	菲利华、太平洋石英	>10%
射频电源	离子注入、PVD、CVD、刻蚀	AE，MKS，Kyosan，Daihen	北广科技、中科院微电子	1-5%
陶瓷件	CVD、PVD、离子注入、刻蚀		苏州柯玛	5-10%
压力Gauge	离子注入、WET	MKS, Inficon		<1%
泵	WET、离子注入、PVD	Alcatel， Pfeiffer， Edwards, Ebara, Ulvac， Leybold, Varian	沈阳科仪、京仪	5-10%

3.3半导体零部件：国内外上市公司清单

海外龙头
公司名称	主要业务	23年净利润(亿美元)	净利润yoy	现市值(亿美元)	2023PE
Dupont杜邦	半导体封装材料、光刻胶及树脂，国内高端封装材料市占率超50%，光刻胶占比约30%	81.40	-50%	326.7	4. 01
Tokai Carbon东海碳素	石墨电极、半导体材料、细碳	19.26	16%	125	6.49
VAT Group阀技	半导体真空阀门	2.19	-38%	104	47.49

国内龙头

公司名称	主要业务	23年净利润(亿)	净利润yoy	现市值(亿)	2023PE
新莱应材	半导体管阀核心零部件	2.36	-31. 6%	154.1	65.3
正帆科技	工艺介质供应系统/GasBox	4.23	55.1%	106.9	26.6
汉钟精机	真空泵	8.67	34.2%	90.7	10.5
英杰电气	射频电源	4.31	27. 2%	92.9 21.5
江丰电子	腔体/喷淋头等各种金属件居多，布局非金属件	2.20	-3.4%	182. 3	71. 4
富创精密	金属工艺件/结构件、气体管路等	1. 68	-31. 3%	151.4 89.7
华亚智能	金属结构件	0.88	-41. 4%	48. 0 54.5
菲利华	半导体用石英玻璃材料及制品	5.74	10.0%	253.9	47.2

4.1半导体材料：国产渗透率持续提升，爆发力弱持续性强

市场规模快速攀升，产品自给率低，国产替代空间巨大：

√主要分为晶圆材料和封装材料；2023年全球半导体材料市场规模达727亿美元，晶圆材料占63.5%，封装材料占36.5%。2009-2023年中国半导体材料市场从32.6亿美元提升至147.3亿美元，占全球20.3%，CAGR达10.1%，高于全球增速6.3%。

√ 国内大部分产品的自给率处于30%以下，并且是技术壁垒较低的封装材料；晶圆材料自给率更低，非常依赖进口；

全球半导体材料市场结构

中国大陆半导体材料市场规模及同比

4.2半导体材料：国内外上市公司清单

海外龙头
	公司名称	23年净利润(亿美元)	净利润yoy	现市值(亿美元)	2023PE
Tokai Carbon		19.26	0.16	125	6.49
BASF SE		2. 44	-1.37	400	163.93
JSR株式会社		1.95	0.37	489. 2	250.87
Brooks Running		1.04	0.2	40	38.46

		国内龙头
公司名称	主要业务	23年净利润(亿)	净利润yoy	现市值(亿)	2023PE
沪硅产业		1. 61	-53.36%	416.20	-358.91
立昂微	硅片	-0.27	-103.98%	141. 32	-443.91
TCL中环		38.99	-44.88%	332. 75	117.55
华特气体		1.72	-16.94%	54. 67	31. 03
南大光电		2. 74	7. 58%	146. 44	66.99
正帆科技		4.23	62. 05%	77. 45	18.66
金宏气体		3. 28	36.36%	86.95	26. 26
凯美特气		-0.27	-115. 93%	36.02	-39.03
和远气体		0.84	12.52%	34. 28	41.14
华懋科技		2.28	16. 82%	57.52	21. 53
彤程新材		4. 04	43.90%	156.84	33. 50
晶瑞电材	光刻胶	0.10	-93.92%	70.57	-581. 86
飞凯材料		1.36	-69.38%	60.48	60. 49
清溢光电	光掩膜	1.34	35. 18%	48.00	29. 26
鼎龙股份	CMP材料	2. 88	-36. 64%	192. 44	71. 58
安集科技	CMP材料	4.03	33. 60%	139.29	32. 27
上海新阳		1. 68	194.58%	96.99	67.90
中巨芯		0.15	318.74%	89.52	397.33
江丰电子	溅射靶材	2. 20	-6. 45%	132. 67	51.13
有研新材	溅射靶材	2.15	-25.57%	74. 84	39.78
雅克科技	前驱体	6.00	9.94%	260.71	39.96
三安光电		3.67	-46.50%	566.75	208.55
天岳先进	第三代半导体材料	-0.46	73.98%	220. 44	772. 52
露笑科技	第三代半导体材料	0.74	126.46%	112. 11	67. 40
东尼电子		-8.32	-1186. 02%	37. 66	-7. 26

5.1制造与封测：高端仍受制于设备瓶颈，加速从“可用”向“最优”升级

晶圆制造是指通过在晶圆上进行光刻、刻蚀等工艺以实现不同功能的集成电路的过程。

》封测包括封装和测试两个环节。封装是指将切割、焊线塑封处理的晶圆加工为成品芯片的过程，安放、固定、密封等操作可保护芯片性能并实现芯片内部功能的外部延伸，也是是后摩尔时代技术创新的主流方向之一。测试主要针对芯片产品性能和功能，在封装前后分为晶圆测试与成品测试，这一环节有效确保了芯片良率、控制成本并指导芯片设计和工艺改进，而我国封测行业高速发展，在AI浪潮与政策助力下先进高端封测领域有望率先受益。

5.2晶圆制造工艺技术不断改进

随着终端应用需求的不断变化以及相应的晶圆尺寸缩减，晶圆制造工艺经历了从传统晶体管到 HKMG 晶体管、从传统平面(Planar)到 3D FinFET 的改进,典型工艺节点包括 HKMG、FinFET 和 GAA 等。HKMG （High-K Metal Gate)，即high k+金属栅，是一种新型的晶体管栅极材料和隔离介质材料的制造工艺，替代了传统的 Si02栅介质和聚硅栅材料，可以有效地减少漏电流和降低栅极电容。GAA(Gate-AII-Around)是一种更加先进的三维晶体管结构，其栅电极包围着整个通道，从而提供了更好的电控性能。相比于FinFET，GAA 技术可以实现更高的集成度和更低的功耗，同时也可以提高芯片的可靠性和稳定性。

5.3全球头部厂商逻辑器件制程不断迭代

》根据ICInsights 统计，近年来全球许多晶圆厂争相采用先进制程工艺节点制造高性能微处理器、低功耗应用处理器等尖端器件，2024年英特尔量产Intel3（改进版7nm EUV），三星、台积电3nm实现量产。2024-2025，中芯国际14nmFinFET稳定量产，用于汽车MCU、物联网芯片。N+2（等效7nm）小规模试产，但受EUV光刻机限制，量产进度延迟。。

晶圆制程发展趋势

	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022
Intel	14nm+	10nm (limited) 14nm++		10nm	10nm+	10nm++	7nm EUV
Samsung	10nm		8nm	7nm EUV 6nm EUV	18nm FDSOI 5nm	4nm	3nm GAA
TSMC	10nm	7nm 12nm		7nm+ EUV	5nm 6nm	5nm+	4nm 3nm
GlobalFoundries		FDSOI	22nm 12nm finFET		12nm FDSOI	22nm+ FDSO112nm+ finFET
SMIC				14nm finFET	12nm finFET	8-10nm finFET
UMC		14nm finFET			22nm planar

12英寸主要制程芯片应用领域

制程	应用领域
先进制程	3nm	智能手机处理器(如苹果A17)、显卡(如lntel Celestial GPU)等
	7nm	智能手机处理器(如晓龙765G、苹果A13/A12)、显卡(如Intel高性能DG2)等
	14nm	中高端AP/SOC、GPU、矿机ASIC、FPGA、汽车半导体、高性能计算等
成熟进程	28nm	联网设备、IOT、基带、电视、机顶盒等
	40nm手	机基带及应用处理器、平板计算机多媒体应用处理器、无线互联应用等
	55nm	工业控制、主板芯片、NB-IOT、驱动IC、汽车ECU等

5.4全球晶圆代工市场规模稳步增长

全球晶圆代工行业呈现高度集中的寡头竞争格局.2023年受供应链库存调整及需求疲软影响，前十大厂商营收同比下降13.6%至1115.4亿美元，但2024年在AI芯片需求驱动下预计回升12%。台积电以62%的市占率稳居第一，其3nm先进制程贡献显著；中芯国际作为大陆龙头，聚焦成熟制程（14nm及以上）和特色工艺，2023Q3营收环比增长3.8%至16.2亿美元，市占率5.4%。

》中国大陆市场增速高于全球。2016-2022年晶圆代工销售额年均增长15.37%，2023年达903亿元。尽管面临设备限制，中芯国际等企业通过扩大12英寸产能（如80.6万片/月折合8英寸）强化成熟制程优势，同时AI、汽车电子等新兴需求推动行业长期增长，预计2025年全球市场规模突破1600亿美元。

全球晶圆代工行业龙头市占率

ItsmcSAMSUNGSMICUMCGlobaIFoundries■华虹集团■其他

晶圆代工行业龙头地区分布及市占率

地区	主流厂商	市占率较	2023年
中国大陆中	芯国际、华虹、晶合集成、芯联集成	10.87%	-0.35%
中国台湾积美国	电、联电、力积电、世界先进	78. 52%	3.11%
中国台湾积美国	格罗方德	5. 24%	-1.81%
以色列	高塔半导体	1. 13%	-0.23%

5.5全球晶圆厂龙头台积电

》公司简介：台积电1987年成立于台湾新竹，是全球领先的芯片代工厂商，首创Foundry模式。公司定期升级制程，拥有多座先进晶圆厂，市占率超60%。业务涵盖3nm至3um制程，应用于智能手机、高性能计算等，尤其3nm技术领先业界。

》台积电技术革新领先，持续领跑先进制程：自2016年起，台积电专注晶圆代工，巨额研发投入促其技术迅速赶超。至今，已量产10nm、7nm、5nm及3nm芯片，领先业界2-3年。台积电在各制程节点均达极致，如3nm芯片虽量产稍晚，但性能卓越，贏得市场认可。面对摩尔定律挑战，台积电通过率先量产新技术及前瞻布局，不断拓宽技术边界，巩固全球领先地位。

》代工行业马太效应显著，订单持续向头部公司集中：晶圆代工行业呈现寡头垄断趋势，台积电凭借良率及先进制程技术占据行业超6成份额，当前Intel受制于IDM模式涉及与上游客户竞争风险以及其新节点产能大规模落地时间仍待确定，三星则受制于其代工良率及效能不及预期，台积电代工行业主导地位稳固。我们预期未来将有更多的客户将依赖台积电进行先进制程的生产与封装。

》产能方面：2024年台积电12英寸晶圆的年产能达到1560万片。未来随着公司不断推进国内外厂房拓建，整体产能有望继续增长，我们2026年公司12英寸晶圆年产能有望达到2400万片，2030年产能有望达到3600万片。

》产能利用率方面：2024年产能利用率超95%，2025-2026年产能已被预订，其中CoWoS先进封装2025年产能将翻倍至7.5万片/月（原3.5万片），主要供应英伟达等AI芯片需求。消费电子如苹果A18（3nm）、AMD CPU（4nm）订单持续支撑产能。

台积电、三星、Intel工艺制程发展对比

	2016 2017	2018		2019	2020	2021	2022 2023	2024		2025	2026
台积电		10nm	7nm	7nm+	5nm 6nm		3nm	3nm+		2nm	1. 6nm
三星		10nm	8nm	7nm EUV 6nm	5nm	3nm			3nm+	2nm	1.4nm
英特尔	14nm+	14nm++		10nm	10nm+	10nm++	7nm	2nm (Intel4)	(Intel20A)	1. 8nm (Intel18A)	1. 4nm (Intel14A)

5.6国内晶圆制造龙头中芯国际

》中芯国际是全球顶尖的集成电路晶圆代工企业，在中国大陆技术领先、规模最大、服务最优。公司业务已拓展至平台式生态服务，覆盖0.35微米至FinFET等多技术节点的晶圆代工与技术服务，工艺制造能力强，产能领先。2022年全球纯晶圆代工销售额排名中，中芯国际居第四，中国大陆第一。其产品广泛应用于汽车电子、消费电子、通讯、AI、物联网、医疗及工业等多个领域。

》公司紧跟市场需求与技术前沿，持续推出领先技术平台，保持全球研发优势。研发中心聚焦客户需求，精进成熟工艺并开发先进技术，拥有中国大陆顶尖的制程技术，涵盖14nmFinFET等关键平台，是唯一量产14nmFinFET的企业。中芯国际在逻辑电路制造领域广泛布局，从0.35um到14nm技术节点均有突破，是大陆首家14nm量产企业，技术覆盖最广。其14nm技术国际领先，应用于高性能低功耗计算及消费电子，已与多客户合作。

》中芯国际通过14nm及N+1工艺的量产突破，展现了向更高性能、更低功耗和更紧凑设计迈进的坚定步伐，为全球芯片制造业的创新发展贡献了关键力量。在集成电路晶圆代工领域，关键技术节点的量产能力是衡量企业技术实力的重要标准之一。中芯国际实现14nm 大规模量产标志着公司成为一流代工企业，是继台积电、三星、格罗方德、联电后的第五家实现14nm 制程节点量产的代工，这也是芯片制造先进制程技术的一个重要门槛，2021年，中芯国际对标7nm工艺的N+1 工艺实现风险量产，与14nm 相比,N+1 工艺在性能方面提升 20%、功耗降低 57%并且逻辑面积缩小 63%。

中芯国际关键技术节点的量产时间

5.7中芯国际：成熟逻辑工艺全面领跑，构筑国际竞争优势

成熟制程覆盖全面，具有国际竞争优势。在成熟逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供0.18/0.15μm、0.13/0.11μm、90nm、65/55nm、45/40nm和28nm技术节点的晶圆代工企业。目前公司的28nm工艺是业界主流技术，包含传统的多晶硅和后栅极的高介电常数金属栅极制程；公司的45/40nm、65/55nm和90nm工艺实现了高性能和低功耗的融合;公司的0.13/0.11μm和0.18/0.15μm工艺分别实现了全铜制程和铝制程，在满足高性能的同时有效控制成本。目前公司成熟逻辑工艺制程的芯片产品已被广泛地应用于处理器、移动基带、无线互联芯片、数字电视、机顶盒、智能卡、消费性产品等领域。

晶圆代工厂各制程量产时间

晶圆代工企业	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022
台积电	16nm	10nm		7nm		5nm		3nm
格罗方德	14nm			12nm
联华电子			14nm
中芯国际	28nm				14nm		N+1风险量产
力晶科技		25nm
华虹集团		65nm	55nm	28nm

5.8中芯国际：产能布局

芯国际当前总产能为12英寸晶圆25万片每月，2027年目标提升至40万片每月，8英寸晶圆产能为45万片每月，折合8英寸总产能94.8万片每月。
成熟制程28纳米及以上占比超过90%，是扩产的主要方向，而先进制程14纳米以下由于设备限制，目前仅能实现有限量产。

中芯国际产能布局

生产基地	晶圆尺寸	技术节点	月产能（万片）	主要产品/用途	状态/备注
上海	12英寸	14nm及以下FinFET	3.5	5G/AI芯片	中国大陆首条FinFET产线
	8英寸	模拟/功率器件	18	CIS、MCU	已量产
	12英寸	28nm及以上	10 (规划）	汽车电子、工业控制	2023年投产，2027年达产
北京	12英寸	28nm及以上	12	通信、消费电子	2024年底扩产完成
北京	12英寸	物联网/车规芯片	10 (规划）		建设中
天津	8英寸	车规IGBT/BCD工艺	16	电源管理、传感器	已量产
天津	12英寸	28nm-180nm	10 (规划）	1	预计2025年投产
深圳	8英寸	PMIC/MEMS传感器	10	消费电子	已量产
深圳	12英寸	28nm及以上	4	消费电子、AI终端	2024年量产

5.9中芯国际：未来扩产蓝图

深圳基地：8英寸厂月产能10万片，生产PMIC和MEMS传感器。12英寸厂2024年量产，月产能4万片，聚焦28nm及以上工艺。中芯国际正加速推进三大12英寸晶圆厂项目布局：中芯广州（Nansha）基地聚焦28nm及22nm BCD功率半导体，规划月产能8万片（2027年达产），总投资65亿美元，2024年Q1动工并计划2025年Q2完成洁净室建设；中芯西安二期主攻40nmCIS图像传感器及55nm MCU，月产能5万片（2026年投产），投资32亿美元，客户包括韦尔股份、比亚迪半导体；中芯东方（临港）扩建优化14nmFinFET及28nm RF-S0I技术，新增月产能3万片（总产能13万片/月），投资45亿美元含设备国产化专项。

中芯国际全球布局

5.10半导体封装测试：半导体产业链中我国最具国际竞争力环节

封测即集成电路的封装、测试环节，是加工后的晶圆到芯片的桥梁。在半导体产业链中，封测位于IC设计与IC制造后，最终IC产品之前，属于半导体制造后道工序。

√封装工艺通过切割、键合和塑封等步骤保护晶圆。封装：是指将生产加工后的晶圆进行切割、键合、塑封等工序，使电路与外部器件实现连接,并为半导体产品提供机械保护，使其免受物理、化学等环境因素损失的工艺。随着高端封装产品如高速宽带网络芯片、多种数模混合芯片、专用电路芯片等需求不断提升，封装行业持续进步。

√测试：是指利用专业设备，对产品进行功能和性能测试，测试主要分为封装前的晶圆测试和封装完成后的芯片成品测试。晶圆测试主要是对晶片上的每个晶粒进行针测，测试其电气特性;芯片成品测试主要检验的是产品电性等功能，目的是在于将有结构缺陷以及功能、性能不符合要求的芯片筛选出来。

》半导体产业链封装测试成为我国最具国际竞争力环节。封装测试产业在我国的高速发展直接有效带动了封装设备市场的发展。根据赛迪顾问及Chiplnsights的数据，2021年全球前十大封测公司榜单中，前三大封测公司市场份额合计占比超过50%，并且均实现两位数的增长。中国台湾企业在封测市场占据优势地位十大封测公司中，中国台湾企业占据 5家,分别为日月光、力成科技、京元电子南茂科技和颅邦科技。中国大陆有长电科技、通富微电、华天科技、智路封测等4家企业上榜。

半导体产业链封装测试

5.11半导体封装测试：国内封测市场以国内企业为主

国内封测市场以国内企业为主。我国集成电路封测行业是中国大陆集成电路发展最为完善的板块，技术能力与国际先进水平比较接近，我国封测市场已形成内资企业为主的竞争格局。我国集成电路封测行业属于市场化程度较高的行业，政府主管部门制定并依照国家产业政策对行业进行宏观调控，行业协会进行自律管理行业内各企业的业务管理和生产经营按照市场化的方式进行。

国内集成电路封装测试企业类别

类型	主要作用	细分产品	代表厂商
第一梯队	规模大、综合实力强、引领行业技术和产品创新，高效严格的品质管理体系;外资企业以 BGA、CSP、富微电及安靠科技、日月WLCSPEC、MEMS、Bumping、TSV 等为主，内资企业在光等在国内设立的封装测先进封技术、市场和资金优势装产品市场已占有一定试企业比例
第二梯队	规模中等、具备较强的技术实力和完整的品质管控体系，专注于技术应用和工艺创新,以 SOT、SOP、QFP、QFN/DFN等系列产品为主，逐步向LQFP、LGA、BGA.CSP、FC、TSV等先进产品延伸	拥有较强的研发和技术能力，具有完善的生产与质量管理体系；产品性价比高、竞争力强	以华字电子、气派科技等为代表的中等规模企业
第三梯队	规模较小、技术或生产管理能力一般，主要以TO、DIP、SOP等产品为主	无明显优势数量众多的中小型企业
	规模较小、技术或生产管理能力一般，主要以TO、DIP、SOP等产品为主	无明显优势数量众多的中小型企业

5.12半导体封装测试：Chiplet-SiP 模式为中国厂商发发展带来机遇与挑战

Chiplet-SiP模式为中国厂商发发展带来机遇与挑战。Chiplet-SiP模式是业界在扩展摩尔定律方向上的创新探索，发展潜力巨大。Chiplet，即工艺和功能不同的芯粒，Chiplet-SiP模式的本质是基于异构集成的系统封装技术将不同功能和工艺的芯粒和元件封装在一起形成能实现完整功能的芯片模块。这一模式能够在提高芯片性能的同时减少设计制造成本、缩短生产周期，使得芯片告制造可以部分绕过先进制程工艺的限制，或为国内半导体产业实现弯道超车带来新的机遇。

5.13全球巨头厂商加码布局Chiplet先进封装

国外厂商

台积电：推出3DFabric，搭载完备的3D硅堆栈（3D Silicon Stacking）和先进的封装技术。该项技术先后被用于赛灵思的FPGA、英伟达的GPU以及AMD的CPU。

英特尔：公司主导的2.5D封装技术EMIB，使用多个嵌入式包含多个路由层的桥接芯片，同时内嵌至封装基板，达到高效和高密度的封装。

》三星：2020年8月，三星公布了XCube 3D封装技术。此后发布的l-Cube可以将一个或多个逻辑die和多个HBMdie水平放置在硅中介层，进行异构集成；2023年三星已推出X-Cube的升级版本，支持更小TSV（硅通孔）间距（从4μm降至1μm），实现更高密度的3D堆叠，应用于AI芯片和移动处理器（如Exynos系列）。。

》日月光：凭借在FOCoS先进封装技术的布局，是目前在封测代工厂中唯一拥有超高密度扇出解决方案的供应商。

国内厂商

》长电科技：推出的面向Chiplet小芯片的高密度多维异构集成技术平台XDFOITM可实现TSV-less技术，达到性能和成本的双重优势。目前长电先进XDFOITM2.5D试验线已建设完成，并进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货。

》通富微电：已建成国内顶级2.5D/3D封装平台（VISionS）及超大尺寸FCBGA研发平台，完成高层数再布线技术开发。公司已大规模生产Chiplet产品，7nm产品已大规模量产，5nm产品已完成研发即将量产。

》华天科技：已建立三维晶圆级封装平台一3DMatrix，该平台由TSV、eSiFo（Fan-out）、3D SIP三大封装技术构成。公司已量产Chiplet产品，主要应用于5G通信、医疗等领域。

5.14长电科技：业务概况

》半导体行业景气度回暖：24年公司实现营业收入359.6亿元，同比+21.2%;归母净利润为16.1亿元，同比+9.5%;25Q1预计实现归母净利润2.00亿元，同比+50.00%，公司通讯、消费、运算和汽车电子四大核心应用领域四大核心业务协同放量，业绩增长强劲。

》先进封装技术（XDF0I@Chiplet）：据Yole及集微咨询预测，26年全球先进封装市场规模将达到482亿美元

公司已实现4nm节点多芯片系统集成封装量产，并出货国际客户，提升高端芯片竞争力。

公司参股长电绍兴19%，聚焦高性能CPU/GPU与HBM（高带宽存储）的整合封装，强化异构计算能力。

长电科技营业收入

长电科技净利润

5.15半导体国产替代核心标的梳理

领域	公司名称	股票代码	核心突破与替代逻辑	市场地位/技术进展
	海光信息	688041	x86架构DCU芯片性能对标英伟达A100，AI训练市场份额15%	华为昇腾芯片代工，14nm良率95%3A6000性能达英特尔i5水平替代美光、旺宏
芯片设计	龙芯中科	688047	自主LoongArch架构CPU，党政军渗透率60%
	兆易创新	603986	NOR Flash全球市占率22%，车规级产品通过认证
晶圆代工	中芯国际	688981	14nm量产，7nm风险量产，华为麒麟芯片代工	全球市占率7.2%
晶圆代工	华虹半导体	01347. HK	聚焦功率半导体特色工艺	国内第二大晶圆厂
	北方华创	002371	刻蚀/薄膜沉积/清洗设备覆盖28nm，14nm设备验证中	国产化率35%，替代应用材料全球刻蚀设备市占率提升介质薄膜覆盖率国产第一
设备	中微公司	688012	5nm刻蚀机进入台积电供应链
	拓荆科技	688072	PECVD/ALD设备适配14nm，新增订单64亿元
	沪硅产业	688126	12英寸大硅片国产化率20%，产能150万片/月	打破信越化学垄断
材料	南大光电	300346	国内唯一量产ArF光刻胶，M0源全球市占率60%	28nm工艺验证通过
	江丰电子	300666	靶材全球市占率第二，7nm产品供货台积电	替代日美厂商
封测	长电科技	600584	Chiplet封装技术实现7nm性能提升	全球市占率17%，替代日月光全球封测份额前五
封测	通富微电	002156	AMD核心封测伙伴，4nm XDF0I封装技术	全球市占率17%，替代日月光全球封测份额前五
EDA/ IP	华大九天	301269	全流程EDA工具，支持14nm工艺验证	国产EDA市占率11%
EDA/ IP	芯原股份	688521	中国第一半导体IP供应商，布局Chiplet	处理器IP覆盖六大类

风险提示

·市场竞争超预期

·国产替代进度不及预期

·技术路线变革

谢谢！

投资评级说明

金元证券行业投资评级标准：

增持：行业股票指数在未来6个月内超越大盘；

中性：行业股票指数在未来6个月内基本与大盘持平；

减持：行业股票指数在未来6个月内明显弱于大盘。

金元证券股票投资评级标准：

买入：股票价格在未来6个月内超越大盘15%以上；

增持：股票价格在未来6个月内相对大盘变动幅度为5%～15%;

中性：股票价格在未来6个月内相对大盘变动幅度为-5%～+5%;

减持：股票价格在未来6个月内相对大盘变动幅度为-5%～-15%。

免责声明

本报告由金元证券股份有限公司（已具备中国证监会批复的证券投资咨询业务资格）制作。本报告所载资料的来源及观点的出处皆被金元证券认为可靠，但金元证券不保证其准确性或完整性。该等信息、意见并未考虑到获取本报告人员的具体投资目的、财务状况以及特定需求，在任何时候均不构成对任何人的个人推荐。投资者应当对本报告中的信息和意见进行独立评估，并应同时考量各自的投资目的、财务状况和特定需求，必要时就法律、商业、财务、税收等方面咨询专业财务顾问的意见。对依据或者使用本报告所造成的一切后果，金元证券及/或其关联人员均不承担任何法律责任。投资者需自主作出投资决策并自行承担投资风险，任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效。

本报告所载的信息、材料或分析工具仅提供给阁下作参考用，不是也不应被视为出售、购买或认购证券或其他金融工具的要约或要约邀请。该等信息、材料及预测无需通知即可随时更改。过往的表现亦不应作为日后表现的预示和担保。在不同时期，金元证券可能会发出与本报告所载意见、评估及预测不一致的研究报告。

金元证券的销售人员、交易人员以及其他专业人士可能会依据不同假设和标准、采用不同的分析方法而口头或书面发表与本报告意见及建议不一致的市场评论和/或交易观点。金元证券没有将此意见及建议向报告所有接收者进行更新的义务。金元证券的自营部门以及其他投资业务部门可能独立做出与本报告中的意见或建议不一致的投资决策。

在法律许可的情况下，金元证券可能会持有本报告中提及公司所发行的证券头寸并进行交易，也可能为这些公司提供或争取提供投资银行业务服务。因此，投资者应当考虑到金元证券及/或其相关人员可能存在影响本报告观点客观性的潜在利益冲突。投资者请勿将本报告视为投资或其他决定的唯一信赖依据。

本报告的版权仅为金元证券所有，未经书面许可任何机构和个人不得以任何形式转发、翻版、复制、刊登、发表或引用。

半导体国产替代产业研究体系-上

目录

1.1国产化替代：我国半导体产业快速发展的核心驱动力

1.2半导体产业链全景

2.1半导体设备：受益于国产替代与晶圆扩产双重提振

》全球芯片设备市场持续增长，不断刷新销售记录

》中国大陆投资表现亮眼，国产设备占比超过一半

》国内晶圆厂扩产占比提升，中国大陆通过成熟制程扩产快速提升全球份额

2.2前道工艺设备：晶圆制造核心环节的关键技术装备

2.3半导体设备竞争格局

光刻机

刻蚀设备

2.4半导体设备细分品类产业格局

PVD设备

CMP设备

2.4半导体设备细分品类产业格局

炉式设备

量测设备

清洗设备

2.5半导体设备全球龙头1一平台型龙头应用材料(AMAT.O)

2.6半导体设备全球龙头2一光刻机龙头ASML

2.7国产半导体设备龙头一北方华创

3.1半导体零部件：影响设备性能的瓶颈环节，国产替代任重道远

3.2半导体零部件：影响设备的瓶颈，国产替代任重道远

3.3半导体零部件：国内外上市公司清单

4.1半导体材料：国产渗透率持续提升，爆发力弱持续性强

市场规模快速攀升，产品自给率低，国产替代空间巨大：

4.2半导体材料：国内外上市公司清单

5.1制造与封测：高端仍受制于设备瓶颈，加速从“可用”向“最优”升级

5.2晶圆制造工艺技术不断改进

5.3全球头部厂商逻辑器件制程不断迭代

5.4全球晶圆代工市场规模稳步增长

5.5全球晶圆厂龙头台积电

5.6国内晶圆制造龙头中芯国际

5.7中芯国际：成熟逻辑工艺全面领跑，构筑国际竞争优势

晶圆代工厂各制程量产时间

5.8中芯国际：产能布局

中芯国际产能布局

5.9中芯国际：未来扩产蓝图

5.10半导体封装测试：半导体产业链中我国最具国际竞争力环节

5.11半导体封装测试：国内封测市场以国内企业为主

5.12半导体封装测试：Chiplet-SiP 模式为中国厂商发发展带来机遇与挑战

5.13全球巨头厂商加码布局Chiplet先进封装

国外厂商

国内厂商

5.14长电科技：业务概况

5.15半导体国产替代核心标的梳理

风险提示

谢 谢！

投资评级说明

免责声明

谢谢！

金元证券-电子行业国产替代系列研究(一)：半导体国产替代产业研究体系-上-250420.pdf