先进封装价值量提升叠加需求回暖，封测产业链机遇将至

行业观点

摩尔定律发展放缓，先进制程工艺逐渐逼近物理极限，进一步缩小特征尺寸变得特别困难，众多厂商开始将研发方向由先前的“如何把芯片变得更小”转变为“如何把芯片封得更小”。先进封装因其具备高经济效能、高封装密度以及高度集成的优势，目前正进入快速发展的阶段。晶圆厂在刻蚀等前道步骤的硅通孔技术上积累丰富，因而在2.5D/3D封装技术方面较为领先；而以日月光为代表的后道封装厂商则更熟悉异质异构集成，在系统级封装的发展方面更有优势。

投资逻辑

1先进封装应用广泛，是实现Chiplet设计的基础。在Chiplet设计方案中，不同的die（芯片裸片）之间采用先进封装互联。目前，先进封装向连接密集化、堆叠多样化和功能系统化方向发展主要依赖四大要素：凸块(Bump）、重布线层（RDL）、晶圆（wafer）以及硅通孔（TSV）技术。其中，RDL和TSV分别起到横向及纵向电气延伸的作用，Bump 及晶圆级封装主要起到缩小封装尺寸，提升单位体积性能的作用。目前主流的先进封装方案包括倒装封装（FC)、晶圆级封装、扇出型封装(Fan Out）、2.5D/3D封装以及系统级封装（SiP)。根据Yole及集微咨询数据,倒装封装技术是目前市场份额最大的板块,2022年全球倒装封装技术市场规模为290.9亿美元，占比达76.7%。未来3D封装有望快速成长，份额有望快速提升。

■AI加速落地，带动先进封装需求快速增长。先进封装在高算力芯片上优势显著：HBM方案的提出，解决了存储内存速率瓶颈的问题；AMD 的新款算力芯片MI300 由13个小芯片堆叠而成，采用堆叠子模块的方式进一步提升性能；CoWoS技术在GPU芯片的批量应用，解决了互联密度的问题。目前，伴随AI相关应用的加速落地，对于算力芯片的需求快速提升，与之配套的先进封装需求快速增长。目前CoWoS的发明者台积电计划斥资900亿新台币设立生产先进封装的晶圆厂以满足日益饱满的订单,其他海外大厂也在加快布局,以满足日益增长的先进封装需求。

■我国先进封装快速发展且潜力巨大。我国先进封装市场快速成长，据中国半导体行业协会统计及集微咨询数据，预计2023年中国先进封装市场规模预计达1330亿元，2020-2023年4年的复合增长率约为13.8%。但是，目前国内先进封装市场占比仅为39.0%，与全球先进封装市场占比（48.8%）相比仍有较大差距，尚有较大提升空间。目前，由于制裁不断升级，国内先进制程发展受阻，Chiplet设计及先进封装制造有希望成为国产替代的突破口，我国先进封装产业有望进入发展快车道。

周期复盘：行业触底持续进行，底部反转或将到来。封测厂营收与半导体销售额呈高度拟合关系，受下游需求侧不景气的影响，封测厂商稼动率底部承压。但是，我们判断拐点或将出现，部分设计厂商目前已从“被动补库存”阶段陆续进入“主动去库存阶段”，封测厂商稼动率已有回暖迹象。展望未来，芯片设计公司库存压力将有望随下游需求边际向好而继续改善，待需求底部反转后，由于封测公司在产业链中的位置相对靠后，封测公司有望率先收益。此外，由于封测行业重资产属性强，进入上行周期后，有望表现更高的利润弹性。

投资建议

封测厂：建议积极关注先进封装占比高的长电科技、通富微电、甬矽电子等。先进封装产能积极扩张，与之相关的设备产业链有望率先受益：建议积极关注华海清科、新益昌等。

风险提示

半导体行业景气度复苏不及预期、市场竞争加剧以及先进封装市场规模增长不达预期的风险。

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内容目录

一、先进封装：后摩尔时代提升系统性能的关键路径.. 5
1.1、摩尔定律放缓，先进封装接力先进制程助力持续发展. 5
1.2、先进封装发展迅速，各路线百花齐放.. 7
1.3、Chiplet助力Al算力芯片持续发展.. 12
二、行业周期：触底持续进行，底部反转或将到来. 14
三、海外大厂技术布局.. 17
3.1、台积电.. 17
3.2、英特尔... 19
3.3、三星.. 21
3.4、日月光. 22
3.5、安靠.. 23
四、投资建议.. 24
4.1、封测厂. 24
4.2、先进封装设备. 30
五、风险提示.. 36

图表目录

图表1：集成电路的两大发展路线. 5
图表2：摩尔定律发展放缓. 5
图表3：封装产业进入先进封装发展阶段.. 5
图表4：封测技术发展阶段及代表封装形式. 6
图表5：先进封装具备I/0数量多、体积小和高度集成的优势. 6
图表6：先进封装有望助力集成电路翻越制约持续发展的四座"高墙". 7
图表7：2023 年全球封测市场规模将达822亿美元... 7
图表8：2023年中国大陆封测市场规模将达 2807 亿元.. 7
图表9：2026年全球先进封装市场渗透率将超过50%.. 8
图表10：中国大陆先进封装市场渗透率较低... 8
图表11：全球各先进封装技术市场规模（亿美元） 8
图表12：金凸块工艺流程. 9
图表13：铜柱凸块工艺流程.. 9
图表14：铜镍金凸块工艺流程. 9
图表15：电镀焊锡凸块工艺流程 9
图表16：RDL工艺流程.. 10
图表17：TSV工艺流程.... 10
图表18：先进封装的四要素．. 10
图表19：倒装封装与传统封装对比图. 11
图表20：晶圆级封装工艺流程.. 11
图表21：扇入/扇出型封装结构示意图， 11
图表22：2.5D/3D封装结构示意图... 11
图表23：系统级封装具备开发周期更短、良率更高、成本更低的优势！ 12
图表 24：Chiplet 技术相比 Soc 技术每个模块可以采用不同的工艺.. 12
图表25：Chiplet 提高良率和集成度，降低成本，加速芯片迭代.. 13
图表26：Chiplet 提升芯片良率.... 13
图表27：HBM 解决了内存速率瓶颈的问题.. 13
图表28： AMD MI300 剖面图.. 14
图表29：封测厂业绩情况与半导体销售额拟合程度高.. 15
图表30：移动通信和计算机是2022年半导体最大的两个下游应用终端产品. 15
图表31：2023 年全球 PC 出货量预计 2.68亿台.... 16
图表32：2023年全球智能手机出货量预计13.4亿台. 16
图表33：国内模拟芯片设计公司存货（亿元） 16
图表34：国内数字芯片设计公司存货（亿元） 17
图表35：封测公司固定资产折旧占主营业务成本比例高 17
图表36：台积电3D FabricTM系列产品... 18
图表37：台积电CoWoS结构示意图. 18
图表38：台积电SolC与CoWoS/InFO的关系 19
图表39：英特尔 EMIB 结构示意图... 20
图表40：英特尔Foveros 结构示意图. 20
图表41：英特尔 ODI结构示意图.... .21
图表42：三星I-Cube S结构示意图. 21
图表43：三星I-CubeE结构示意图. 21
图表44：三星H-Cube 结构示意图... 22
图表45：三星X-Cube 结构示意图.. 22
图表46：日月光VIPackTM先进封装平台... 22
图表47：日月光FOPoP及FOCoS结构示意图 23
图表48：日月光FOPoP-Bridge及FOSiP结构示意图. 23
图表49：光纤集成的演变历程.. 23
图表50：安靠先进封装技术. 24
图表51：2022年海内外主要封测厂商营收排名.
图表52：2022年长电科技实现营收 337.62亿元，同比增长10.69%.. 26
图表53：2022年长电科技实现归母净利润32.31亿元，同比增长9.20%.. 26
图表54：通富微电产线详情... 26
图表55：2022年通富微电实现营收 214.29亿元，同比增长35.52%.. 27
图表56：2022年通富微电实现归母净利润5.02亿元，同比下降47.53%. 27
图表57：华天科技五大基地主要封装类型及应用.. 27
图表58：2022年华天科技实现营收119.06亿元，同比下降1.58%. 28
图表59：2022年华天科技实现归母净利润7.54亿元，同比下降46.74%. 28
图表60：甬矽电子主营产品及主要客户... 28
图表61：2022年甬矽电子实现营收21.77亿元，同比增长5.96%.. 29
图表62：2022年甬矽电子实现归母净利润1.38亿元，同比下降57.11%. .29
图表63：甬矽电子先进封装产品营收拆分（百万元） 29
图表64：2022年晶方科技实现营收11.06亿元，同比下降21.62%. 30
图表65：2022年晶方科技实现归母净利润2.28亿元，同比下降 60.45%. .30
图表66：国内外先进封装涉及前道及后道设备厂商梳理... .30
图表67：2022年华海清科实现营收16.49亿元，同比增长104.86%.. 31
图表68：2022年华海清科实现归母净利润5.02亿元，同比增长152.98%. .. 31
图表69：华海清科CMP 设备业务营收占比高，毛利率持续增长.. 31
图表70：2022年芯基微装实现营收6.52亿元，同比增长32.51%.. 32
图表71：2022年芯基微装实现归母净利润1.37亿元，同比增长 28.66%.
图表72：芯基微装主营业务收入稳步增长. 32
图表73：2022年芯源微实现营收13.85 亿元，同比增长67.12%....
图表74：2022年芯源微实现归母净利润2.00亿元，同比增长158.77%.. 33
图表75：芯源微光刻工序涂胶显影设备营收稳步增长，收入贡献过半. 33
图表76：2022年新益昌实现营收11.84亿元，同比下降1.08%....
图表77：2022年新益昌实现归母净利润2.05亿元，同比下降11.76%.. .34
图表78：2022年奥特维实现营收35.40亿元，同比下降72.94%.. .34
图表79：2022年奥特维实现归母净利润7.13亿元，同比增长92.25%. .34
图表80：2022年大族激光实现营收149.61亿元，同比下降8.40%.. .35
图表81：2022年大族激光实现归母净利润12.10亿元，同比下降39.35%. 35
图表82：2022年光力科技实现营收6.14亿元，同比增长15.89%.. .36
图表83：2022年光力科技实现归母净利润0.65亿元，同比下降44.56%.. .36
图表84：2022年耐科装备实现营收2.69亿元，同比增长8.19%.. 36
图表85：2022年耐科装备实现归母净利润0.57亿元，同比增长7.68%..

一、先进封装：后摩尔时代提升系统性能的关键路径

1.1、摩尔定律放缓，先进封装接力先进制程助力持续发展

摩尔定律发展放缓，集成电路产业寻求新的发展路线。根据摩尔定律，集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到 24个月便会增加一倍，处理器性能大概每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半。集成电路产业主要沿着两条技术路线发展：一是延续摩尔定律，芯片向小型化发展。通过缩小CMOS 器件的晶体管尺寸来增加芯片的晶体管数量，进而提升芯片性能。二是超越摩尔定律，采取先进封装技术将模拟、光电、传感等集成在一个系统内，实现系统的性能提升和功能融合。目前，先进制程工艺逐渐逼近物理极限，越来越多的厂商开始将研发方向由先前的“如何把芯片变得更小”转变为“如何把芯片封得更小”，先进封装逐渐成为行业发展重点。

图表1：集成电路的两大发展路线

来源：《先进封装技术的发展与机遇》，国金证券研究所

图表2：摩尔定律发展放缓

来源：The Next Platform，国金证券研究所

先进封装正进入快速发展的阶段。集成电路封装行业大致划分为五个发展阶段。第一阶段为通孔插装时代，以DIP、SIP技术为代表。第二阶段是表面贴装时代，该阶段以LCC、SOP 为代表，用引线替代第一阶段的引脚并贴装在PCB板上，相对而言封装体积减少、封装密度有所提高。第三阶段是面积阵列时代，开始出现BGA、CSP、FC等先进封装技术，这一阶段是目前全球封测厂商所处的主流技术阶段，此阶段引线已被取消，在封装体积大幅缩减的同时提升了系统性能。封装技术的第四阶段，工艺从单芯片变为多芯片、从封装元件演化为封装系统，MCM、SiP、Bumping等技术发展迅速。此后，微机电机械系统封装（MEMS)、硅通孔（TSV)、扇出型封装（Fan-Out）等立体结构型封装技术相继出现，带动封装产业链进入复杂集成时代。

图表3：封装产业进入先进封装发展阶段

来源：国金证券研究所

图表4：封测技术发展阶段及代表封装形式

阶段	封装形式	具体典型的封装形式
第一阶段	通孔插装型封装	晶体管封装（TO)、陶瓷双列直插封装(CDIP)、塑料双列直插封装(PDIP)、单列直插式封装（SIP)等
第二阶段	表面贴装型封装	塑料有引线片式载体封装（PLCC)、塑料四边引线扁平封装(PQFP)、小外形表面封装（SOP)、无引线四边扁平封装（PQFN)、双边扁平无引脚封装（DFN）等
第三阶段	球栅阵列封装(BGA)	塑料焊球阵列封装（PBGA)、陶瓷焊球阵列封装（CBGA)、带散热器焊球阵列封装（EBGA)、倒装芯片焊球阵列封装（FC-BGA）等
	晶圆级封装（WLP)
	芯片级封装（CSP)	引线框架型CSP封装、柔性插入板CSP封装、刚性插入板CSP封装、圆片级CSP封装等
第四阶段	多芯片组封装（MCM)	多层陶瓷基板(MCM-C)、多层薄膜基板（MCM-D)、多层印制板(MCM-L）等
第四阶段	系统级封装（SiP)、芯片上制作凸点（Bumping）等
第五阶段	晶圆级系统封装-硅通孔（TSV)、扇出型集成电路封装（Fan-Out）、三维立体封装（3D）等

来源：艾森股份招股说明书，国金证券研究所

对比传统封装技术，先进封装I/0数量多、体积小且高度集成化。在传统的封装技术中，晶圆被切割后通过引线键合的方式实现互联，起到保护芯片的作用。而外部封装则是通过导线架或导线载板与PCB 基板进行连接，这种封装形式结构简单、成本低廉。但随着集成电路产业的高速发展，市场对于电子设备的小型化、系统化和信息传递速度等的要求不断提高，先进封装逐渐成为行业主流技术。先进封装运用凸块等工艺，采用倒装等键合方式替代传统的引线键合，在缩短互联距离的同时提高I/0密度，具有更高的存储带宽和更好的散热效率。同时封装对象由单裸片发展为多裸片，芯片组合由单类型、平面排布向多功能、立体堆叠演变，显著提高了封装空间利用率和芯片系统性能。

图表5：先进封装具备I/0数量多、体积小和高度集成的优势

	传统封装	先进封装
	传统封装	Fan-Out WLP	2. 5D/3D
系统内存宽带	低	中	高
芯片能耗比	低	高	高
芯片厚度	高	低	中
芯片发热	中	低	高
封装成本	低	中	高
性能	低	中	高
形态	平面、芯片之间缺乏高速互联	多芯片、异质集成、芯片之间高速互联
功能	芯片保护、电气连接	缩短互联距离、提升功能密度、异质异构集成

来源：国金证券研究所

集成电路发展受阻，先进封装或为破墙首选。当前集成电路的发展面临着“存储墙、面积墙、功耗墙以及功能墙”四座高墙的制约。

存储墙：全球计算算力约每两年增长3.1倍，而存储带宽每两年增长1.4倍，存储器带宽增长速度明显落后处理器。为了突破“存储墙”，业界提出了近存计算方案，通过先进封装为基础的超短互连技术实现存储器和处理器间的近距离数据搬运，其算力和精度更高。

面积墙：目前光刻机所能支持的最大曝光区域面积是26mm*33mm，增加光罩面积来提升晶体管集成数量的话方案成本极高，而采用先进封装技术集成多颗芯片则是目前主流的低成本破局方案。

功耗墙：随着芯片算力需求的提升，GPU/CPU芯片热设计功耗逐年增大，或将突破千瓦级，需更为先进的冷却技术以支持散热需要。

（a）存储墙

功能墙：在单个芯片衬底上可实现的功能有限，通过先进封装的多芯片异质集成技术将计算、存储、传感等功能元件集成起来，可以突破单衬底的功能限制。

图表6：先进封装有望助力集成电路翻越制约持续发展的四座“高墙”

来源：《先进封装技术的发展与机遇》，国金证券研究所

1.2、先进封装发展迅速，各路线百花齐放

集成电路封测市场规模逐年增长。根据Yole及集微咨询的统计数据，2022年全球封测市场规模为815.0亿美元，同比增长4.9%，预计到2026年市场规模有望达961.0亿美元，2022 年-2026年CAGR 为4.2%。中国大陆作为封测产业的三大市场之一，市场规模呈增长趋势。据中国半导体行业协会以及集微咨询数据,2022年中国大陆封测市场规模为2995.0亿元，预计到 2026年市场规模有望达3248.4亿元。

图表7：2023年全球封测市场规模将达822亿美元

来源：Yole，集微咨询，国金证券研究所

图表8：2023年中国大陆封测市场规模将达2807亿元

来源：中国半导体行业协会，集微咨询，国金证券研究所

先进封装市场规模及占比持续提升，中国大陆先进封装占比有望不断提高。据Yole及集微咨询数据，2022年全球先进封装市场规模为378.0亿美元，到2026年全球先进封装市场规模达482.0亿美元，2022年-2026年全球先进封装市场规模CAGR为6.3%，先进封装占比有望突破50%。中国大陆的先进封装市场规模有望快速成长，据中国半导体行业协会统计及集微咨询数据,2020年中国大陆先进封装市场规模为903亿元，市场占比仅为36%,预计2023年中国先进封装市场规模预计达1330亿元，2020-2023年4年的复合增长率约为13.8%。但是，目前国内先进封装市场占比仅为39.0%,与全球先进封装市场占比(48.8%)相比仍有较大差距，有较大提升潜力。

图表9：2026年全球先进封装市场渗透率将超过50%

来源：Yole，集微咨询，国金证券研究所

图表10：中国大陆先进封装市场渗透率较低

来源：集微咨询，国金证券研究所

先进封装市场以倒装工艺为主，未来3D先进封装技术占比将进一步提升。根据Yole及集微咨询数据，倒装（FC）封装技术是目前市场份额最大的板块，2022年全球倒装封装技术市场规模为290.9亿美元，占比达76.7%，到2026年其市场规模有望增加至340.32亿美元。其他高阶的封装形式（如Fan-0ut、3DStacked）占比将有所提升，其中3D Stacked技术市场规模增长速度最快,2019 年-2026年期间的复合年增长率为22.7%，预计 2026 年市场份额将达到15.3%。

图表11：全球各先进封装技术市场规模(亿美元）

来源：Yole，集微咨询，国金证券研究所

先进封装的四大要素推动着封装技术向连接密集化、堆叠多样化和功能系统化方向发展。

1）凸块（Bump）技术运用于倒装封装中，是早期先进封装区别于传统封装的一个显著特征。该工艺通过在晶圆或芯片表面焊接球状或柱状金属凸点来实现界面间的电气互联和应力缓冲。随着技术进步，凸块尺寸越来越小，发展出不需要凸块的混合键合（HybridBonding）互联方式，连接密度大幅提升。

根据凸块材料的不同，凸块工艺可分为四类：

1.金凸块工艺：（1）溅镀，用高速离子对金属进行轰击，使其表面沉积一层金属层;（2）上胶，在晶圆表面涂一层光刻胶，再通过光模板进行曝光，浸入显影液后胶部分溶解，从而在光刻胶上对凸块位置开窗；（3）电镀，将晶圆浸入电镀液，在电流差的作用下金属离子移动到开窗位置形成凸块；（4）去胶、蚀刻，去除多余的光刻胶并通过蚀刻去除凸块周围的金属层。

2.铜柱凸块工艺：（1）再钝化，在晶圆上的凸块位置附近涂抹聚合物或金属形成钝化层，以提供芯片保护及结构支撑作用；（2）溅镀；（3）上胶；（4）电镀；（5）去胶、蚀刻；（6）回流，运用助焊剂对焊料进行多次回流，形成光滑的截球形凸块。

图表12：金凸块工艺流程

来源：颁中科技官网，国金证券研究所

图表13：铜柱凸块工艺流程

来源：顾中科技官网，国金证券研究所

3.铜镍金凸块工艺：工艺流程与金凸块工艺流程相似，区别在于（1）铜镍金凸块的表面面积更大，改变了芯片的部分线路结构，键合灵活性更高；（2）凸块中铜占比较高，大幅降低成本和导通电阻。

4.锡凸块工艺：工艺流程与铜柱凸块工艺流程相似，区别在于（1）球体体积更大，是铜柱凸块尺寸的3-5倍,可焊性更强(也可以采用电镀工艺回流形成大直径锡球);（2）分为电镀焊锡和植球焊锡两类，前者尺寸更小，可用于小尺寸封装，后者使用更大的焊锡球来形成接点，可以增加元件与基板底材之间的距离，缓冲基板与元件间因热膨胀差异而产生的应力，增加元件的可靠性。

图表14：铜镍金凸块工艺流程

来源：顾中科技官网，国金证券研究所

图表15：电镀焊锡凸块工艺流程

来源：顾中科技官网，国金证券研究所

2）重布线层（RDL）技术是用于水平方向电气延伸和互联的技术。由于I/0 触点通常分布芯片四周，如果直接进行倒装封装会因为引线过少或过密影响连接效果，而 RDL通过对芯片上的触点进行重新布局和导电，改变芯片管脚的分布或将管脚引出到外围宽松的区域，从而降低封装难度并增加|/0引脚数量。

RDL工艺需要曝光、PVD等设备，具体工艺流程如下：（1）再钝化形成绝缘层并开口；（2）利用旋涂膜技术涂覆烘烤后形成种子层；（3）上光刻胶，曝光显影后形成线路图再电镀铜垫；（4)去胶、刻蚀；(5）第一层布线完成后重复步骤，开始形成第二层。

3）晶圆（wafer）技术是先进封装在封装对象层面实现突破的工艺基础。在传统封装中，裸片先进行切割分片再各自封装，而晶圆级封装（WLP）则是在晶圆的基础上直接封装再进行切割分片，封装面积与裸片一致，可以提高封装效率并降低封装成本。

图表16:RDL工艺流程
图表17:TSV工艺流程

来源：SMT，国金证券研究所
来源：SMT，国金证券研究所

4）硅通孔（TSV）技术是在垂直方向上进行电气延伸和互联的技术，也是实现三维立体堆叠和系统集成的基础。该技术通过在硅中介层或芯片中插入垂直的金属填通孔，短距离连接上下层芯片，可以实现高带宽低延时的信息传递，被大量应用于系统级封装（如2.5D/3D 封装）。

TSV 工艺需要DRIE、CVD、PVD、CMP等设备，具体工艺流程如下：（1）通孔刻蚀，运用激光刻蚀、湿法刻蚀或深反应离子刻蚀技术在硅片上打孔；（2）在硅孔内形成绝缘层，防止通孔间漏电或串扰；(3)运用物理气相沉积等方法形成阻挡层和种子层；(4)运用电镀工艺在通孔内填充铜、钨、多晶硅等金属材料；(5）运用CMP工艺对晶圆片进行抛光减薄；（6）使用粘合剂、金属或氧化物实现多层硅芯片的堆叠和键合。

图表18：先进封装的四要素

来源：国金证券研究所

倒装封装：是直接在芯片I/0焊盘上或RDL重布线层上沉积凸块，然后将芯片电气面朝下，倒扣在封装衬底上实现电气互联的封装技术。与传统封装引线键合 (WireBonding)方式相比，倒装技术大幅缩短了互联距离，电阻电感更小，芯片电性能和散热性更好。同时紧凑的结构排布使得封装具有更小的尺寸和更强的抗冲击性，对于移动设备和工业应用等领域具有重要意义。

图表19：倒装封装与传统封装对比图
图表20：晶圆级封装工艺流程

来源：SK海力士，国金证券研究所
来源：Semiconductor Engineering，国金证券研究所

晶圆级封装：是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术。对比传统封装先切割晶圆再逐个封装的流程，晶圆级封装技术直接在晶圆上完成封测程序后进行批量化切割，封装与芯片制造融为一体，大幅缩减生产成本。同时该类封装不需要引线框架、基板等介质，可以最大程度地提高封装效率，封装后的芯片尺寸与裸片一致。

扇出型封装：晶圆级封装分为扇入型封装（Fan-in）和扇出型封装两种，扇入型封装利用RDL层将电信号向内扩展至芯片中心，封装尺寸基本等于芯片尺寸，可容纳的I/0数量较少，多用于小型便携产品。但随着技术进步，对于芯片I/0数量的要求不断提升，扇出型封装应运而生。扇出型封装是在芯片的范围之外利用RDL重布层，将电信号向外扩展至芯片外的区域（扇出区)，因此可以连接更多引脚。相比于扇入型，扇出型封装具有更好的扩展能力、电气性能和热性能，多用于基带处理器、射频收发器、5G、医疗器件处理器等低耗高频高速的设备中。

图表21：扇入/扇出型封装结构示意图
图表22：2.5D/3D封装结构示意图

来源：国金证券研究所
来源：Semiconductor Engineering，国金证券研究所

2.5D/3D封装：2.5D封装和3D封装是多芯片立体堆叠的封装技术。两者的主要区别在于电互联的实现方式，2.5D封装是在中介层（interposer）上打孔布线来展开水平互联，3D封装则是直接在芯片上打孔布线实现垂直方向的上下层连接。从制造结构来看，2.5D 封装的芯片倒扣在中介层（interposer）之上，通过一系列的微凸块和硅通孔实现不同功能裸片和基底之间的连接，具有高密度、低功耗和低延迟的特性。而3D封装不需要中介层，芯片通过TSV多层垂直堆叠直接实现高密度互连，提高了IC的性能；同时因为它允许更加紧凑的布线设计，减少了信号传输的阻力，降低了IC 的功耗。

系统级封装（System in Package,SiP)：是将多种功能芯片（包括处理器、存储器等）集成在一个封装内，从而实现完整功能的封装方式。目前电路集成化的实现主要有系统级封装和系统级芯片（System ona Chip，SoC）两条技术路径。SoC 是将具有不同功能的元器件整合在单个芯片中的技术，一颗芯片即为一个高度集成系统，其信息传递效率更高、体积更小，缺点在于其设计开发的周期更长，技术性要求更高，开发成本更高，因此多应用于对运算功能要求高的高单价GPU、HPC等。而系统级封装是将单颗功能复杂的SoC 集成芯片剥离成多个具有特定功能的芯片（Chiplet)，再采用TSV、interposer等工艺形成多功能异质异构的封装，其开发周期更短、良率更高、成本更低，是目前平衡功能与经济效益的最优选择。

图表23：系统级封装具备开发周期更短、良率更高、成本更低的优势

系统级芯片SoC	系统级封装SiP
一个芯片就是一个系统	集成系统的各个芯片与无源器件
开发周期长、成本高、良率低	更开发周期短、成本低、良率高
多是同质材料	可集成异质组件，如射频器件、RLC
更高密度、更高速	相对 SoC 密度低、速度低
产品效能较高	产品效能较低

来源：国金证券研究所

1.3、Chiplet助力AI算力芯片持续发展

Chiplet提升大芯片制造良率，降低生产制造成本

经Chiplet架构设计后，不同的die（芯片裸片）之间采用先进封装互联。Chiplet指小型模块化芯片，通过die-to-die内部互联技术将多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起形成一个整体的内部芯片。与SoC 不同，Chiplet将不同模块从设计时就按照不同计算或者功能单元进行分解，制作成不同die后使用先进封装技术互联封装，不同模块制造工艺可以不同。

图表24：Chiplet技术相比SoC技术每个模块可以采用不同的工艺

来源：国金证券研究所

Chiplet相比传统SoC 芯片优势明显。Chiplet 能利用最合理的工艺满足数字、射频、模拟、I/0等不同模块的技术要求，把大规模的SoC 按照功能分解为模块化的芯粒，在保持较高性能的同时，大幅度降低了设计复杂程度，有效提高了芯片良率、集成度，降低芯片的设计和制造成本，加速了芯片迭代速度。

图表25：Chiplet提高良率和集成度，降低成本，加速芯片迭代

Chiplet的优势	原因
良率提高	大面积的 SoC 放大了芯片生产中的工艺误差和加工缺陷，而Chiplet 只需要保障各个被集成的裸片的良率即可，有效降低了先进制程的研发和制造风险，提高了良率
集成度提高	Chiplet通过多个芯片片间集成，可以在封装层面突破单芯片上限，提高集中度、复杂度
设计成本降低	Chiplet设计灵活，且可以重复使用
制造成本降低	Chiplet可针对不同模块采取最合适的制程分开制造，制造成本大幅降低
芯片迭代速度加快	Chiplet将已有合格裸片进行集成设计，缩短了芯片的研发和设计周期，且不同模块可以分别迭代，加块芯片迭代速度

来源：国金证券研究所

图表26:Chiplet提升芯片良率

来源：唯芯派，国金证券研究所

HBM的应用解决了内存速率瓶颈

HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，其通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM。在高性能计算应用对内存速率提出了更高的要求的背景下，使用先进封装工艺的HBM很好的解决了传统DRAM的内存速率瓶颈的问题。HBM内部的 DRAM 堆叠属于3D封装，而 HBM与AI芯片的其他部分合封于Interposer 上属于2.5D封装。

图表27：HBM解决了内存速率瓶颈的问题

来源：Hardzone，国金证券研究所

堆叠子模块，提升计算性能

Chiplet支持多颗计算die合封于同一芯片，通过堆叠实现处理能力的提升。AMD于2023年6月发布了MI300产品，该芯片拥有13个小芯片，共包括9个5nm的计算核心（6个GCD+3个CCD)，4个6nm的I/Odie兼Infinity Cache（同时起到中介层的作用，位于计算核心和interposer 之间)，同时还搭载了累计8颗共计128GB的 HBM3芯片。

图表28:AMDMI300剖面图

来源：HighYield，国金证券研究所

助力国产半导体厂商突破海外制裁

Chiplet技术发展潜力大，有望助力国产半导体厂商突破海外科技领域制裁。2020 年美国将中芯国际列入“实体清单”，限制14nm及以下制程的扩产，导致国产14nm制程处于存量市场无法扩张。Chiplet技术可部分规避海外限制，向下超越封锁：1）Chiplet“化整为零”，将单颗芯片裸片面积缩小，使坏点出现时对整体晶圆的影响缩小，即良率提高，因此在国内14nm 产能为存量的局面下提升了实际芯片产出。2）Chiplet可仅对核心模块如CPU、GPU采用先进制程，对其他模块采用成熟制程，有效降低对先进制程的依赖，减少了14nm 晶圆的用量。3）Chiplet可通过将两颗14nm 芯片堆叠互联，单位面积晶体管数量翻倍，实现超越14nm 芯片的性能。因此Chiplet 技术成为中国半导体行业实现弯道超车的逆境突破口之一。

二、行业周期：触底持续进行，底部反转或将到来

封测厂营收与半导体销售额呈高度拟合关系。从产业链位置来看，封测属半导体产业链中位置相对靠后的环节，封测厂生产的产品将成为最终产品形态并进入设计厂商库存。因此，在库存水位较高的情况下，受IC设计厂商砍单影响，封测厂商表现会相对较弱，业绩出现明显下滑；但若当下游需求好转情况下，IC设计厂商会优先向封测厂商加单，加工处理之前积累的未封装晶圆，进而推动整体产业链从底部实现反转。从规模上看，封测厂营收趋势与全球半导体销售额基本一致。

图表29：封测厂业绩情况与半导体销售额拟合程度高

来源：Wind，国金证券研究所

下游出货量持续低迷是半导体景气度下滑的重要因素。按下游占比来看，移动通信和计算机是半导体最大的两个下游应用终端产品，移动通信约占30%,计算机终端市场约占26%，汽车、工业和其他消费类电子占据了其余部分。而手机和电脑的出货量持续低迷，处在持续探底的过程中，根据Gartner2023年1月发布的预测数据，2023年全球PC、智能手机出货量分别为2.68亿台、13.4亿台，较2022年分别-6.5%、-4.0%。

图表30：移动通信和计算机是2022年半导体最大的两个下游应用终端产品

来源：SIA，国金证券研究所

图表31：2023年全球PC出货量预计2.68亿台

来源：Gartner，Wind，国金证券研究所

图表32：2023年全球智能手机出货量预计13.4亿台

来源：Gartner，Wind，国金证券研究所

国内芯片设计公司整体库存维持在较高水位，部分公司库存拐点已现。受供需双重作用，国内芯片设计上市公司在2021年-2022Q3库存水平持续攀升。从供给端来看，自2020 年受特殊因素影响，全球出现芯片短缺，各大半导体制造企业积极扩产。伴随新产能陆续释放，全球半导体产能出现供给过剩。从需求端来看，受外部环境及美联储加息等影响，下游消费需求持续疲软，半导体销售额持续下降。在供需双重作用下，设计厂商进入被动补库存阶段。

但是，我们判断行业拐点或将出现，部分设计厂商目前已从“被动补库存”阶段陆续进入“主动去库存阶段”。22Q4-23Q1已经有部分芯片设计厂商库存水位下降，大多数芯片设计公司库存呈企稳态势。展望未来，芯片设计公司库存压力将有望随下游需求边际向好而继续改善。

图表33：国内模拟芯片设计公司存货（亿元）

来源：Wind，国金证券研究所

图表34：国内数字芯片设计公司存货（亿元）

来源：Wind，国金证券研究所

封测行业重资产属性强，利润受稼动率影响较大。封测行业呈现重资产属性的特质，固定资产的比重相对较大。稼动率受下游厂商库存水位偏高的影响，相对处于低位。固定资产的折旧占成本比重较大，在行业下行周期内会对利润造成较大影响。但展望未来，一旦下游需求好转，渠道库存下降，利润增长的弹性较大。

图表35：封测公司固定资产折旧占主营业务成本比例高

来源：Wind，国金证券研究所

筑底已基本完成，封测大厂业绩有望逐季改善。从下游需求来看，至暗时刻已过，部分设计厂商库存水位下降，已进入主动去库存阶段。下半年，部分海外厂商将备货新产品，对于封测端的需求有望提升。台湾力成在7月25日法说会表示，维持今年业绩逐季改善的看法，二季度业绩优于一季度，预计第三季营收也将优于第二季度。此外，受益于AI浪潮的拉动，先进封装产能吃紧。从产业趋势来看，有先进封装能力及汽车电子封测业务的公司，将在本轮复苏中更为受益。

三、海外大厂技术布局

3.1、台积电

台积电作为产业龙头，早在2008年底就成立了专门的导线与封装技术整合部门来研发封装技术，经过十余年的技术研发积累了多款先进封装技术，并于2020 年宣布推出 3DFabricTM品牌，进一步整合公司制程工艺和封装技术。3DFabricTM包括前段系统整合芯片技术（SoIC）和后段基板上芯片封装技术（CoWoS）和整合型扇出封装技术（InFO)。

图表36:台积电3DFabricTM系列产品

来源：台积电官网，国金证券研究所

1）CoWoS（Chipon Wafer on Substrate）是台积电2011年推出的首个2.5D先进封装技术，包括 CoWoS-S、CoWoS-R 和CoWoS-L三类。

CoWoS-S包括CoW和oS两部分，芯片间通过CoW工艺与硅晶圆相连，再通过凸块将CoW 芯片与基板相连。该技术用微凸块和硅穿孔工艺代替传统引线键合，将不同功能的芯片堆叠在同一个硅中介层上实现互联，具有缩小封装尺寸、降低功耗、提升系统性能的优点。

CoWoS-R是扇出型晶圆级封装，该技术利用RDL内插件实现芯片间的互连（常用于HBM和 SoC 的异构集成)，RDL重布线层由聚合物和铜线组成，具有较高的机械灵活性。这种灵活性提高了C4连接的完整性，可以扩大封装尺寸以满足更复杂的功能需求。

CoWoS-L是扇出型晶圆级封装，它结合了CoWoS-S和InFO技术的优点，通过使用带有LSI（局部硅互连）芯片的互插器实现芯片间的互连，并通过RDL层实现电源和信号传输，集成最为灵活。

图表37：台积电CoWoS结构示意图

来源Semiwiki，国金证券研究所

2）InFO(Integrated Fan-Out)是扇出型晶圆级系统集成技术，包括InFO_oS、InFO_PoP和 InFO_LSI。

InFO_oS与CoWoS-L相似，芯片间通过局部硅相连再用RDL重布层连接芯片和PCB基板，其具有高密度的RDL 带宽，适合HPC 和5G 通信领域，多用于小芯片消费性产品。

InFO_PoP是全球首款三维扇出型晶圆级封装，是FOWLP和PoP的结合体，上层DRAM芯片通过TIV（ThroughInFOVia）与基板相连，再通过凸块与下层扇出型晶圆级封装的处理器相连形成3D结构，与FC_PoP相比，InFO_PoP外形更薄，具有更好的电气和热性能，适用于移动设备、HPC 等领域。

InFO_LSI 则是在InFO_oS 的结构基础上，在基板内嵌入了LSI以增加互联速度，适用于 HPC 领域。

3）SolC（System ofIntegrated Chips）是超高密度芯片3D立体堆叠技术，包含CoW(ChiponWafer）和WoW(Waferon Wafer)两种方案，其中CoW技术是晶粒层面的互联，即将不同尺寸、功能的芯片进行异质集合，而WoW技术则是直接用整块晶圆来进行互联，通过晶圆堆叠工艺实现同质异构3D硅的集成。

该技术将多个小芯片集成在单个类似于SoC的芯片中，具有比原生SoC更好的性能。此外，不同于传统的中介层或芯片堆叠的方式，该技术可以在不使用微凸点的情况下直接将硅金属层键合到硅芯片上，可实现更小的体积和更少的功耗，是目前业内最先进的堆叠互连技术之一。

SolC 属于前道3D制造环节，而CoWoS和InFO属于后道环节，因此，通过SoIC技术将芯片集成到类似于SoC 芯片中，再整合到CoWoS或InFO工艺中，可以实现更小的键合间隔和更高的封装密度。

图表38：台积电SolC与CoWoS/InFO的关系

来源：台积电官网，国金证券研究所

3.2、英特尔

和台积电相似，英特尔也在先进封装领域布局多年，相继推出EMIB、Foveros 和Co-EMIB等先进封装技术，其 EMIB 技术和Foveros 技术分别对标台积电的CoWoS 技术和InFO 技术，但相关产品的量产时间均落后于台积电。

1）EMIB（Embedded Multi-DieInterconnect Bridge）是2.5D封装技术，它是在载板中嵌入硅桥来完成芯片间互联，而不是采用2.5D封装中常见的硅中介层进行互联。相比而言，硅桥接层（Silicon Bridge）面积小、成本低，可以提供更高的带宽和更低的功耗，具备设计简单和封装良率优秀等特点，但EMIB封装结构并不适用于芯片数量多且对于互联性能要求高的产品。

图表39：英特尔EMIB结构示意图

来源：Cool3C，国金证券研究所

2）Foveros 技术是英特尔推出的首款3D堆叠技术。Foveros 的顶层芯片以面对面的方式（F2F）相连，下方有微凸块，底层芯片中具有TSV硅穿孔，再通过下方的凸块实现基板与上层芯片的连通。与EMIB 相比，Foveros可以将不同尺寸和用途的芯片整合起来，进行芯片的横向和纵向的互联，具有极大的灵活性，适用于小尺寸或者带宽要求高的产品。

图表40：英特尔Foveros结构示意图

来源：Semiwiki，国金证券研究所

3）Co-EMIB和ODI是英特尔在提升封装可扩展性方面的技术成果。其中，Co-EMIB 技术是EMIB和Foveros 的结合，可以实现多个Foveros 结构元件的互连。ODI(OmniDirectionalInterconnect）技术主要有两种类型，Type1类似于EMIB 结构，底层芯片居于顶层芯片之间，芯片间通过ODI实现水平互连，Type2类似于Foveros，底层芯片完全被顶层芯片覆盖，上下层芯片通过TSV进行垂直互连。这两种类型可以与硅中介层混用，针脚数量远高于传统封装技术，具有更高的带宽和更低的电阻。

图表41：英特尔ODI结构示意图

来源：Wikichip，国金证券研究所

3.3、三星

由于台积电CoWoS技术的领先优势，三星近年来错失大陆英伟达和苹果等巨头的芯片代工订单,与台积电的市占率差距不断扩大。为扭转公司封装技术的落后局势,三星持续发力，相继推出I-Cube、H-Cube 和X-Cube 三大先进封装技术。

1）I-Cube（Interposer Cube）是2.5D封装技术，以TSV和 BEOL 技术为基础，通过水平并行的方式集合两个以上不同尺寸和功能的芯片。根据中介层的不同，分I-CubeS和|-CubeE两种，分别对标台积电的CoWoS-S和CoWoS-R。

》 I-Cube S将一块逻辑芯片和一组高带宽存储墙 HBM 放置在硅中介层上，再运用凸点和TSV 硅通孔技术连接芯片和PCB 载板，具有高算力、高带宽和低延迟等特点。

I-CubeE无TSV结构，是在RDL中介层中嵌入硅桥来实现芯片间的互联，具有精细成像的优势。

图表42：三星I-CubeS结构示意图

来源：三星官网，国金证券研究所

图表43：三星I-CubeE结构示意图

来源：三星官网，国金证券研究所

2）H-Cube（Hybrid Substrate Cube）是2.5D封装技术，通过硅中介层连接逻辑芯片、HBM和下层的混合基底。其特点在于,通过整合精细成像的ABF(Ajinomoto Build-up FiIm)基板和高密度互联（High Density Interconnection，HDI）基板来实现2.5D封装中更大尺寸的封装，专用于需要高性能和大面积封装技术的高性能计算、人工智能、数据中心和网络产品等领域。

图表44：三星H-Cube结构示意图

来源：三星官网，国金证券研究所

图表45：三星X-Cube结构示意图

来源：三星官网，国金证券研究所

3）X-Cube（eXtendedCube）是3D封装技术，计划在2024年实现量产。该技术采用在Z轴堆叠逻辑裸片的方法，将芯片垂直堆叠起来，大幅缩短互联距离、节省封装面积，直接对标台积电的 SoIC 技术。在芯片互联方式上，有微凸块和铜混合键合 HCB(Hybrid CopperBonding）两种技术，后者可以提供更高的芯片布局灵活性和更高的堆栈芯片密度，具备高带宽和低能耗等优势。

3.4、日月光

日月光作为目前全球最大的封装测试厂商，于2022年推出了VIPack先进封装平台，提供垂直互联整合封装解决方案。此平台利用先进的重布线层（RDL）制程、嵌入式整合以及2.5D/3D封装技术实现超高密度和性能设计的三维异质封装结构，主要由六大核心封装技术组成。

图表46：日月光VIPackTM先进封装平台

来源：日月光官网，国金证券研究所

1）FOPoP（Fan-Out Package on Package）是一种基于RDL 的封装，它将下层的扇出式封装与上层的封装堆叠在一起，下层封装的顶部和底部有由铜柱穿模连接的RDL重布线层。与传统PoP相比可以进一步减小封装尺寸并提高电气和热性能，具有低延迟、小体积和高带宽的优势，多用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）等领域。

2）FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）是一种扇出型倒装封装，它由两个ASIC 芯片组成，芯片倒扣，通过铜通孔与RDL相连（没有微凸块)，再与具有高引脚数量的 BGA基板封装。这一技术可以建立芯片间的短距离连接，以尽可能高效地实现高密度高效互联，多用于高性能计算领域。

图表47：日月光FOPoP及FOCoS结构示意图
图表48：日月光FOPoP-Bridge及FOSiP结构示意图

来源：日月光官网，国金证券研究所
来源：日月光官网，国金证券研究所

3）FOCoS-Bridge（Fan-Out Chip on Substrate Bridge）是一种2.5D 封装，它具有ASIC和 HBM两个芯片，两者通过嵌入RDL重布线层的硅桥芯片实现超细间距互连。它利用高度集成的扇出结构的优势，克服了传统电气互连的局限性，实现了处理器、加速器和内存模块之间高速、低延迟和高能效的数据通信，多用于人工智能、高性能计算应用等领域。

4）FOSiP（Fan-Out SysteminPackage）是集合RDL、载体系统、晶圆级组装和屏蔽溅射几大技术的系统级封装。其中，扇出型RDL提供了优于主流基板的精细线路灵活设计能力，载体系统使薄型晶圆处理成为可能，晶圆级组装提供了高速的SMT 服务，屏蔽溅射技术为特定射频应用提供了选择。FOSiP具有更高的频率应用、更好的性能和成本效益，广泛应用于智能手机、平板电脑、射频基础设施、边缘计算和物联网等领域。

5）2.5D/3D封装是将多个集成电路封装在同一封装内的封装方法。它可以将GPU、CPU、HBM和去耦电容集成在一起，并用带有TSV的硅内插层弥合组装基板和集成电路板之间细间距，多用于高端GPU、5G、人工智能、显示驱动等领域。

6）CP0（Co-packaged Optics）是将ASlC 和光引擎共同装配在同一个插槽上的共封装，其主要是基于硅光电子技术。硅光子技术可以利用CMOS生态系统实现电路高密度光子集成，并在紧凑型芯片上低成本实现复杂的光学功能。与传统的集成电路相比，硅光子技术具有更高的带宽和更好的能效，在高速传输数据时不会造成严重的信号失真，多用于高性能计算领域。

图表49：光纤集成的演变历程

来源：日月光官网，国金证券研究所

3.5、安靠

安靠作为第二大封测龙头厂商，一直致力于开发包括硅通孔、穿塑通孔、铜柱、铜混合键合等在内的技术工艺，目前主要有WLCSP、WLFO、WL3D、DSMBGA、AiP/AoP和 SWIFT/HDFO六大先进封装技术。

其中 SWIFT/HDFO 封装是一项高密度扇出技术(HDFO)，它可以在日益紧凑的封装结构中通过 RDL技术将多组晶片组装在一起，弥合了TSV和WLFO封装之间的差距。一般来说，S-SWIFT设计有4层RDL，第1和第3层用于信号路由，第2层充当接地层，第4层则作为某个平面或用于铜柱(CuP)互连。

图表50：安靠先进封装技术

技术	示意图	应用
晶圆级芯片尺寸封装WLCSP		高端 RF、FPGA、电源管理、闪存/EEPROM、集成无源网络、汽车等
晶圆级扇出型封装WLFO		通信、计算机、医疗、汽车等
晶圆级3D堆叠封装WL3D		移动消费品、基带、RF/无线、模拟、M2M通信、物联网(loT)等
双面模塑封装 DSMBGA		RF、可穿戴设备、汽车、计算机等
封装内/上天线AiP/AoP		移动消费品、汽车、航空航天等
硅晶圆集成扇出型封装SWIFT/HDFO		CPU/GPU、FPGA、移动 AP/BB 等

来源：安靠官网，国金证券研究所

四、投资建议

4.1、封测厂

建议积极关注布局先进封装的长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子以及晶方科技。中国大陆封测厂商在全球化竞争中已占据重要地位，三家龙头厂商稳居行业营收前十。根据芯思想研究院2022年全球委外封测榜单，2022年全球前三大封测厂商分别为日月光、安靠和长电科技，市占率合计51.9%，行业集中度较高。在2022年营收前三十榜单中，中国大陆上榜四家，其中长电科技、通富微电和华天科技稳居前十，甬矽电子作为行业新秀营收排名达到二十二名。

图表51：2022年海内外主要封测厂商营收排名

营收排名	公司名称	国家地区	营收（M$）	营收增长	净利润（M$)	毛利率	研发营收比
1	日月光	中国台湾	12325. 0	2.9%	1951.0	28.4%	5.6%
2	安靠	美国	7091. 6	15.5%	765.8	18.8%	2.1%
3	长电科技	中国大陆	4847.7	5.4%	463.9	17. 1%	3. 9%
4	通富微电	中国大陆	3076.8	28.8%	67.3	13.9%	6.2%
5	力成	中国台湾	2752.7	-7.1%	283.5	20.8%	2.9%
6	华天科技	中国大陆	1709.5	-5.9%	146.8	16.9%	5.9%
7	京元电子	中国台湾	11209.5	1.1%	223. 1	35.6%	3.4%
8	顾邦科技	中国台湾	822.8	-17. 4%	202.6	32.7%	3. 2%
9	南茂科技	中国台湾	786. 6	-20.0%	119.8	21.0%	4.9%
10	HANA	韩国	690.0	19. 6%	、	19.3%	3.6%
22	甬矽电子	中国大陆	312.6	1. 4%	19.7	22.0%	5.6%

来源：Wind，国金证券研究所

长电科技：封测龙头公司，先进封装打开成长空间

公司是全球第三大，中国大陆第一大半导体封测厂商。公司成立于1972年，于2016年并购星科金朋后进入发展快车道。据芯思想研究院发布的2022年全球委外封测榜单，长电科技市占率为10.71%，在全球前十大0SAT厂商中排名第三，仅次于台湾的日月光和美国安靠，是中国大陆排名第一的封测企业。公司拥有三大研发中心及六大生产基地，本部包括江阴、滁州、宿迁三大厂，覆盖传统高中低端封装，星科金朋（韩国、新加坡、江阴）、长电先进、长电韩国则以先进封装为主。公司于2023年1月宣布其XDF0IChiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，能够为国际客户提供4nm节点芯片系统的集成，最大封装体面积约为1500mm。该项技术可以在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，为客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。

公司产品主要下游应用领域包括通信、汽车电子、高性能计算和存储等领域。

通信：公司在大颗 FCBGA 封装测试技术上已累积十余年经验，具备从12x12mm 到77.5x77.5mm全尺寸FCBGA量产能力。2022年公司完成5G相关的毫米波RF产品和测试解决方案，WiFi-6e及RFFE模组已投入生产。

汽车电子领域：公司设有专门的汽车电子事业中心，产品类型已覆盖智能座舱、智能网联、ADAS、传感器和功率器件等多个应用领域。目前海内外六大生产基地全部通过IATF16949认证，并都有车规产品开发和量产布局。公司韩国工厂与下游企业合作研发了用于新能源汽车大客户的芯片，将用于该客户车载娱乐信息和ADAS辅助驾驶。

高性能计算：公司将研发投入到高密度多层重布线扇出型封装技术FO-MCM，该技术可以提供稳定高良率的产出。公司产能充足、交期短、质量好（良率均能达到99.9%以上)，江阴厂区可满足客户从中道封测到系统集成及测试的一站式服务。

存储：公司服务覆盖DRAM、FIash等各种存储芯片，目前已积累20多年存储封装量产经验，16层NANDFlash堆叠、35um超薄芯片制程能力、Hybrid 异型堆叠等存储封测技术均处于国内行业领先的地位。

公司2022年继续保持了营收及利润的稳健增长。公司2022年实现营收337.62亿元，同比增长10.69%；实现归母净利润32.31亿元，同比增长9.20%。展望未来，公司有望受益于汽车电子、5G 通信、高性能计算、存储等高附加值产品结构占比提高。

图表52：2022年长电科技实现营收337.62亿元，同比增长10.69%

来源：Wind，国金证券研究所

图表53：2022年长电科技实现归母净利润32.31亿元，同比增长9.20%

来源：Wind，国金证券研究所

通富微电：营收增长迅速，先进封装实力强劲

公司是全球第五大，国内第二大封测厂商。据芯思想研究院发布的2022年全球委外封测榜单，公司2022年营收规模首次进入全球四强。公司产品种类丰富，广泛应用于高性能计算、大数据存储、网络通讯、移动终端、车载电子、人工智能、物联网、工业智造等领域。公司共设有七大生产基地，分别为崇川总部、南通通富、合肥通富、通富超威苏州、通富超威槟城、厦门通富和通富通科。公司已覆盖多个先进封装工艺，自建2.5D/3D产线全线通线。

图表54：通富微电产线详情

基地	持股比例	主要封装类型	产品应用	2022年收入	2022年利润
崇川本部	母公司	中高端产品为主：FCLGA、QFN、bumping、WLCSP、FCCSP、BGAs、SIP	汽车电子以及功率模块	68.38亿元	2.39亿元
苏州	85%	先进封装为主：FCBGA、FCPGA、FCLGA、MCM、Chiplet	CPU、GPU、APU、游戏机芯片等	69.57亿元	3.78亿元
槟城	85%	先进封装为主：FCBGA、FCPGA、FCLGA、MCM、Chiplet	CPU、GPU、APU、游戏机芯片等	74.28亿元	2.89亿元
南通通富（苏通）	100%	高端产品为主：BGAs、LGAs、FCBGA、QFN、SIP	手机终端、5G通讯领域	17.25亿元	-1.01亿元
合肥通富	100%	超高密度框架为主：SOP、宽排 SOT/SC70/MSOP	存储器、显示驱动	8.63亿元	-1.26亿元
通富通科	78%	PDFN、TO等	功率器件	0.33亿元	-0.58亿元

来源：通富微电公告，国金证券研究所

公司紧贴AMD等龙头客户，营收增速高。公司主要客户有AMD、恩智浦、联发科、英飞凌、德州仪器、意法半导体、韦尔股份、兆易创新、卓胜微、艾为电子等。公司目前为AMD 最大的封装测试供应商，占其订单总数的80%以上。公司2022年度实现营收214.29亿元，同比增长35.52%；实现归母净利润5.02亿元，同比下滑 47.53%。在行业整体处于下行周期内的阶段，公司营收实现较大幅增长的主要原因大客户订单增长较快。但同时，由于受到汇兑损失和计提折旧的影响，利润出现了较大幅度下滑。

图表55：2022年通富微电实现营收214.29亿元，同比增长35.52%

来源：Wind，国金证券研究所

图表56：2022年通富微电实现归母净利润5.02亿元，同比下降47.53%

来源：Wind，国金证券研究所

华天科技：积极布局先进封装，下行周期业绩承压

公司是全球第六大，国内第三大封测厂商。公司产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、物联网、工业自动化控制、汽车电子等领域。公司目前主要封装产品可分为三类：

》引线框架类产品：主要包括DIP/SOP、QFP、QFN、FCQFN、SOT、DFN;

》基板类产品：主要包括WBBGA/LGA、FCCSP/FCLGA、FCBGA、SiP;

晶圆级产品：定位高端产品，主要包括WLP系列、TSV系列、Bumping系列和MEMS系列等。

图表57：华天科技五大基地主要封装类型及应用

基地	主要封装类型	规划投资金额与进展	应用
天水	引线框封装为主：DIP/SIP/SOP/MSOP/SSOP/VSOP/SS0P/TSSOP/SOT/QFP/LQFP/TQFP	目前总投资58亿元，占地500亩，拥有净化厂房10万+m²	驱动电路、电源管理、蓝牙、MCU、NORFlash、电表电路等
西安	引线框封装为主：QFN/DFN	目前总投资53亿元，占地162亩，拥有净化厂房8万+m²	射频、MEMS、存储器、指纹产品、TWS、汽车电子、MCU、电源管理等
昆山	晶圆级封装包括TSV/WLCSP/FAN-OUT/ESINC；倒装封装包括FCSOT/FCDFN/FCQFN；凸块封装有COPPER PILLAR BUMPING	目前总投资32亿元，占地110亩，拥有净化厂房4万+m²	CMOS、Sensor、WLC 摄像模组、CSP 摄像模组、FPC、镜头、lens、VCM、Holder 等
南京	基板封装包括 FBGA/LGA；倒装封装包括 FCCSP/FCLGA/ED-FCCSP/SiP	目前总投资80亿元，占地500亩，拥有净化厂房5.7万+m²	存储器、MEMS、人工智能等
Unisem	Bumping/SiP/FC/MEMS		射频、汽车电子等

来源：华天科技官网，国金证券研究所

受行业景气度下行及终端库存影响，公司业绩整体承压。公司2022年营业收入119.06亿元，同比下降1.58%；归母净利润7.54亿元，同比下降46.74%。景气度低迷的情况延续到 23Q1，23Q1公司实现营业收入22.39亿元，同比下降25.56%；归母净利润亏损1.06亿元，同比下降151.43%。

图表58：2022年华天科技实现营收119.06亿元，同比下降1.58%

来源：Wind，国金证券研究所

图表59：2022年华天科技实现归母净利润7.54亿元，同比下降46.74%

来源：Wind，国金证券研究所

甬矽电子：封测行业新秀，聚焦先进封装

公司是新锐半导体封测厂商，成立之初即聚焦先进封装领域。公司封装产品主要包括高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP)、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）和微机电系统传感器（MEMS）四大类别，主要应用于射频前端芯片、AP类SoC芯片、触控芯片、WiFi芯片、蓝牙芯片、MCU等物联网芯片、电源管理芯片、计算类芯片、工业类和消费类等领域。公司全部产品均为QFN/DFN、WB-LGA、WB-BGA、Hybrid-BGA、FC-LGA 等中高端先进封装形式，在FC、SIP、QFN/DFN等先进封装领域具有较为突出的封装技术优势和先进性。

图表60：甬矽电子主营产品及主要客户

品	类型	客户	应用
系统级封装产品	Hybrid-BGA、Hybrid-LGA、WB-BGA、WB-LGA	唯捷创芯、翱捷科技、晶晨股份、深圳飞骧、联发科、星晨科技	射频模块、CAT1等蜂窝物联网用芯片、智能机顶盒、智能电视、智能家居等物联网用芯片、射频模块、电源管理芯片、配套 SoC 芯片、AP 类 SoC 芯片
扁平无引脚封装产品	QFN/DFN	星晨科技、联发科、富瀚微、北京君正、恒玄科技	视讯影像芯片、电源管理、视讯控制所用芯片、蓝牙/WIFI芯片
高密度细间距凸点倒装产品	BTC-LGA、FC-LGA、FC-CSP	宜芯微电子、昂瑞微、展讯通信、深圳飞骧、晶晨股份	数字货币矿机、2G/3G 射频PA、多媒体智能、终端 SoC 芯片
微机电系统传感器	MEMS	鑫创科技	传感器、麦克风声音和降噪、心率监测、生物识别、消防安全等

来源：甬矽电子招股说明书，国金证券研究所

受行业周期下行及低稼动率影响，公司利润大幅下滑。公司 2022 年营业收入21.77亿元，同比增长5.96%,归母净利润1.38亿元,同比下降57.11%。景气度低迷的情况延续到23Q1,23Q1公司实现营业收入4.25亿元，同比下降26.85%；归母净利润亏损0.50亿元，同比下降 170.04%。

图表61：2022年甬矽电子实现营收21.77亿元，同比增长 5.96%

来源：Wind，国金证券研究所

图表62：2022年甬矽电子实现归母净利润1.38亿元，同比下降57.11%

来源：Wind，国金证券研究所

公司产品均为中高端先进封装，并且在SIP、QFN/DFN 等领域具有突出优势。SIP产品是公司收入占比最大的业务，2022 年实现营收12.25亿元，营收占比56.28%，毛利率为24.1%；QFN产品2022年实现营收6.32亿元，占比为29.02%，毛利率为12.0%；FC产品毛利率水平较高，2022年实现营收2.92亿元，占比为13.42%，毛利率达31.5%。

图表63：甬矽电子先进封装产品营收拆分（百万元）

来源：Wind，国金证券研究所

晶方科技：大陆晶圆级封测龙头

公司布局晶圆级封测，公司具备8英寸和12英寸晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）技术的规模量产能力，下游产品主要包括CIS芯片、TOF芯片、生物身份识别芯片、MEMS芯片等，广泛应用在手机、安防监控、身份识别、汽车电子、3D传感等电子领域。目前，公司主要客户有豪威、格科微、索尼、晶相光电、思特威等。2022年受行业周期下行的影响，公司主营业务影像传感器市场需求疲软，公司营收及利润大幅下滑。公司 2022 年实现营收11.06亿元，同比下降21.62%；实现归母净利润2.28亿元，同比下降60.45%。2023年Q1实现营收2.23亿元，同比下降 26.85%；实现归母净0.29亿元，同比下降 68.92%。

图表64：2022年晶方科技实现营收11.06亿元，同比下降21.62%

来源：Wind，国金证券研究所

图表65：2022年晶方科技实现归母净利润2.28亿元，同比下降60.45%

来源：Wind，国金证券研究所

4.2、先进封装设备

先进封装所需半导体设备涉及前道设备（刻蚀机、光刻机、PVD/CVD、涂胶显影设备、清洗设备等）、后道封装设备（磨片机、划片机、固晶机、键合机、塑封设备等)。建议积极关注华海清科、芯基微装、芯源微、新益昌、奥特维、大族激光、光力科技、耐科装备等公司。

图表66：国内外先进封装涉及前道及后道设备厂商梳理

工序	设备	国际厂商	国内厂商
前道	刻蚀机	泛林、应用材料、东京电子	北方华创、中微半导体、北京屹唐
	光刻机	阿斯麦、尼康、佳能	上海微电子、芯基微装
	PVD/CVD	泛林、应用材料、东京电子、科意半导体、先晶半导体	北方华创、拓荆科技、盛美上海
	清洗设备	泛林、东京电子、迪恩士、细美事	盛美上海、至纯科技、芯源微
	涂胶显影	东京电子、细美事	芯源微、盛美上海
后道	圆片减薄机	Disco、东京精密、冈本工机	中电科、华海清科、兰新高科、深圳方达
	划片机	Disco、东京精密、JPSA、Synova	大族激光、德龙激光、中电科、兰新高科、汇盛电子、江苏京创、光力科技
	固晶机	K&S、ASM、BESI	新益昌、艾克瑞思、东莞普莱信
	引线键合机	K&S、ASM、BESI、Shinkawa	中电科、奥特维、新益昌、北京创世杰
	塑封机	TOWA、BESI、Yamada、ASM	耐科装备

来源：国金证券研究所

华海清科：国产CMP设备龙头

公司是国产CMP设备制造的突破者。2013年，华海清科由清华大学和天津市政府合资成立，并于2014年研制出了国内首台12英寸CMP设备。CMP设备可实现晶圆或硅片表面纳米级的全局平坦化，是先进封装后道工序的关键工艺设备。公司自成立以来一直专注于CMP 设备工艺技术及配套材料的研发，是目前国内少数能提供12英寸CMP高端半导体设备的制造商。

图表67：2022年华海清科实现营收16.49亿元，同比增长 104.86%

来源：Wind，国金证券研究所

图表68：2022年华海清科实现归母净利润5.02亿元，同比增长152.98%

来源：Wind，国金证券研究所

核心产品持续放量，推动营收快速增长。自2018年CMP产品实现量产以来，公司营业收入持续增长，2022年实现总营收16.49亿元，2018年-2022年营收CAGR达160.15%，随着经营规模的不断扩张，公司于2020 年扭亏为盈，2022年归母净利润达5.02亿元，同比增长152.98%。作为公司核心产品,CMP设备2022年营收14.31亿元，占总营收86.77%；2019 年-2022年，CMP设备业务毛利率由30.16%上升至47.65%，盈利能力显著提升。

图表69：华海清科CMP设备业务营收占比高，毛利率持续增长

来源：Wind，国金证券研究所

芯基微装：深耕直写光刻设备，泛半导体业务助力成长

公司是国内直写光刻设备领军企业，深耕泛半导体直写光刻设备与PCB 直接曝光设备领域。公司一直致力于优化PCB 曝光设备性能，产品市占率逐步提升。另外公司还积极拓展业务版图，相继推出了用于IC载板、先进封装、光伏电池曝光等领域的泛半导体直写光刻设备，泛半导体业务成为公司的第二成长曲线。

新老业务的齐头并进，公司收入规模持续增长。2022年公司实现营收6.52亿元，2018年-2022年营收CAGR达65.46%，2023年Q1实现营收1.57亿元，同比增长50.29%；其中，PCB 业务和泛半导体业务2022年分别实现营收5.27亿元和0.96亿元，占比80.78%和14.66%，毛利率分别为37.90%和65.08%。2022年和2023年Q1，公司分别实现净利润1.37亿元和0.34亿元，同比增长28.66%和70.32%。

图表70：2022年芯基微装实现营收6.52亿元，同比增长 32.51%

来源：Wind，国金证券研究所

图表71：2022年芯基微装实现归母净利润1.37亿元，同比增长28.66%

来源：Wind，国金证券研究所

图表72：芯基微装主营业务收入稳步增长

来源：Wind，国金证券研究所

芯源微：涂胶显影机打破国际垄断，国内市场空间广阔

公司是国内少有的涂胶显影设备厂商。根据中商产业研究院2022年数据，中国大陆的涂胶显影设备市场被国外厂商高度垄断，日本东京电子市占率达91%，而公司市占率仅为5%,大陆其他厂商市占率合计4%。公司涂胶显影业务起步较早，技术处于国内领先的地位，主要产品有光刻工序涂胶显影设备(涂胶显影机、喷胶机)和单片式湿法设备(清洗机、去胶机、湿法刻蚀机)，可用于12英寸、8英寸、6英寸及以下的单晶圆处理。

公司营收保持高速增长，涂胶显影机技术优势明显。2022年，公司实现营收13.85亿元，同比增长67.12%，2018年-2022年营收CAGR达60.25%；2022年实现净利润2.00亿元，同比增长158.77%，2018年-2022年净利润CAGR达60.69%。作为公司的主营业务，光刻工序涂胶显影设备营收规模稳步增长，2022 年实现营收7.57亿元，毛利率为34.65%，2018 年-2022年营收CAGR 为55.64%，五年营收贡献均维持在50%以上。

图表73：2022年芯源微实现营收13.85亿元，同比增长67. 12%

来源：Wind，国金证券研究所

图表74：2022年芯源微实现归母净利润2.00亿元，同比增长 158.77%

来源：Wind，国金证券研究所

图表75：芯源微光刻工序涂胶显影设备营收稳步增长，收入贡献过半

来源：Wind，国金证券研究所

新益昌：固晶设备龙头，LED及半导体共同驱动业绩成长

公司是深耕固晶设备领域，是国内LED固晶机和电容器老化测试智能制造装备领域的领先企业。公司成立于2006年，经过多年的技术研发和积累，不断拓展业务版图，相继推出半导体固晶机和MiniLED固晶机，成为国际固晶机领域的龙头厂商。公司部分智能制造装备产品核心零部件已实现自研自产，是国内少有的具备核心零部件自研自产能力的智能制造装备企业。公司与海内外优质客户合作紧密，主要客户包括晶导微、灿瑞科技、通富微电、国星光电、三安光电、鸿利智汇、瑞丰光电、雷曼光电、三星、亿光电子等。

受行业周期影响，公司业绩承压。2022年，公司实现营收11.84亿元，同比下降1.08%，实现净利润2.05亿元，同比下降11.76%。公司的LED 固晶机和电容器设备为营收主要来源,产品毛利率水平较高。2022年,LED封装设备实现营收9.09亿元,营收占比达76.78%，毛利率45.05%，电容器设备实现营收2.24亿元，营收占比18.92%，毛利率36.20%。

图表76：2022年新益昌实现营收11.84亿元，同比下降1. 08%

来源：Wind，国金证券研究所

图表77：2022年新益昌实现归母净利润2.05亿元，同比下降11.76%

来源：Wind，国金证券研究所

奥特维：光伏串焊机领军者，多维布局半导体封测设备

公司是光伏组件串焊机设备的龙头厂商。公司2013年以串焊机起步，同时横向布局锂电设备和半导体设备领域。公司产品主要应用于光伏行业、锂电行业、半导体行业封测环节，主要包括：

光伏设备：大尺寸超高速多主栅串焊机、大尺寸超高速硅片分选机、激光划片机、丝网印刷线、光注入退火炉、单晶炉等；

》锂电设备：圆柱电芯外观检测、动力（储能）模组PACK线等；

半导体封测设备：铝线键合机。

公司成长曲线多元，营收及净利润持续高速增长。2022年及2023年Q1，公司实现营收35.40亿元和10.39亿元,同比增长72.94%和66.27%,2018年-2022年营收CAGR达56.77%;2022年及2023年Q1，公司实现归母净利润7.13亿元和2.21亿元，同比增长92.25%和107.42%。

图表78：2022年奥特维实现营收35.40亿元，同比下降72. 94%

来源：Wind，国金证券研究所

图表79：2022年奥特维实现归母净利润7.13亿元，同比增长 92.25%

来源：Wind，国金证券研究所

大族激光：激光设备龙头企业，多元化业务布局初见成效

公司是全球领先的激光设备厂商，产品全面覆盖激光工业应用。公司于1996年成立，经过二十余年的技术积累，具备了从基础器件、整机设备到工艺解决方案的垂直一体化能力，是全球领先的智能制造装备整体解决方案提供商。公司业务包含信息产业、新能源、半导体和通用工业激光加工四大板块，主要设备及产品有：

消费电子设备：主要产品为专用激光打标设备、激光焊接设备、激光钻孔设备、防水气密性检测设备、CNC 数控机床等，用于手机、笔记本电脑、智能手表等消费电子产

品的生产加工环节。

PCB设备：主要产品为钻孔设备、激光直接成像设备、成型设备以及检测设备等，面向钻孔、曝光、成型、检测等 PCB生产的关键工序。

锂电设备：主要产品为匀浆、搅拌、涂布、辊压、模切、分切、卷绕/叠片、电芯组装、烘烤、注液、化成分容等加工设备及自动化生产线，用于锂电池电芯、模组、PACK段的生产加工环节。

光伏设备：主要产品在光伏电池及组件环节，包括topcon 电池生产主设备：激光硼掺杂设备、PECVD（等离子增强气相沉积设备）、LPCVD（低压化学气相沉积设备）、扩散炉、氧化炉、退火炉，以及组件段的无损划片机、划焊一体机等。

半导体设备：主要产品为激光表切、全切设备，激光内部改质切割设备以及刀轮切割设备等前道晶圆切割设备；焊线设备、固晶设备、测试编带设备等后道封测设备以及晶圆自动化传输设备，用于半导体及LED、显示面板等泛半导体的生产加工环节。

通用元件及行业普及产品：紫外及超快激光器、高功率光纤激光器、中低功率C02激光器、脉冲光纤激光器、通用运动控制系统、振镜、伺服电机等工业激光加工设备及自动化设备的关键器件。

受消费电子及通用制造行业需求疲软影响，公司业绩短期承压。2022年及2023年Q1，公司实现营收149.61亿元和24.25亿元，同比下降8.40%和 28.55%；归母净利润分别为12.10亿元和1.42亿元，同比下降39.35%和57.15%。展望2023年，随着消费电子及PCB设备下游需求企稳及公司产品的迭代更新，业绩或将修复；2023 年公司多款第三代半导体技术产品有望放量，半导体设备业务有望迎来新一轮高速增长。

图表80：2022年大族激光实现营收149.61亿元，同比下降8.40%

来源：Wind，国金证券研究所

图表81：2022年大族激光实现归母净利润12.10亿元，同比下降39.35%

来源：Wind，国金证券研究所

光力科技：双核心业务板块协同发展，持续完善产品线布局

公司是全球排名前三的半导体切割划片装备企业和国内领先的半导体封测设备及关键零部件企业。公司自2015年上市以来持续并购世界优质半导体设备及高端零部件企业，迅速扩展半导体封测设备市场，形成半导体封测装备业务及物联网安全生产监控装备两大核心业务板块的布局。在现在设备的基础上产品不断迭代升级，相继推出研磨机、全自动数字化智能钻机等设备。目前公司主要产品有：

半导体切割设备：全自动双轴晶圆切割划片机、半自动双轴晶圆切割划片机、用于第三代半导体切割的6英寸半自动单轴切割划片机等;

》核心零部件：高性能高精度空气主轴;

》刀片：软刀、硬刀；

》物联网安全生产监控装备：基于物联网的数字化智能钻机。

公司营业收入持续增长，主营业务毛利率水平稳定。2022年及2023年Q1，公司分别实现营收6.14亿元和1.43亿元，同比增长15.89%和19.16%；2022年归母净利润为0.65亿元，同比下降44.56%，23年Q1净利润0.22亿元，同比增长8.62%。2022年，公司主营业务半导体封测及安全监控分别实现3.24亿元和2.91亿元营收，毛利率分别为42.13%

和 65.71%。

图表82：2022年光力科技实现营收6.14亿元，同比增长 15.89%

来源：Wind，国金证券研究所

图表83：2022年光力科技实现归母净利润0.65亿元，同比下降44.56%

来源：Wind，国金证券研究所

耐科装备：塑料挤出装备龙头，封装设备业务发展迅猛

公司是国产塑料挤出装备的龙头厂商，封装设备领域技术逐步与国际接轨。公司成立之初以塑料挤出成型设备为主营业务，2014年切入半导体封装设备领域后，相继开拓了通富微电、华天科技、长电科技等国内头部封装企业客户，进入发展快车道。公司的主要产品有：

》塑料挤出成型模具和装置：模头、定型模、冷却水箱和定型块、后共挤装置；

塑料挤出成型下游设备：定型台、牵引切割机;

》半导体封装模具：切筋成型模具、MGP 模具;

半导体封装设备：全自动封装设备、模块组合式全自动切筋成型设备、一体式自动切筋成型设备、塑料封装压机。

半导体业务持续发力，公司业绩保持高增长。2022年，公司实现营收2.69亿元，同比增长8.19%，2018年-2022年，营收CAGR 达43.75%；2022年，公司实现净利润0.57亿元,2018年-2022年，净利润CAGR达58.64%。自2019年公司半导体全自动封装设备NTAMS120和全自动切筋成型设备问世，公司半导体封装设备及模具业务营收贡献逐年增长，2022 年实现营收1.63亿元，占比达60.58%。

图表84：2022年耐科装备实现营收2.69亿元，同比增长8.19%

来源：Wind，国金证券研究所

图表85：2022年耐科装备实现归母净利润0.57亿元，同比增长7.68%

来源：Wind，国金证券研究所

五、风险提示

半导体行业景气度复苏不及预期的风险：当前下游整体需求表现为弱复苏阶段，若需求回

暖进度低于预期，会对封测行业业绩产生不利影响。

市场竞争加剧的风险：除封测厂外，晶圆厂也在开发相关先进封装技术，可能会使封测行业竞争加剧，进而产生不利影响。

先进封装市场规模增长不达预期的风险：如若先进制程成本降低较快，先进封装的经济效能将会下降，进而导致先进封装技术未能如预期实现高渗透率，市场规模将不及预期。

行业投资评级的说明：

买入：预期未来3一6个月内该行业上涨幅度超过大盘在15%以上；

增持：预期未来3一6个月内该行业上涨幅度超过大盘在5%一15%;

中性：预期未来3一6个月内该行业变动幅度相对大盘在-5%一5%;

减持：预期未来3一6个月内该行业下跌幅度超过大盘在5%以上。

特别声明：

国金证券股份有限公司经中国证券监督管理委员会批准，已具备证券投资咨询业务资格。

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先进封装价值量提升叠加需求回暖，封测产业链机遇将至

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内容目录

图表目录

一、先进封装：后摩尔时代提升系统性能的关键路径

1.1、摩尔定律放缓，先进封装接力先进制程助力持续发展

1.2、先进封装发展迅速，各路线百花齐放

1.3、Chiplet助力AI算力芯片持续发展

Chiplet提升大芯片制造良率，降低生产制造成本

HBM的应用解决了内存速率瓶颈

堆叠子模块，提升计算性能

助力国产半导体厂商突破海外制裁

二、行业周期：触底持续进行，底部反转或将到来

三、海外大厂技术布局

3.1、台积电

3.2、英特尔

3.3、三星

3.4、日月光

3.5、安靠

四、投资建议

4.1、封测厂

长电科技：封测龙头公司，先进封装打开成长空间

通富微电：营收增长迅速，先进封装实力强劲

华天科技：积极布局先进封装，下行周期业绩承压

甬矽电子：封测行业新秀，聚焦先进封装

晶方科技：大陆晶圆级封测龙头

4.2、先进封装设备

华海清科：国产CMP设备龙头

芯基微装：深耕直写光刻设备，泛半导体业务助力成长

芯源微：涂胶显影机打破国际垄断，国内市场空间广阔

新益昌：固晶设备龙头，LED及半导体共同驱动业绩成长

奥特维：光伏串焊机领军者，多维布局半导体封测设备

大族激光：激光设备龙头企业，多元化业务布局初见成效

光力科技：双核心业务板块协同发展，持续完善产品线布局

耐科装备：塑料挤出装备龙头，封装设备业务发展迅猛

五、风险提示

行业投资评级的说明：

特别声明：

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电子行业深度研究：先进封装价值量提升叠加需求回暖，封测产业链机遇将至-20230818-国金证券-39页