产业链安全再平衡系列之（二）：半导体产业政策梳理与分析｜2023.3.8

中信证券研究部

徐涛
科技产业联席首席
分析师
S1010517080003

王子源半导体分析师S1010521090002

夏胤磊半导体分析师S1010521080005

玛西高娃
宏观分析师
S1010520100001

电子行业

评级强于大市（维持）

核心观点

我们复盘了国内外集成电路产业扶持政策和国内新能源车产业的发展经验，并尝试对政策深化的可能路径进行分析，我们认为政策未来可以围绕制定目标、组织协调、引导投资、支持人才、攻关机制、国际合作、财税政策、专项补贴、鼓励国产等方面展开，从当下产业安全角度出发，建议重点关注国内半导体产业链，尤其是半导体设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、后续有望获得政策推动的环节。

历史复盘：政策持续扶持，促进国内半导体产业发展。回顾国内半导体行业历史政策，从国家到地方先后出台多项扶持政策，推进产业发展。从方向上看，现有扶持政策聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等关键“卡脖子”领域；从方式上看，扶持政策深入财税、融资、平台、对外开放、进出口政策、产业园区建设、产业链孵化器、国产替代等诸多细化抓手，为半导体产业的高质量发展提供可实际操作的行动指南。

产业现状：中低端环节国产化率显著提升，部分高端环节还有待突破。在国内全方位、多角度的产业政策支持下，国内半导体国产化水平不断提升，特别是2018 年以来美国缩紧对华半导体产业制裁，国产替代持续加速。在制造端和设备端，国产化率均得到快速提升，自主化产业链初具雏形，近 5年来 IC设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等各环节中均有部分细分赛道的国产化率实现快速提升，但也需要注意到，在关键芯片及设备领域，如芯片端的 CPU、GPU、AI 芯片、DRAM、NAND Flash，设备端的光刻机、离子注入设备、过程控制设备等国产化率仍处于较低水平，且是外部制裁针对重点，有必要对产业进行顶层设计、组织协调，期待相关政策加速产业发展。

经验参考：参考全球多地区半导体产业及国内新能源汽车产业发展历程，政策加速产业发展。从美日韩以及中国台湾省的发展经验来看，政府政策引导、优秀人才培养、下游产业集群、持续资金投入等要素不可或缺。从国内新能源车产业发展历史来看，顶层设计规划、全方位的产业补贴加速了产业做大做强，使得中国新能源车产业跻身国际前列。从产业转移角度，中国半导体行业处在奋起追赶的发展黄金窗口期，任重道远。

国内半导体产业政策展望与分析：市场期待的集成电路产业政策后续有望落地，建议关注“两会”后政策窗口期。根据新华社报道，2023 年 3 月 2 日，国务院副总理刘鹤在北京调研集成电路企业并主持召开座谈会。刘鹤指出“习近平总书记高度重视集成电路产业发展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合国情和新形势的集成电路产业政策”。我们认为后续若推出相关半导体政策，可能从以下几方面深入：1）顶层设计：国家层面统筹决策，制定统一目标、组织协调；2）引导投资：优化考核机制，引导产业基金长期投资，进一步完善半导体企业融资渠道；3）人才支持：培养产业人才，给予国内人才税收优惠，海外人才国民待遇；4）攻关机制：以企业为主体攻关产业应用，成立国家级或联合科研机构；5）财税政策：加大优惠力度，结合多种税收优惠实现补贴；6）国际合作：发挥庞大市场需求优势和成本优势，加强外部合作；7）专项补贴：针对卡脖子环节进行专项补贴，加速推动技术进步；8）鼓励国产：鼓励终端采购国产芯片，鼓励设计公司本土流片，鼓励采购国产设备/材料/EDA等，积极打造全国产化产业链。

1 风险因素：政策力度不及预期；先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸

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投资策略：建议重点关注国内半导体产业链，尤其在当下产业安全角度，重点关注半导体设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望获得政策推动的环节。建议关注涉及“卡脖子”问题的半导体制造、设备、材料、零部件自主以及高端芯片国产化相关公司：半导体设备/零部件：芯源微、拓荆科技、富创精密、北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科、至纯科技、华峰测控、长川科技等；制造：中芯国际、华虹半导体；高端芯片：龙芯中科、海光信息、寒武纪、景嘉微等；封测：长电科技、通富微电、甬矽电子等。

核心观点 ...
历史复盘：政策持续扶持，促进国内半导体产业发展 . ... 6
政策梳理：站在国家战略高度，多管齐下助力半导体产业发展.. ... 6
1、财税政策：集成电路各板块均享受所得税优惠政策，其中 IC 设计类企业优惠力度最大
... 7
2、重大专项：专注于核心技术突破和构建，加速构建集成电路自主产业链 .. 10
3、融资支持：大基金直投+撬动地方资金，为产业链关键企业提供资金支持.... .. 11
4、其他配套政策：重点地区出台相关政策，针对各环节出台激励措施 .. 13
产业现状：中低端环节实现国产替代，部分高端核心环节仍待突破.. .. 15
经验参考：全球多地区半导体产业及国内新能源汽车产业，政策加速产业发展. ... 18
美国：试图通过补贴政策及打击挑战者保持半导体产业的长期领先地位... .. 18
其他国家/地区：政府引导+技术研发+市场化实现上世纪 80 年代迅速崛起. .. 21
国内新能源汽车产业：政策+补贴+免税推动高速发展，在全球汽车产业弯道超车.........23
国内半导体产业政策展望与分析.. .. 24
1、顶层设计：统筹规划，制定统一目标，组织协调 .. 25
2、引导投资：引导产业基金长期投资，进一步完善半导体企业融资渠道，优化考核指标
.. 25
3、人才支持：培养产业人才，给予国内人才税收优惠，海外人才国民待遇 . 26
4、攻关机制：成立国家级科研机构，以企业为主体科研攻关. .. 27
5、财税政策：加大优惠力度，结合多种税收优惠实现补贴 .. 27
6、国际合作：发挥庞大市场需求优势和成本优势，加强外部合作.. .. 28
7、专项补贴：针对卡脖子环节进行专项补贴，加速推动技术进步.. . 28
8、鼓励国产：通过补贴政策，鼓励采购国产设备/材料/EDA等，积极打造全国产化产业链
.. 29
风险因素 ... .. 29
投资策略 .. .. 30
附录... .31

插图目录

图 1：大基金一期投资分布.. .12
图 2：大基金二期投资分布（截至 2022 年 3 月 31日） . 12
图 3：美日韩及中国台湾省的半导体产业发展启示. . 18
图 4：美国半导体产业发展历史概况. . 19
图 5：日本半导体产业发展历程概况. . 22
图 6：韩国政府推动半导体产业发展的计划与法规. .. 22
图 7：中国台湾省半导体产业发展历程. . 23
图 8：历年 EV乘用车单车补贴下降情况.. .. 24
图 9：中国电动车历年销量数据及预测. . 24

表格目录

表 1：国内集成电路产业历年来重要产业政策及战略规划. . 6
表 2：历年来集成电路企业税收优惠政策梳理 . 8
表 3：当前集成电路各领域的税收优惠内容.. .. 8
表 4：部分电子行业上市公司及其部分子公司历年所得税率 .. 9
表 5：大基金一期投向列表. . 11
表 6：大基金二期投资公司（部分） .. 13
表 7：近期地方重点集成电路产业政策（部分） .. 14
表 8：集成电路产业国产化率情况. .. 16
表 9：上海微电子 IC 前道光刻机主要技术参数 . .. 17
表 10：美国国防部半导体相关补贴 .. .. 20
表 11：1989～2020 年英特尔获得政府补贴情况. .. 21
表 12：不同地区半导体激励政策梳理. .. 23
表 13：我国部分新能源汽车财政补贴政策梳理 .. 24
表 14：02 专项重要项目及承担单位.. .. 31
表 15：大基金一期重要投资项目.. .. 34
表 16：电子行业部分公司企业所得税减税对 2021 年的净利润影响弹性测算 .... 36

核心观点

据新华社报道，2023 年 3 月 2 日，国务院副总理刘鹤在北京调研集成电路企业并主持召开座谈会。刘鹤指出“习近平总书记高度重视集成电路产业发展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合国情和新形势的集成电路产业政策”。政策要点：制定目标、组织协调、引导投资、支持人才、攻关机制、国际合作等。刘鹤指出，政策要“设定务实的发展目标和发展思路，帮助企业协调和解决困难，在市场失灵的领域发挥好组织作用，引导长期投资，对国内人才给予一视同仁的优惠政策，对外籍专家给予真正的国民待遇”，“建立企业为主体的攻关机制”，“特别要善于发现和珍惜领军人才”，“必须始终坚持国际合作，广交朋友，扩大开放，坚定维护全球产业链供应链稳定。”我们认为，刘鹤副总理的讲话或指明了后续的潜在政策方向，我们在此基础上尝试分析政策。我们复盘了国内外集成电路产业扶持政策和国内新能源车产业的发展经验，并尝试对政策深化的可能路径进行分析，认为政策未来可能围绕着顶层设计、引导投资、人才支持、攻关机制、财税政策、国际合作、专项补贴、鼓励国产等方面展开。从当下产业安全角度出发，我们建议重点关注半导体设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、后续有望获得政策推动的环节。

▍ 历史复盘：政策持续扶持，促进国内半导体产业发展

政策梳理：站在国家战略高度，多管齐下助力半导体产业发展

2000 年以来，国家不断提升半导体行业的战略地位，通过各种政策持续大力扶持国内半导体产业的发展。2000 年，国务院发布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干意见》，对国内集成电路行业首次提出税收优惠；2006 年，国务院发布《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020 年）》，正式提出 01 专项和 02 专项的概念；2013 年，发改委发布《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》，将集成电路测试设备列入战略性新兴产业重点产品目录；2015 年，国务院发布《中国制造 2025》，将集成电路及专用装备作为“新一代信息技术产业”纳入大力推动发展的重点领域；2020 年，发改委、国务院发布《鼓励外商投资产业目录（2020 年版）》，鼓励外资向半导体相关领域投资；2021年，全国两会发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》，提出加强在人工智能、量子计算、集成电路前沿领域的前瞻性布局；2022年，教育部、财政部、发改委联合发布《关于深入推进世界一流大学和一流学科建设的若干意见》，提出加强集成电路、人工智能等领域人才的培养。综合来看，国家持续对半导体产业推出各项鼓励政策，站在国家战略高度对产业的发展提出顶层规划，自上而下地进行多角度、全方位的扶持，加速产业的发展，具体措施包括财税政策、研发项目支持、产业投资、人才补贴等。

表 1：国内集成电路产业历年来重要产业政策及战略规划

时间	发布单位	政策名称	政策核心内容
2000年	国务院	《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干意见》（18号文）	该政策作为集成电路产业的核心政策，为软件企业和集成电路生产企业给予税收方面的优惠
2006年	国务院	《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》	纲要将“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件”（01专项）、极大规模集成电路制造技术及成套工艺（02专项）作为16个重大专项的前两位，并在科技投入、税收优惠、金融支持、知识产权保护等方面提出了政策和措施。
2006年	原信息产业部	《信息产业科技发展“十一五”规划和 2020年中长期规划纲要》	纲要发展目标为到2020年，简历较完善的科技创新体系。未来5-15年间，重点发展集成电路、软件技术、新型元器件技术等15个领域的关键技术。
2009年	国务院	《电子信息产业调整和振兴规划》	作为电子信息产业综合性应对金融危机措施的行动方案，规划期 2009 年至 2011年。
2010年	国务院	《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》	提出着力发展集成电路、新型显示、高端软件、高端服务器等核心基础产业
2012年 2月	工信部	《集成电路产业“十二五”发展规划》	（1）到“十二五”末，集成电路产业规模再翻一番以上，产量超过1500 亿块，销售收入达3300 亿元，年均增长18%。（2）培育5-10家销售收入超过20亿元的骨干设计企业，1家进入全球 IC 设计企业前十位；1-2 家销售收入超过 200 亿元的骨干芯片制造企业；2-3 家销售收入超过70亿元的骨干封测企业，进入全球封测业前十位；形成一批创新活力强的中小企业。
2013年	国家发改委	《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》	将集成电路测试设备列入战略性新兴产业重点产品目录
2014年 6月	工信部	《国家集成电路产业发展推进纲要》	（1）到2015年，集成电路产业发展体制机制创新取得明显成效，建立与产业发展规律相适应的融资平台和政策环境，集成电路产业销售收入超过3500 亿元。（2）移动智能终端、网络通信等部分重点领域集成电路设计技术接近国际一流水平。（3）32/28nm 制造工艺实现规模量产，中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到 30%以上，65-45nm 关键设备和12 英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用。
2015年	国务院	《中国制造2025》	将集成电路及专用装备作为“新一代信息技术产业”纳入大力推动发展的重点领域，着力提升集成电路设计水平，掌握高密度封装及3D 封装技术，提升封装产业和测试的自主发展能力，形成关键制造设备供货能力。
2015年 3月	工信部	《2015 年工业强基专项行动实施方案》	将加快推进高端芯片、新型传感器、智能仪表和控制系统、工业软件、机器人等智能装置的集成应用，提升工业软硬件产品的自主可控能力。通过10 年左右的努力，力争实现70%的核心基础零部件(元器件)、关键基础材料自主保障，部分达到国际领先水平。
2015年 10月	工信部	《集成电路产业“十三五”发展规划》	2020 年实现销售收入9300 亿元；移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平；通用微处理器、存储器等核心产品形成自主设计与生产能力；16/14nm 制造工艺实现量产，封装测试技术进入全球第一梯队，关键装备和材料进入国际采购体系，基本
2020年 12月	发改委、商务部	《鼓励外商投资产业目录（2020 年版）》	建成技术先进、安全可靠的集成电力产业体系。鼓励外资投向关键原材料、关键零部件、关键设备等领域。
2021年 3月	全国两会	《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》	在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，制定实施战略性科学计划和科学工程。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。从国家急迫需要和长远需求出发，集中优势资源攻关新发突发传染病和生物安全风险防控、医药和医疗设备、关键元器件零部件和基础材料、油气勘探开发等领域关键核心技术。
2021年 12月	中央网络安全和信息化委员会	《“十四五”国家信息化规划》	完成信息领域核心技术突破也要加快集成电路关键技术攻关。推动计算芯片、存储芯片等创新，加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，推动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破。布局战略性前沿性技术，前瞻布局战略性、前沿性、原创性、颠覆
2021年	国务院	《横琴粤澳深度合作区建设总体方案》	性技术。大力发展集成电路、电子元器件、新材料、新能源、大数据、人工智能、物联网、生物医药产业。加快构建特色芯片设计、测试和检测的微电子产业链。
2022年 1月	国务院	《国务院关于印发“十四五”数字经济发展规划的通知》	（一）增强关键技术创新能力。瞄准传感器、量子信息、网络通信、集成电路、关键软件、大数据、人工智能、区块链、新材料等战略性前瞻性领域，提高数字技术基础研发能力。（二）提升核心产业竞争力。着力提升基础软硬件、核心电子元器件、关键
2022年 2月	教育部、财政部、发改委	《关于深入推进世界一流大学和一流学科建设的若干意见》	基础材料和生产装备的供给水平，强化关键产品自给保障能力。面向集成电路、人工智能、储能技术、数字经济等关键领域加强交叉学科人才培养。强化科教融合，完善人才培育引进与团队、平台、项目耦合机制，把科研优势转化为育人优势。

资料来源：国务院，财政部，税务总局，发改委，中信证券研究部

1、财税政策：集成电路各板块均享受所得税优惠政策，其中 IC 设计类企业优惠力度最大

国家对集成电路产业的税收优惠始于 2000 年，近二十年来持续扶持，彰显发展决心。2000 年 6 月，国家经贸委政策司与信息产业部组成联合小组起草形成的《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，是我国首次针对集成电路提供税收优惠，俗称“18 号文”，覆盖 IC 设计、软件、及部分 IC 制造企业。2011 年，18 号文到期后，国务院再次发布新政策（4号文）将优惠期延续至 2017 年底，并提高部分 IC制造企业的优惠力度。2015年，政府将所得税优惠政策的受益范围扩大至“封测、关键材料、关键设备”。2018 年，进一步延长IC生产企业的政策优惠年限，提高2018年后新成立IC设计企业的优惠标准，同时新设立项目也可以享受税收优惠。2019 年以来，我国针对集成电路产业继续出台多项优惠政策，包括设计、装备、材料、封装、测试企业和软件等环节，彰显政府对集成电路产业的高度重视和发展决心。

表 2：历年来集成电路企业税收优惠政策梳理

时间	政策名称	政策核心内容
2000.09	《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展有关税收政策》	软件及IC设计企业享受“两免三减半”，其中重点企业减按10%征收； “线宽小于0.25um 或投资超过80亿”的IC制造企业减按15%征收政策有效期2000年初至2010 年底
2002.10	国家税务总局关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展税收政策	IC 生产企业税收优惠政策扩大至“线宽小于0.8um"企业
2011.02	《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》	延长软件、IC 设计、IC 制造企业的税收优惠政策至2017年底；并提高部分IC制造企业的优惠力度
2015.02	《关于进一步鼓励集成电路产业发展企业所得税政策的通知》	集成电路封测、材料、设备企业可享受“两免三减半政策
2018.03	《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》	进一步延长IC生产企业的政策优惠年限;提高2018年后新成立IC设计企业的优惠标准，同时新设立项目也可以享受税收优惠
2019.05	《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》	依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件企业，在2018年12月31 日前自获利年度起计算优惠期，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。
2020.07	《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》	继续实施集成电路企业和软件企业增值税优惠及企业所得税政策，包括设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业。

资料来源：国务院，财政部，税务总局，中信证券研究部

目前集成电路各板块均享受所得税优惠政策，其中重点 IC设计类企业优惠力度最大。根据历年优惠政策梳理，我们总结出当前时点集成电路各板块的所得税优惠情况，包括：1）IC 设计：自 2020 年 1月 1 日起，国家鼓励的重点集成电路设计企业，自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按 10%的税率征收企业所得税；2）IC 制造：新老企业标准不同，以新企业为例，门槛较高的企业享受“五免五减半”，门槛较低的享受“两免三减半”等；3）封测、材料、设备：2020 年 1 月 1 日起，国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照 25%的法定税率减半征收企业所得税（“两免三减半”）。

【注】“两免三减半”：前 2年免征所得税，第 3\~5年按照 25%的法定税率减半征收所得税，享受至期满为止。“五免五减半”：前 5 年免征所得税，第 6\~10 年按照 25%的法定税率减半征收所得税，享受至期满为止。

表 3：当前集成电路各领域的税收优惠内容

企业类别	当前所得税优惠
软件及集成电路设计企业	自2020年1月1日起，国家鼓励的重点集成电路设计企业，自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得税，接续年度减按10%的税率征收企业所得税。
	·2017年12月31日前设立且在2019年12月31日前获利的集成电路线宽小于0.8微米（含）的集成电路生产企业，自获利年度起第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。 2017年12月31日前设立且在2019年12月31日前获利的集成电路线宽小于0.25微米，且经营期在15年以上
集成电路生产企业	的集成电路生产企业，自获利年度起第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止
	2017年12月31日前设立且在2019年12月31日前获利的投资额超过80亿元，且经营期在15年以上的集成电路生产企业，自获利年度起第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业
	所得税，并享受至期满为止。 2018年1月1日后投资新设的集成电路投资额超过150亿元，经营期在15年以上且在2019年12月31日前获利的集成电路生产企业或项目，第一年至第五年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企
	项目，第一年至第十年免征企业所得税。
	·国家鼓励的集成电路线宽小于65纳米（含），且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第五
	年免征企业所得税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。 ·国家鼓励的集成电路线宽小于130纳米（含），且经营期在10年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第二
	年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。
	·集成电路生产企业的生产设备，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年（含）。
封测、材料、设备企业	2020年1月1日起，国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。

资料来源：国务院，财政部，税务总局，中信证券研究部

多家上市公司多年来持续享受相关优惠政策，半导体设计及软件上市企业适用税率最为优惠。我们统计了板块部分上市公司历年来的所得税优惠税率情况，2019-2021 年间绝大多数上市公司享受了所得税优惠政策。上市公司中，半导体设计公司多满足国家规划布局内重点企业标准，适用 10%的所得税率，享受最优惠税率，部分子公司满足“两免三减半”标准；较为先进的半导体制造企业如中芯国际子公司适用“五免五减半”、“三免两减半”和“十年免税”等标准，适用于 0%、10%、12.5%或 15%等优惠税率；半导体封测、材料、设备公司主要适用于 15%的优惠税率。

表 4：部分电子行业上市公司及其部分子公司历年所得税率

公司名称	代码	子公司名称	所得税率
公司名称	代码	子公司名称	2021	2020	2019
紫光国微	002049.SZ		25%	25%	25%
		紫光同芯	10%	10%	10%
		深圳国微	10%	10%	10%
		紫光青藤	15%	15%
		香港同芯	16.5%	16.5%	16.5%
		国芯晶源	15%	15%	15%
中芯国际	688981.SH		25%	25%	25%
		中芯上海	15%(2020年至2022年) 12.5%（2013年起“五免五	15%
		中芯天津	减半”）	12.5%	12.5%
		中芯北京中芯北方	0%（2015年至2024年免缴企业所得税)	0%	0%
		中芯深圳	15% (2019年至2021年) 15%(2020年至2022年)	15%	15%
		其他中国实体		15%	15%
			25%	25%	25%
			15%	10%	10%
中微公司 688012.SH		中微厦门	25%	25%	25%
		中微惠创	20%	25%	25%
		中微南昌	15%	25%	25%
		中微汇链	20%	20%	20%
		中微临港	25%	25%
		中微国际	17%	17%	17%
		中微日本	29.74%	40%	40%
		中微北美	21%和8.84%	21%/8.84%	21%/8.84%
	中微韩国	10%和20%	10%		10%
长电科技	603290.SH		15%	15%	15%
		长电宿迁	25%	25%	25%
		长电滁州	25%	25%	25%
		江阴长电	25%	25%	25%
		星科金朋	25%	25%	25%
		STATS ChipPAC, Inc.	21%	21%	21%
士兰微	600460.SH
		士兰集成	15% 15%	15% 15%	15%
		士兰明芯	15%	15%	15% 15%
		美卡乐	15%	15%	15%
		成都士兰	15%	15%	15%
		集佳科技	15%	15%	15%
		士兰集昕	15%	15%	15%
			16.5%
	士港公司其他纳税主体		25%	16.5% 25%	16.5% 25%

资料来源：Wind，各公司年报，中信证券研究部

2、重大专项：专注于核心技术突破和构建，加速构建集成电路自主产业链

国家科技重大专项为集成电路技术发展发挥了重要作用。2006 年，国家组织大批顶尖专家，研究编制《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020）》，并通过规划确定了我国到 2020 年科技发展的 16个重大专项，其中涉及集成电路的有 2项，分别是“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”（“01 专项”或“核高基专项”）和“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”（“02 专项”）。

01专项的目标：到 2020 年，我国在高端通用芯片、基础软件和核心电子器件领域基本形成具有国际竞争力的高新技术研发与创新体系，并在全球电子信息技术与产业发展中发挥重要作用；我国信息技术创新与发展环境得到大幅优化，拥有一支国际化的、高层次的人才队伍，形成比较完善的自主创新体系，为我国进入创新型国家行列做出重大贡献。根据 2017 年“核高基”国家科技重大专项成果发布会公布的数据，在重大专项支持下，我国核心电子器件关键技术取得重大突破，总体技术水平实现了跨越发展，核心电子器件与国外差距由 15 年以上缩短到 5 年，成功构建了系列高端技术平台，核心电子器件长期依赖进口的“卡脖子”问题得到缓解，支撑装备核心电子器件自主保障率从不足 30%提升到 85%以上。

02 专项的目标：“十一五”期间（2006－2010 年），重点实现 90 纳米制造装备产品化，若干关键技术和元部件国产化；研究开发出 65 纳米制造装备样机；突破 45 纳米以下若干关键技术。“十二五”期间（2011－2015 年），重点实施的内容和目标包括：重点进行45-22纳米关键制造装备攻关，开发32-22纳米CMOS工艺、90-65纳米特色工艺，开展 22-14 纳米前瞻性研究，形成 65-45 纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链，进一步缩小与世界先进水平差距，装备和材料占国内市场的份额分别达到 10%和20%，开拓国际市场。专项的实施周期为 2006-2021 年，历时十五年，相关企业、科研单位承担了众多技术专项，完成了诸多技术环节的突破。不同于产业自发的技术进步和产业升级，02 专项系统地分析了集成电路产业链的各个环节，明确了重要的薄弱环节，由相关企业、单位集中进行技术突破，通过科学审慎的统筹规划，极大地加速了集成电路自主化产业链的建设，缩短了追赶周期，为集成电路产业进一步的发展提供了重要的技术基础和产业基础。我们统计了“02 专项”的重点投资领域（见附录表 14），重点支持的对象为半导体设备公司、半导体材料公司及半导体晶圆制造和封测公司。

3、融资支持：大基金直投+撬动地方资金，为产业链关键企业提供资金支持

大基金直接投资集成电路产业关键企业，提供资金支持，覆盖芯片全产业链。国家大基金是指国家集成电路产业投资基金，成立于 2014 年 9 月 24 日，目标为推进中国芯片产业发展直接进行产业投资。项目一期投资期限为 5 年，即 2014-2019 年，项目二期已于2019 年 10 月注册。大基金投资项目覆盖了芯片全产业链，包括设计、晶圆、封测、装备、材料等。其中，大基金一期投资超千亿，撬动资金超 6500 亿，聚焦制造、设计环节；大基金二期募资规模超 2000 亿元，资金来源更加多样化，增加材料、设备、下游应用端投资。

大基金一期投资超千亿，撬动资金超 6,500亿，聚焦制造和设计环节。大基金一期初期募资 987 亿元，主要股东为国家财政部（36.47%）、国开金融有限责任公司（22.29%）、中国烟草总公司（11.14%）、亦庄国投（10.13%）等，后续募资规模提升至 1,387 亿元，实际投资超千亿元，主要投资于各产业链环节中的龙头企业和特色企业，总计约 60 家，撬动超 6,500 亿元资金进入芯片产业。根据“芯思想”汇总，从投资分布上看，大基金一期投向聚焦 IC制造（63%）、IC设计（20%）、封装测试（10%）和设备材料（7%）等环节。

表 5：大基金一期投向列表

产业环节	投资企业列表
IC设计	紫光展锐、中兴微电子、兆易创新、纳思达（艾派克)、国科微、北斗星通、景嘉微、深圳国微、盛科网络、硅谷数模、芯原微电子、汇顶科技
IC 制造-代工	中芯国际、中芯北方、中芯南方、中芯宁波、华虹半导体
IC 制造-存储	长江存储
特色工艺	士兰微电子、三安光电、耐威科技、燕东微电子
封装测试	长电科技、华天科技、中芯长电、通富微电、晶方科技、太极实业
设备	中微半导体、北方华创、长川科技、沈阳拓荆
材料	上海硅产业集团、江苏鑫华半导体、安集微电子、烟台德邦
生态建设	地方子基金（北京、上海)、龙头企业子基金（芯动能、中芯聚源、安芯基金)、绩优团队子基金（武岳峰、鸿钛、盈富泰克）等

资料来源：芯思想微信公众号，中信证券研究部注：详细列表参考附录表 15

图 1：大基金一期投资分布

资料来源：芯思想微信公众号，中信证券研究所

图 2：大基金二期投资分布（截至2022年 3月 31日）

资料来源：芯思想微信公众号，中信证券研究所

大基金二期募资规模超 2,000亿元，资金来源更加多样化，增加材料、设备、下游应用端投资。大基金二期于 2019 年 10 月成立，注册资本达 2,041.5 亿元，相比一期，股东资金来源更为多样化，多个国内集成电路产业重镇积极参与，主要股东包括财政部（11.02%）、国开金融有限责任公司（10.78%）、重庆战略性新兴产业股权投资基金合伙企业（7.35%）、浙江富浙集成电路产业发展有限公司（7.35%）、武汉光谷金融控股集团有限公司（7.35%）、上海国盛有限公司（7.35%）、成都天府国集投资有限公司（7.35%）等。大基金二期会继续承接一期的芯片产业链，提升设备与材料领域的投资比重，同时积极响应国家战略和新兴行业发展规划，加大对下游应用端的投资，比如智能汽车、智能电网、人工智能、物联网、5G 等领域，以需求推动产业发展，争取实现国内集成电路产业的技术创新。截至 2022 年 3 月 31 日，大基金二期已宣布投资 38 家公司，累计协议出资790 亿元，涵盖芯片设计工具（EDA，电子设计自动化）、芯片设计、晶圆制造、封装测试、集成电路装备、零部件、材料及应用等产业链多个环节。

其中制造领域投资晶圆制造（包括晶圆厂、IDM 垂直整合制造、存储）环节依然是大基金投资的重头，占比达 75%，先后投资了长江存储二期，中芯国际及公司旗下中芯南方、中芯北方、中芯深圳、中芯东方，长鑫存储母公司睿力集成，华润微旗下润西微电子（重庆）有限公司，富芯半导体，士兰微（旗下士兰集科）等。

大基金二期投资的第一家集成电路设备零部件公司为万业企业旗下浙江镨芯，投资的第一家光掩模公司为广州新锐光掩模科技有限公司，投资的第一家光刻胶材料公司是南大光电，投资的第一家电子特气公司为中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司（派瑞特气），投资的第一家 MES软件商为上扬软件（上海）有限公司。

在装备及零部件、材料及软件领域，大基金二期还投资了 EDA 软件初创公司上海合见工业软件集团有限公司、电子化学品公司兴发集团旗下兴福电子、封装载板公司深南电路等。此外，在芯片设计领域，大基金二期还投资了紫光展锐、慧智微、思特威等公司；在设备领域，大基金二期投资了至纯科技（旗下至微半导体），继续扶持了北方华创、中微公司、长川科技等公司，并参与了格科微、翱捷科技等公司的 IPO战略配售。

表 6：大基金二期投资公司（部分）

公司	类别	细分品类	目前状态	投资比例	投资额
长江存储二期	晶圆制造	存储	未上市	30%	590亿元
中芯国际	晶圆制造	代工	上市公司	1.61%
中芯南方	晶圆制造	代工	上市公司相关	23.08%
中芯京城	晶圆制造	代工	上市公司相关	24.49%
中芯深圳	晶圆制造	代工	上市公司相关	22%
中芯东方	晶圆制造	代工	上市公司相关	16.76%
睿力集成	晶圆制造	存储	上市公司相关	9.8%
润西微	晶圆制造	功率	上市公司相关	33%
士兰集科	晶圆制造	功率	上市公司相关	14.66%
富芯半导体	晶圆制造	模拟		31.75%
上扬软件	晶圆制造	MES		14.56%
格科微	设计	CIS	上市公司	0.28%	82亿元
紫光展锐	设计	AP		3.74%
智芯微	设计	MCU		7.19%
灿勤科技	设计	滤波器	上市公司	1.59%
东芯股份	设计	存储器	上市公司	0.75%
翱捷科技	设计	基带	上市公司	0.29%
艾派克	设计	打印机芯片	上市公司相关	7.89%
思特威	设计	CIS	科创板注册生效	7.22%
慧智微	设计	RF射频	上市辅导	7.55%
东科半导体	设计	功率半导体	上市辅导	4.33%
合见工业	设计	EDA		13.95%
华天科技	封装	封测	上市公司	3.21%	20.8亿元
沛顿存储	封装	存储	上市公司相关	31.05%
北方华创	设备	PVD、热处理设备等	上市公司	0.94%	85亿元
中微公司	设备	刻蚀	上市公司	3.97%
长川智能	设备	测试	上市公司相关	33.33%
至微半导体	设备	湿法清洗	上市公司相关	3.42%
错芯电子	零部件	流量控制	上市公司相关	17.28%
深南电路	材料	封装载板	上市公司	0.54%
沪硅产业	材料	硅片	上市公司	2.65%
南大材料	材料		上市公司相关	18.33%
兴福电子	材料	光刻胶电子化学品	上市公司相关	9.62%
中船派瑞	材料	电子特气		上市辅导	1.41%

新锐光掩模	材料	光掩模		21.28%

资料来源：芯思想研究院，中信证券研究部注：数据截止至 2022年 4月

4、其他配套政策：重点地区出台相关政策，针对各环节出台激励措施

半导体产业重点地区亦纷纷出台相关补贴政策、成立地方专项基金，推进各地区集成电路产业发展。2022 年以来，为了扶持当地集成电路产业，各地方纷纷出台相关文件，对本地区半导体产业（包括设计、制造、设备、零部件、材料等环节）提供政策、资金补助、土地优惠、项目奖励和人才激励等支持条件，强化在地化半导体产业集群的竞争力。

北京市：针对设计企业开展批量验证流片及关键技术研发进行奖励；针对集成电路企业购买符合条件的 EDA 设计工具软件进行奖励；针对相关公司进行资金支持；针对人才提供落户服务、住房服务、子女入学、医疗服务等方面保障。

上海市：给予集成电路设计、设备、材料和 EDA研发团队奖励。

广州市：加强组织领导，统筹安排集成电路行业的落地并解决问题；加大财税支持力度，财政专项资金向集成电路产业倾斜，积极落实国家高新技术企业所得税优惠政策；加强人才培育引进，引进一批国内外半导体与集成电路领域人才。

深圳市：对半导体与集成电路重大项目投资奖励；装备、大力培育引进半导体与集成电路设备、材料企业，开展核心设备及零部件、关键材料的研发及产业化；鼓励企业间验证服务，提供首台套装备、首批次新材料提供验证服务。

辽宁省：鼓励重点企业以商招商，积极引进省外具有独立法人资格的集成电路装备整机及关键零部件配套企业；对首次销售自主研制的集成电路装备整机或核心零部件产品进行奖励；支持企业投资项目建设给予补助；支持企业研发投入，给予企业研发补助。

表 7：近期地方重点集成电路产业政策（部分）

地区	时间	政策	内容
北京市	2023年 2月	《顺义区进一步促进第三代等先进半导体产业发展的若干措施》	1、支持研发创新及成果转化方面：对设计企业开展批量验证流片及关键技术研发给予最高2000 万元的支持，对于科技成果转化给予最高200万元的支持。 2、支持重大成果和创新资源落地方面：对于新拿地及租赁楼宇项目分别给予最高3000万元及 1000 万元的支持。 3、支持企业做大做强方面：支持高端产业应用，给予最高1000 万元的资金支持。企业上市给予最高1200万元的资金支持。 4、支持创新生态打造方面：支持产业协同创新平台建设，给予最高2000万元的资金支持。支持建设产业孵化体系，给予最高100万元的资金支持。提供落户服务、住房服务、子女入学、医疗
北京市	2023年 2月	《2023年北京市高精尖产业发展资金实施指南(第一批）》	服务等方面保障。 1、集成电路设计产品首轮流片奖励。支持集成电路设计企业开展多项目晶圆（MPW）或工程产品首轮流片(全掩膜)，对符合条件的企业按照流片费用一定比例予以奖励，单个企业奖励金额最高不超过3000万元。 2、集成电路企业EDA采购奖励。支持高精尖中关村创新企业开展研发的集成电路企业购买符合条件的 EDA设计工具软件（含软件升级费用)，按照实际发生的采购费用一定比例给予奖励，单个企业奖励金额最高不超过500万元。
上海市	2022年 11月	《上海市集成电路和软件企业核心团队专项奖励办法》	1、对于年度主营业务收入首次突破 200亿元、100亿元、50亿元、10亿元的集成电路设计企业，分别给予核心团队累计奖励不超过3000万元、2000万元、1000万元、500万元； 2、对于年度主营业务收入首次突破30亿元、20亿元、10亿元、5亿元的集成电路装备企业，分别给予核心团队累计奖励不超过3000万元、2000万元、1000万元、500万元； 3、对于年度主营业务收入首次突破30亿元、20亿元、10亿元、5亿元的集成电路材料企业，分别给予核心团队累计奖励不超过3000万元、2000万元、1000万元、500万元； 4、对于年度主营业务收入首次突破15亿元、10亿元、5亿元、2.5亿元的集成电路电子设计自动化（EDA）工具开发企业,分别给予核心团队累计奖励不超过3000万元、2000万元、1000 万元、500万元。
辽宁省	2022年 3月	《辽宁省培育壮大集成电路装备产业集群若干措施》	1、鼓励重点企业以商招商。鼓励企业围绕产业链、供应链需求，引进省外具有独立法人资格的集成电路装备整机及关键零部件配套企业（项目）入驻辽宁省集成电路装备及零部件产业园，对投资额5000 万元（含）以上的企业（项目)，按照实际投资的5%，给予招商企业最高1000 万元奖励。 2、支持企业新产品销售。对集成电路装备整机和关键零部件制造企业首次销售自主研制的集成电路装备整机或核心零部件产品，按照单台（套）或单批次合同额的30%给予奖励。同一企业年度奖励额度最高3000万元，每型产品只奖励一次。 3、支持企业投资项目建设。对投资新建（不含土地)、在建、增资扩产（含技术改造）的集成电路装备整机和关键零部件项目，按实际投入总额的30%给予补助，同一项目补助资金最高1亿元。
			4、支持企业研发投入。对上一年度营业收入在5亿（含）元以下、研发投入比例不低于10%，营业收入在5亿元（不含）至10亿元（含）之间、研发投入不低于7%，营业收入在10亿元（不含）以上、研发投入不低于5%的集成电路装备整机企业和关键零部件制造企业，给予实际研发投入的30%、最高1000万元的研发补助。 1、加强组织领导。以“链长制”为抓手，加强产业动态和技术趋势跟踪研究，统筹推进半导体
广州市	2022年 3月	《广州市半导体与集成电路产业发展行动计划（ 2022-2024 年）》	与集成电路产业发展中重大政策、重大工程、重点项目、重要资源和重点工作的配置和落实，及时协调解决发展中的重大问题。 2、加大财税支持力度。加大市财政专项资金向集成电路产业倾斜力度，支持骨干企业和初创企业发展。对获得国家科技重大专项、重点研发计划等国家专项资金支持的项目，按规定落实地方配套资金。贯彻执行国家关于集成电路企业所得税政策、集成电路重大技术装备和产品关键零部件及原材料进口免税政策，以及有关科技重大专项所需国内不能生产的关键设备、零部件和原材料进口免税政策。积极落实国家高新技术企业所得税优惠政策。 3、加强人才培育引进。深入实施“广聚英才计划”，积极引进一批国内外半导体与集成电路领域的创新创业人才、高端研发人才、海归高端人才、工程技术人才及团队，落实国家、省有关个税优惠政策，在创新创业、入户、人才绿卡、住房、医疗、子女教育、个税补贴等方面按政策规定
深圳市	2023年 2月	《关于促进半导体与集成电路产业发展的若干措施(征求意见稿)》	落实相关待遇。 1、重大项目投资奖励。对专家评审确定的半导体与集成电路重点项目，按照固定资产投资金额（不含地价）的10%给予补助，每个项目最高不超过2000万元。 2、装备、材料项目支持。大力培育引进半导体与集成电路设备、材料企业，开展核心设备及零部件、关键材料的研发及产业化。对于首台套关键设备及零部件、材料进入重点集成电路制造企业供应链，获得市奖励的，按照市资助金额的 20%给予配套支持，最高不超过600 万元。 3、鼓励企业间验证服务。鼓励集成电路制造企业为市、区设备、材料企业提供首台套装备、首批次新材料提供验证服务。对于所验证装备、材料列入国家工信部、广东省、深圳市相关推广目录的，按照验证装备或材料价格20%，分别给予提供验证方最高不超过100万元（装备类)、50 万元（材料类）补助。

资料来源：各地方政府公告，中信证券研究部

综合来看，这些年从国家到地方先后出台多项更有针对性、更有力度的扶持政策，推进半导体产业的发展。从宏观层面上来看，在各级政府统一规划和部署下，扶持政策聚焦高端芯片、集成电路装备和工艺技术、集成电路关键材料、集成电路设计工具、先进存储、先进计算、先进制造、高端封装测试、关键装备材料、新一代半导体技术等关键“卡脖子”领域，推动半导体产业高质量发展，全面提升产业链核心环节、加速突破基础支撑环节、聚力增强产业发展动能、构建高质量人才保障体系等内容，以实现提高全要素生产率，提升产业链供应链韧性和安全水平。从微观层面上来看，扶持政策深入财税、融资、平台、对外开放、进出口政策、产业园区建设、产业链孵化器等诸多细化抓手，对同等条件下优先使用国产半导体设备的厂商给予补助和支持，推进高质量企业培育，按照孵化培育、成长扶持、推动壮大不同阶段，给予差别化、全生命周期政策支持。这些宏观和微观上的政策为半导体产业的高质量发展提供了可实际操作的行动指南。

▍ 产业现状：中低端环节实现国产替代，部分高端核心环节仍待突破

受益于国家在财税优惠、重大专项、融资支持及其他配套政策，半导体产业国产化进程加速推进。在国内全方位、多角度的产业支持下，国内半导体国产化水平不断提升，特别是 2018 年以来美国缩紧对华半导体产业制裁，国产替代持续加速。在制造端和设备端，近 5 年来 IC 设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等各环节中均有部分细分赛道的国产化率实现快速提升，自主化产业链初具雏形。但也需要注意到，在关键芯片及设备领域，如芯片端的 CPU、GPU、DRAM、NAND Flash，设备端的光刻机、涂胶显影设备等国产化率仍处于较低水平，有待在新一轮的政策支持下，国产公司实现相关产业突破。

国内先进制程半导体领域在设计、设备、材料、晶圆制造和封测等环节国产化率均有较大提升空间。高端环节国产替代是重点任务。

1）设计：多而不强，高端数字芯片待突破。根据中国半导体行业协会集成电路设计分会年会数据，2021 年（截至 12 月 1 日）我国拥有 2810 家芯片设计企业，较 2020 年末增加了 592 家，同比+26.7%，较 2017 年末的 1380 家实现翻倍以上增长；2021 年我国集成电路设计销售额约 4326.9亿元，同比+17%，从地域分布上看，我国集成电路设计公司产值规模主要集中在上海、北京、深圳三座城市，分别为 1200/839/697 亿元，对应占比 28%/19%/16%，其余广泛分布于杭州、无锡、南京、西安、成都、武汉、珠海等城市；从产品分布上看，2021 年通信/智能卡/计算机/多媒体/导航/模拟/功率/消费类分别占比21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%，整体集中在中低端领域，如传统消费电子、普通工控安防、智能设备周边芯片等，但在先进 CPU、GPU、FPGA 及对应的高端服务器、计算机、算力设备等应用仍较为薄弱。

表 8：集成电路产业国产化率情况

产业环节	设备	核心集成电路	2019年	2020年	2021年
计算机系统	个人电脑	CPU/GPU	1.5%	4.1%	5.4%
	服务器	CPU	1.7%	2.4%	7.9%
	工业应用	CPU/MCU	5.0%	10.0%	11.4%
通用电子系统	可编程逻辑设备	FPGA/EPLD	3.5%	6.5%	11.9%
通用电子系统	数字信号处理设备	DSP/Embedded CPU	13.0%	20.0%	20.0%
通信装备	移动通信终端	Application Processor (AP)	25.0%	25.0%	11.9%
		Communication Processor(CP)	25.0%	25.0%	70.0%
	核心网络设备	NPU	15.0%	15.0%	15.0%
存储设备		DRAM	0.5%	2.6%	4.4%
	半导体存储器	NAND Flash	0.2%	2.2%	6.7%
		NOR Flash	35.0%	40.0%	36.0%
显示及视频系统	高清电视/智能电视	图像处理器	40.0%	40.0%	40.0%
显示及视频系统	高清电视/智能电视	显示驱动	4.0%	8.0%
半导体制造生产	半导体制造	晶圆代工	7.5%	7.8%	15.4% 7.6%

资料来源：魏少军@2022年中国 IC领袖峰会，中信证券研究部

2）设备：国产化加速，但高端仍任重道远。根据国内部分晶圆厂设备招标采购数据测算，部分推进国产化较快的典型晶圆厂（以长江存储、华虹集团为例）的设备国产化率（设备数量口径）已经能够从 2018 年的 10.34%提升到 2022 年上半年的 24.38%，其中化学机械抛光、清洗、氧化扩散/热处理、测试、刻蚀、薄膜沉积设备 2022H1 国产化率分别为 50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根据我们测算，2022 年中国大陆半导体设备产值有望达到超过 200 亿元，而中国大陆的内资晶圆厂（去除外商投资厂房）半导体设备需求在 1500 亿元左右，对应国产化率（金额口径）在 13%左右，尚有较大提升空间。然而，半导体设备市场全球前 15 名均为美日欧厂商，中国大陆厂商在全球市场占比仅约2%。国产替代能力从高到低大致排序：化学机械抛光、炉管、清洗、离子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蚀、量测、光刻，其中量测和光刻环节国产化替代最为迫切。

其中核心设备光刻机国产化率仅为 1.1%，国产厂商快速追赶，28nm ArFi 光刻机正在研发。根据中国国际招标采购网站展示的 2015-2022 年长江存储、华力集成、华虹无锡等晶圆厂的公开招标数据，共招标光刻机 93 台，国产厂商中上海微电子仅于 2021 年初于长江存储中标 1 台，国产化率约为 1.1%，尚处于较低水平。从技术实力上看，国产光刻机尚与国际先进水平存在较大差距，主要体现在制程覆盖上，但处于快速追赶阶段。目前国内仅有上海微电子可以量产光刻机，其最先进的产品为 ArF Dry 光刻机，型号为SSA600/20，采用 1:4 镜头倍率，采用自适应调焦调平技术，可支持 90nm 制程；同时其正在研究 28nmArFi 光刻机。第五代 EUV光刻机方面，国内长春光机所有布局相关研发，从上世纪 90 年代开始，长春光机所先后主导和参与了多项 EUV相关科研项目，积累了大量相关经验和优秀人才。

表 9：上海微电子 IC前道光刻机主要技术参数

型号	工艺	曝光光源	镜头倍率	硅片尺寸
SSA600/20	90nm	ArF excimer laser	1:04	200nm/300nm
SSC600/10	110nm	KrF excimer laser	1:04	200nm/300nm
SSB600/10	280nm	i-line mercury lamp	1:04	200nm/300nm

资料来源：上海微电子公司官网，中信证券研究部

3）材料：细分众多，大硅片等积极推进。集成电路制造材料包括硅晶圆、掩模、电子气体、工艺化学品、光刻胶、抛光材料、靶材、封装材料等。高端材料方面我国综合实力不足。我们汇总了国内主要晶圆厂的半导体材料供应商，其中日本厂商约占 30%，美国厂商约占 20%，国产化率在 20%\~30%。部分核心材料如光刻胶，国内产业仍有较大差距。

4）制造：国内代差逐步缩小，晶圆代工厂建设蓬勃发展。目前全球领先的芯片制造厂商台积电已具备 3nm 芯片量产能力，并逐步向 2nm/1.4nm 先进制程研发突破，我国大陆厂商近年来取得高速发展，和国际先进水平的代差逐步缩短。根据公司公告，中芯国际已具备 14nm FinFET 量产能力，并持续推进研发。除中芯国际、华虹半导体、长江存储等第一梯队厂商外，还有一批地方政府推进项目，如合肥晶合、广东粤芯和中芯绍兴等。

5）封测：差距缩小，中国大陆进入第一梯队，高端待加强。目前 5G、物联网、高性能运算等先进芯片依赖于先进封装，国内封测厂商受益先进封装需求快速增加，有望实现快速增长。国内四大封测厂目前的先进技术涵盖 FC、SiP、晶圆级封装、2.5D/3D，其中晶圆级封装、2.5D/3D 的技术与国际一线厂商相比仍然不足，长电科技为国内先进技术涵盖范围最广的厂商，同时也具有国内领先实力；通富微电主打 CPU/GPU 的先进封装；华天科技晶圆级产品以晶圆级 CIS为主并涵括射频 SiP；晶方科技以晶圆级 2.5D/3D 传感器为发展主轴。整体而言，中国的先进封装仍在快速发展期，长电科技领先，通富微电、华天科技及晶方科技次之。

▍ 经验参考：全球多地区半导体产业及国内新能源汽车产业，政策加速产业发展

为了进一步对国内半导体的政策进行分析，我们复盘美日韩、中国台湾省等对当地半导体产业的扶持政策及国内新能源汽车行业的政策，从过往经验中学习。可以总结出，政府政策引导、优秀人才培养、下游产业集群、持续资金投入是不可或缺的要素。从海外经验观察，中国大陆半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期，产业发展任重道远。

图 3：美日韩及中国台湾省的半导体产业发展启示

资料来源：中信证券研究部整理

美国：试图通过补贴政策及打击挑战者保持半导体产业的长期领先地位

从历史发展来看，美国政府采取了较大力度的补贴措施，长期支持半导体产业发展。美国半导体补贴政策可从全球半导体产业发展变化趋势的角度，区分为支持技术起步和商业化、进行贸易竞争、强化生态建设、保护供应链安全四个历史阶段。美国试图通过半导体补贴政策长期保持全球发达半导体产业集聚区地位，并力图在当前各个环节占据半导体市场领导地位。

第一阶段（1950\~1970 年）：美国通过国防研发支持和政府采购支持半导体技术起步并实现领先。20 世纪 40\~50 年代，晶体管和集成电路在美国诞生并在军事领域应用，美国国防和航空航天的政府研发投入和采购早期占据约一半的市场份额。20 世纪 60\~80 年代，美国实施半导体税收补贴政策促进半导体产业商业化。在此阶段，美国政府实施了以税收优惠为主的政策，并进一步出台相关措施完善产业发展环境，包括推动政府采购多元

化，减少市场门槛，支持中小企业发展等。

第二阶段（1980～1999 年）：美国与竞争对手签订贸易协议遏制半导体产业转移并促进本土产业发展。20 世纪 80 年代，日本半导体产业迅速发展并超越美国。为扭转竞争力下降趋势，美国成立美国半导体行业协会（SIA），协调制定半导体贸易管制政策的半导体研究联盟（SRC）组织半导体商业化研发。同时，美国打击日本半导体产业，美国政府于1985 年对日本进行 301 调查，指控日本公司倾销 DRAM 等产品。经谈判，日本在 1986年同美国签署第一次《半导体协议》，规定日本停止在美国市场的倾销，且要求日本企业购买美国产品，美国企业在日本的市场份额达到 20%。1991 年，美国以美国企业在日本的市场份额不足 20%为由与日本签订了第二次《半导体协议》。1996 年，美国在日本市场份额超过 30%，在全球市场份额也达到 30%，超越日本重新成为世界半导体第一大国。

第三阶段（2000～2018 年）：美国采取“软硬结合”政策，强化半导体生态建设保持半导体产业全球领先地位。美国半导体产业在 20世纪 90 年代再次取得全球领先后，积极借助个人电脑、互联网等发展时机，因势利导，充分发挥美国在软件、互联网等领域优势，通过产业生态建设推动美国半导体产业发展。一方面，充分发挥市场竞争机制，降低市场障碍，鼓励企业通过市场竞争提升竞争力；另一方面，把握移动互联网、云计算等发展机遇，并进一步巩固其在计算、通信等领域的领先优势。总体上，在这个阶段，美国更多地通过市场机制推动半导体产业发展。

第四阶段（2018 年至今）：美国通过扩大财政资助，吸引制造业回流保护半导体供应链安全。2018 年以来，亚洲半导体制造和封测产业崛起。美国政府为应对半导体产业“空心化”，在持续通过提供研发资金支持外，陆续出台相关法令激励制造业回流和遏制海外竞争对手。在研发支持方面，美国国防部、能源部等多部门将半导体视为优先发展领域；在立法方面，2015 年，奥巴马政府将“企业研发税收抵免”由周期性变为永久性以鼓励半导体企业加大对长期研发的投入。特朗普政府通过加大出口管制和提出制造业法案来巩固美国半导体的领先优势。2019 年以来，美国通过将华为列入实体管制清单、修改外国直接产品规则限制华为供货、加大半导体设备和高端芯片的出口管制等一系列措施对全球供应链造成冲击。2022 年 8 月 9 日，美国总统拜登签署《2022 年最高法院安全资金法案》（又称《2022 年芯片和科学法案》）使之正式生效，该项立法向美国半导体产业提供约 527亿美元巨额补贴，鼓励半导体企业在美国建厂。

图 4：美国半导体产业发展历史概况

资料来源：《解析美国的半导体产业霸权：产业权力的政治经济学分析》——《外交评论》2022 年第 1 期（李巍，李玙译），《半导体简史：美国削减成本，逐渐失去领先优势》——半导体产业纵横微信公众号，中信证券研究部

美国的半导体产业补贴具有以下几个特点:

一是美国联邦政府以研发补贴为主，侧重于基础性研究和部分应用研究，开发及生产性流程研发投入有限。从补贴形式看，美国联邦政府对半导体产业的研发支持多数集中在研发环节，侧重于对基础科学研究、基础技术和部分应用研究的政策支持。美国能源部、国防部、国家科学基金等通过与企业合作设立研发项目，分摊研发成本，加大助力先进技术的突破。

二是有效利用国防、政府采购服务等世界贸易组织规则例外空间的措施支持本国产业发展。早期的美国国防部系列采购安排为美国半导体产业降低产品进入市场的风险、扩大市场需求、促进产业迭代升级发挥了重要作用，相关采购行为由于可以援引国家安全例外，能够豁免于世界贸易组织规则。

三是美国州政府补贴形式丰富，侧重于生产和制造环节。美国政府对企业的补贴方式多数以税收优惠为主，主要集中在研究和制造环节。2022 年 5 月，美国政府通过法案，将为美国本土的半导体制造项目提供约 520 亿美元的财政援助，同时积极推进为集成电路制造项目提供最高 25%的减税政策，鼓励英特尔、三星等企业建厂。

四是美国采取贸易投资限制等变相支持措施，单边主义和保护主义色彩较重。例如，美国对日本、中国等发起 301调查，通过关税和贸易政策阻碍公平贸易；限制产品出口或对相关企业实施惩罚，扩大实体清单企业数量，包括限制服务器用的微处理器出口，对中兴通讯、晋华进行禁运，把华为及其 70 个附属公司以及中科曙光等中国企业列入出口管制实体清单。

表 10：美国国防部半导体相关补贴

年度	名称	类型	对象/金额
1980~1986	超高速集成电路计划（Very High Speed Circuits, VHSIC)	Integrated	研发补贴	美国陆军、海军、空军三方承担的项目，主要目的是推动集成电路材料、印刷、封装、测试、软件算法的发展，许多计算机辅助设计工具在这一时期被开发出来。政府投入超过10亿美元
	1987～1997美国半导体制造技术战略联盟		研发补贴	1987 年，14 家在美国半导体制造业中居领先地位的企业组成美国半导体制造技术战略联盟。《1988~1989 财年国防授权法案》授权国防部通过美国国防部高级研究计划局向美国半导体制造技术战略联盟提供高达1亿美元的配套资金。起初承诺投资5年，后延续至1997年
1978	超大规模集成计划（VLSI Project）		研发补贴	超大规模集成计划即罗伯特·卡恩于1978年发起的美国国防部高级研究计划局计划，为众多基于大学的团队提供了研究经费，以期改善微处理器设计的先进水平，当时这种技术被称为超大型大规模集成电路（简称 VLSI)
2004	可信任代工计划（Trusted Foundry Program) 焦点中心研究计划（Focus		制造补贴、政府采购	国防部与制造厂商签订合同，为国防部提供先进代工服务。2007年该项目范围扩大到包括设计、组装、封测公司
1997	Center Research Program， FCRP)		研发补贴	由美国国防部高级研究计划局和半导体研究联盟管理，美国国防部和工业界共同投入4000万美元。作为焦点中心研究计划的延续，该计划旨在促进半导体技术，以支持美国
2013	半导体先进技术研发网络 (STARnet)		研发补贴	半导体行业的持续增长和领导地位。美国国防部高级研究计划局通过该计划投入总计 1.94亿美元创建6个跨校研究中心。该项目每年将获得 4000 万美元的专用资助，每个研究中心获得约600万美元
2017	电子复兴计划（Electronics Resurgence Initiative,ERI)		研发补贴	电子复兴计划由美国国防部高级研究计划局于2017年启动，是一项为期5 年、耗资15亿美元的美国国防部高级研究计划局计划，旨在解决摩尔定律的长期可预见障碍以及阻碍电子发展50年快速进步的挑战

年度	名称	类型	对象/金额
2018	联合大学微电子计划	研发补贴	半导体先进技术研发网络计划的接续，资金投入(5 年计划)预计将超过 1.5 亿美元。其中，美国国防部高级研究计划局提供约40%，6所大学的财团
			合作伙伴提供约60%，该计划为研究中心的协作网络提供支持

资料来源：《美国高技术产业补贴政策体系探析》——《美国研究》2022年第 5期（徐丰，叶雪琰，王若达，中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所），中信证券研究部

企业获益：英特尔是全球半导体行业的龙头企业，也是美国政府补贴以及州和地方政府补贴的最大受益者之一，1989～2020年共获得补贴235亿美元。据美国“goodjobsfirst”网站统计，1989～2020 年英特尔获得的 64 亿美元补贴中，63 亿美元来自各州政府，包括俄勒冈州的 26.7 亿美元、新墨西哥州的 26.6 亿美元、亚利桑那州的 1 亿美元。英特尔接受的政府补贴总体上以税收优惠为主，具体形式包括“战略投资计划”、“工业税收债券”、“对外贸易区”等，部分措施较有代表性，通过隐蔽的政策设计，为英特尔的生产销售、参与国际竞争提供了重要支持。例如，英特尔厂区所在的俄勒冈州华盛顿郡希尔斯伯勒（Hillsboro），提供英特尔房屋和地价税优惠减免，替英特尔节省逾 11 亿美元。

表 11：1989～2020年英特尔获得政府补贴情况

来源	补贴机构	项目名称	补贴金额 (百万美元)	时间 (年)
加利福尼亚州	就业培训小组	就业培训小组	2.70	2005~2010
科罗拉多州	经济发展委员会	经济发展委员会奖励	0.25	2005
俄勒冈州	俄勒冈州商业部	战略投资计划	665.79	1994~2012
俄勒冈州	俄勒冈州商业部	战略投资计划	20000.00	2014
俄勒冈州	俄勒冈州能源部	商业能源税收抵免 (BETC)	0.72	2007~2009
华盛顿州	税务部	高科技商业和职业税收抵免	2.91	2004~2014
华盛顿州	税务部	高科技销售和使用税延期	3.13	2004~2010
宾夕法尼亚州	社区与经济发展部	研发税收抵免	1.77	2011~2015
宾夕法尼亚州	税务部	研发税收抵免	0.61	2017~2018
亚利桑那州	商业管理局	亚利桑那州职业培训计划	0.27	2002
亚利桑那州	商业管理局	合格设施税收抵免	17.54	2014~2019
亚利桑那州	其他		82.00	1994
新墨西哥州	经济发展部	技术工作税收抵免	6.60	2011~2013
新墨西哥州	其他		2645.00	1993~2004
新墨西哥州	投资委员会	制造商投资信贷	7.77	2011~2013
联邦政府	国防部	空军国防研究科学计划	5.33	2011~2013
联邦政府	国防部	基础科学研究	2.78	2014
联邦政府	国防部	信息安全资助计划	6.52	2010
联邦政府	国防部	数学科学资助计划	19.15	2014
联邦政府	国防部	研究和技术发展赠款	26.40	2009-2011
联邦政府	能源部	电力输送和能源可靠性、研究、开发和分析	13.01	2016~2019
联邦政府	能源部	科学办公室财政援助计划	15.13	2012~2017
合计

资料来源：www.goodjobsfirst.org，《美国高技术产业补贴政策体系探析》——《美国研究》2022 年第 5 期（徐丰，叶雪琰，王若达，中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所），中信证券研究部

其他国家/地区：政府引导+技术研发+市场化实现上世纪 80 年代迅速崛起

日本：政府引导集中资源重视研发，大规模投资生产参与全球竞争。（1）集中研发高投入，从国外引进技术到产官学自主研发。（2）参与市场化竞争，成本质量优势取胜。（3）正值大型机时代及家电兴起，下游需求潮流带动产业的发展。日制 DRAM在质量、价格和交货时间方面均获得很高评价，使得80年代日制DRAM在全球市场中所占份额不断上升，1982 年超过美国，1987 年达到顶峰 80%。1985 年美国针对日本半导体产业发起 301 调查，于 1986 年达成第一次半导体协议，1987 年美国再次指责日本向第三国倾销，于 1991达成签订第二次半导体协议。两次协议签订使得日本半导体厂商的价格优势丧失，份额逐渐受到韩国及中国台湾省新兴厂商的侵蚀。目前日本半导体公司在设备、材料领域具有较强优势。目前日本厂商主要针对 NAND Flash、CIS（CMOS 图像传感器）、汽车电子、功率分立器件等细分品类，在高端数字电路方面涉足不多。而半导体设备材料厂商由于良好的工业基础和持续的技术积累，至今仍在全球市场占据非常重要的地位。

图 5：日本半导体产业发展历程概况

资料来源：《失去的信心：日本消费电子崩盘启示录》——远川研究所微信公众号，中信证券研究部绘制

韩国：半导体产业发展具有明显的政府和财团主导特点，政府扶持企业逆周期扩产实现赶超。20 世纪 80 年代，政府强力干预，韩国选择 DRAM 作为发展重点，半导体产业飞速发展，三星、现代、LG 等财团参与 DRAM 为主的大规模芯片生产。1999 年后三星成为韩国第一大集团，韩国 DRAM 市占率超过日本。其中，20 世纪 80 年代 DRAM 市场景气不佳，到 1986 年底，三星半导体累计亏损达 3 亿美元，尽管美日多家公司缩减产能或退出市场，三星仍依靠政府扶持逆周期投资。2000-2010 年，三星电子从韩国政府获得税收减免共约 87 亿美元。从三星的经验来看，集成电路产业需时以十年计，数以每年千亿计的高投入。

图 6：韩国政府推动半导体产业发展的计划与法规

资料来源：《探秘韩国半导体产业崛起之路》——合肥产投产业研究院微信公众号，《韩国半导体产业发展情况分析及相关启示》——《中国信息安全》2022 年第 10 期（磨惟伟，中国信息安全测评中心），中信证券研究部绘制

中国台湾省：政策培植，开辟代工模式重塑全球产业链。20 世纪 70 年代，中国台湾省政府出资派遣研究人员去美国无线电公司学习，全套引进电路设计、光罩制造、晶圆制造、测试技术。1987 年，台积电成立，开辟纯晶圆代工新模式，逐步形成上游 IC 设计，中游代工制造，下游封装测试的产业格局。台湾省头部半导体厂商大多在 20世纪 80 年代至 90 年代间陆续成立。2010 年后，伴随着以 iPhone 为首的智能手机崛起，台积电抓住了苹果公司等大客户机遇，并由此成为行业龙头。制造环节带动设计、材料等环节成熟，当前台湾省已形成晶圆代工、IC 设计、封装测试、材料设备等一系列产业链。

图 7：中国台湾省半导体产业发展历程

资料来源：《中国台湾芯片产业简史：虽曰天时，亦在人为》——X科技实验室微信公众号，各公司官网，中信证券研究部绘制

当前产业逆全球化趋势下，多地区颁布政策，保障本土供应安全。如：欧盟委员会于2022 年 2 月 8 日推出《欧洲芯片法案》，拟动员超过 430亿欧元（约 480 亿美元）的公共和私人投资强化欧洲的芯片研究、制造，目标是到 2030 年将欧盟的芯片产能全球占比从目前的 10%提高到 20%。日本于 2022 年 1 月初亦通过一项芯片补贴法案，总计 6000 亿日元（约 52 亿美元）的预算将用于支持芯片制造商，其中向台积电提供 4000 亿日元（约34.7 亿美元）的补贴。2021 年 5 月，韩国发布“K半导体战略”，宣布未来十年将携手三星电子、SK海力士等 153 家韩国企业，投资 510 万亿韩元（约 4510 亿美元），目标是将韩国建设成全球最大的半导体生产基地，引领全球的半导体供应链。2021 年 12 月，印度政府批准一项约 100 亿美元的激励计划，旨在吸引全球芯片及显示器制造商进入印度。

表 12：不同地区半导体激励政策梳理

地区	推出时间主要内容
欧盟	2022年2月	推出《欧洲芯片法案》，拟动员超过430亿欧元（约480亿美元）的公共和私人投资强化欧洲的芯片研究、制造
日本	2022年1月	芯片补贴法案，总计6000亿日元（约52亿美元）的预算将用于支持芯片制造商
韩国	2021年5月	“K半导体战略”，宣布未来十年将携手三星电子、SK海力士等153家韩国企业，投资 510万亿韩元（约 4510 亿美元）
印度	2021年12月	政府批准一项约100亿美元的激励计划，旨在吸引全球芯片及显示器制造商进入印度

资料来源：各国公告，半导体行业观察微信公众号，中信证券研究部

国内新能源汽车产业：政策+补贴+免税推动高速发展，在全球汽车产业弯道超车

近年来，国务院、财政部、工业和信息化部、科技部、发展改革委等多部门都陆续印发了支持、规范新能源汽车行业的发展政策，内容涉及新能源汽车的税率减免、购车补贴、产业链企业扶持等内容，有力推动了国内新能源汽车行业的进步和发展。

表 13：我国部分新能源汽车财政补贴政策梳理

出台时间	政策名称	出台时间	政策名称
2009.3	《汽车产业调整和振兴规划》	2014.7	《国务院办公厅关于加快新能源汽车推广应用的指导意见》
2009.1	财政部、科技部《关于开展节能与新能源汽车示范推广试点工作的通知》	2015.4	财政部、科技部、工业和信息化部、国家发展改革委《关于2016-2020年新能源汽车推广应用财政支持政策的通知》
2010.6	财政部、科技部、工业和信息化部、国家发展改革委《关于开展私人购买新能源汽车补贴试点的通知》	2016.12	《财政部、科技部、工业和信息化部、国家发展改革委关于调整新能源汽车推广应用财政补贴政策的通知》
2012.6	《节能与新能源汽车产业发展规划（2012-2020年）》	2016.12	《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》
2012.9	《新能源汽车产业技术创新工程财政奖励资金管理暂行办法》	2017.9	《乘用车企业平均燃料消耗量与新能源汽车积分并行管理办法》
2013.9	财政部、科技部、工业和信息化部、国家发展改革委《关于继续开展新能源汽车推广应用工作的通知》	2018.2	财政部、科技部、工业和信息化部、国家发展改革委《关于调整完善新能源汽车推广应用财政补贴政策的通知》
2014.7	《国家发展改革委关于电动汽车用电价格政策有关问题的通知》	2019.3	财政部、工业和信息化部、科技部、发展改革委《关于进一步完善新能源汽车推广应用财政补贴政策的通知》

资料来源：《新能源汽车财政补贴政策的演变与启示》——胡绍雨、梁智宇，中信证券研究部

我们总结新能源汽车行业的历史政策，对于行业的补贴涉及多个产业链环节，举措包括直接补贴及减免购置税等，使消费者和生产企业直接受益。国家自 2001 年以来推行的新能源汽车政策主要包括：1）生产端给予汽车制造企业补贴，2）消费端消费者购车免购置税、购买汽车给补贴，3）在配套环节方面，充电站执行大工业电价、暂免收取基本电费等多项措施。通过一系列产业扶持与财税补贴政策，我国新能源汽车产业经历了从无到有的飞跃式发展。2013-2019 年产销量呈整体上升趋势。2015 年我国超过美国成为全球最大的新能源汽车生产国，2021 年销量突破 350 万辆。目前我国的新能源汽车产销量占据全球产销量的半壁江山，所生产、销售的新能源汽车车型有 70%以上都是纯电动汽车，其余多为插电混合汽车。

图 8：历年 EV乘用车单车补贴下降情况（单位：万元/辆）

资料来源：财政部，工信部，中信证券研究部绘制

图 9：中国电动车历年销量数据及预测

资料来源：中汽协，Marklines，ACEA，EV sales，中信证券研究部预测

国内半导体产业政策展望与分析

市场期待的集成电路产业政策后续有望落地，建议关注“两会”后的政策窗口期。据新华社报道，2023 年 3 月 2 日，国务院副总理刘鹤在北京调研集成电路企业并主持召开座谈会。刘鹤指出“习近平总书记高度重视集成电路产业发展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合国情和新形势的集成电路产业政策”。政策要点包括：制定目标、组织协调、引导投资、支持人才、攻关机制、国际合作等。刘鹤指出，政策要“设定务实的发展目标和发展思路，帮助企业协调和解决困难，在市场失灵的领域发挥好组织作用，引导长期投资，对国内人才给予一视同仁的优惠政策，对外籍专家给予真正的国民待遇”，“建立企业为主体的攻关机制”，“特别要善于发现和珍惜领军人才”，“必须始终坚持国际合作，广交朋友，扩大开放，坚定维护全球产业链供应链稳定。”我们认为刘鹤副总理的讲话可能体现了后续的潜在政策方向。我们在此基础上理解和分析，认为后续若推出相关半导体政策，可能从以下八个方面深入。

1、顶层设计：统筹规划，制定统一目标，组织协调

强化顶层设计，统一规划国内技术发展路径，强化部门协调，强化区域联动，形成集聚效应。

1）强化顶层设计，可统一规划技术发展路径，设定技术目标节点。强化攻关决策和统筹协调，制定国家半导体发展战略。确定产业链短板环节，制定技术节点和商业化进度的目标。

2）强化部门协调、区域联动。在关键环节和核心技术领域，可推动加强共性技术研发，联合企业、科研机构攻关协调。可以跨部门协调人、财、物、政策等科技资源。可通过下设办公室，负责聘用产业界和学术界的科学家担任项目经理人，遴选关键核心技术和领军人才、攻关计划监督与落实、攻关目标考核、制定支持政策等事项。

3）聚焦大平台建设，有助于提升产业集聚力和协同创新效率。如上海、无锡和杭州已建成国家集成电路产业化基地，南京、合肥与苏州等城市也在优势区域规划半导体集聚区，谋划区域整体发展。发挥长三角的辐射效应：面对美国对我国半导体产业的肆意打压（华为、中兴、中芯国际等企业被美国商务部列入实体清单），而长三角产业链上下游企业应积极围绕关键环节与核心技术领域，加强共性技术研发、联合攻关协调创新，提升产业整体竞争力。

2、引导投资：引导产业基金长期投资，进一步完善半导体企业融资渠道，优化考核指标

过去几年科创板的设立和国家/地方产业基金对产业发展起到了一定引导作用。未来可在合理有效设定基金考核目标（如长期技术目标可能与投资回报相悖）、贷款信用担保、完善风险投资体系等方面进一步优化。

1）合理设定考核指标，有效发挥政府引导基金对行业发展的支持作用。有序推进市场化政策工具——政府产业引导基金在半导体产业的投入，建立与真正有潜力企业的长效对接机制，主要体现在政府需继续发挥带头作用，定期鼓励民资、外资携手加大对企业的长期资本投入力度，结合投后管理让潜力企业形成更为高效的长期成长机制。政府产业引导基金一定要带来“有效”的投资，即区分不同类型细分行业和项目的投资目的，且对于不同环节不同重要性的项目考核要尽量灵活。例如对于“卡脖子”环节相关项目的投资，由于高科技“卡脖子”环节本身发展难度较大的主要原因就是前期投入较大、产出周期长、失败概率高，在市场机构不愿意主动参与此类项目投资的情况下，需要财政资金积极作为。而当前产业基金（例如“大基金”和各地的集成电路产业基金）的考核中收益是非常重要的内容之一，但针对“卡脖子”重点项目的基金投资考核，不能以收益作为衡量标准，更多靠考核项目的成果转化、商业落地等情况。因此需要结合投资项目本身的特点，为政府引导基金建立多维度和动态的评价体系，以实现精准施策，并保持一定政策弹性，从而实现对行业发展的有效支持。

2）完善半导体产业信用担保政策。半导体行业属于资金密集型行业，加之消费者对于产品的性能要求越来越高，相关产品的更新迭代速度非常快，企业对于资金的需求量很大。当前半导体企业的资金来源渠道主要来自政府补贴与投资，以京东方为例，根据《置身事内》整理，政府补贴多次帮助京东方及时筹措到了产线建设必需的资金，帮助公司跨过了面板行业的壁垒，助力京东方在多个主流液晶显示领域出货量稳居全球第一（根据Omdia 数据）。而半导体的研发属于风险性较高的项目，因而半导体公司更容易出现坏账，于银行贷款角度，信贷的风险偏高，放贷审核相对较为慎重。因此，政府可完善相应的产业信用担保政策，用财政资金补贴银行的方式建立半导体公司资金贷款的担保机制。

3）健全完善我国的风险投资机制体系。从半导体行业发展过程来看，其资金的来源是多元化的，仅是财政与银行信贷还远远不够，完善我国的风险投资机制体系对于吸引更多的民间资本、国外资本等大有裨益。此外，政府也可以带头参与风险投资中，以安徽合肥为例，合肥建投、合肥产投及其旗下的基金，通过设立母子基金等形式，吸引社会资本共同发展，使高新技术产业的融资效应有所增加。

3、人才支持：培养产业人才，给予国内人才税收优惠，海外人才国民待遇

党的二十大报告指出：“教育、科技、人才是全面建设社会主义现代化国家的基础性、战略性支撑。”人才是高新技术的基石，教育是人才培养的关键，更要推动“产、学、研、用”全链条体系的建立。

1）针对科研体系，加大基础研究，完善科研、教育体系机制。可以以国家半导体产业发展需求为导向，启动国家大科学工程研究探索计划；可以通过设置半导体基础研究经费（例如以国内半导体产值的 10%为标准匹配），鼓励各研究型高校成立半导体学院，为半导体基础研究增设科研基金项目和创新研究群体等人才类项目；此外，可以在全国设立半导体物理基础科学研究中心，资助半导体创新群体和研究组，以人才团队效应带动基础研究向半导体领域回流。

2）吸引全球半导体产业优秀人才，壮大半导体基础研究队伍，便利入籍通道，给予国民待遇。在集成电路产业的发展进程中，需要高度重视科学家的力量，加快科技人员的培养，鼓励企业建立科研院所，利用来自世界各地的人才，并吸引更多的优质人才。现阶段，美国政府为了使本国所拥有的专利技术得到更多保护，半导体公司在聘用中国人时已经逐渐放缓了步伐，这也为中国吸纳优秀人才回国创造了机会。为此，可以引入对集成电路产业高科技人才专项奖励计划，构建出立体化的人才吸引机制。针对性设置相关人才项目科技项目，大力实施人才的“引留并举”，革新人才应用思维，建立健全芯片产业高层次人才引进机制，精准施策，面向高层次人才要力争做到“一人一策”。

3）考虑到半导体行业是高度的人才密集型行业，建议可以考虑实施个人所得税优惠与企业所得税优惠相互结合的税收政策。半导体产业的研发过程本质上是高科技人才参与企业的创新制造，尤其当前国内半导体行业的人才不仅需要国内培养，也需要对外引进优秀人才。因此可以对参与高新技术的研发的科研人员进行一定的个税减免优惠，有利于国内人才团队的壮大且激励个人创造创新。此外，对企业的高管也可以进行一定的税收优惠，以此作为激励的一种手段。企业高管在半导体的商品市场化中起到关键的领导作用，对其进行一定程度的税收激励，有助于管理者更好服务于企业。具体操作来说，一方面通过个人专利申报或重要的管理职能等等外部信息的公开透明评选，筛选国家半导体行业重要人才，通过建立人才库实现针对高精尖人才的全部个税减免。另一方面可以鼓励各城市建立省一级的对应人才库，对于没有入选国家高精尖人才库的重要个人可评选省级人才库，入库之后实现个人所得税中地税部分的减免，两者作为补充和结合。同时，也可以进一步细化机制，例如如何建立评选制度，如何进行人才库的动态更新，以实现对人才的有效激励。

4、攻关机制：成立国家级科研机构，以企业为主体科研攻关

采用以企业为主体的攻关机制，完善“揭榜挂帅”等组织模式，可针对薄弱环节统一制定攻关计划，以企业为主体，有针对性支持，推动企业高效地实现技术攻关。

1）建立关键技术项目攻关机制，联合开展核心技术攻关，拓展系统化应用。半导体产业链长且广，上游包括 EDA软件/IP 模块、半导体设备和材料，中游是芯片设计、制造、封装和测试，下游是各类电子产品，涉及大量材料、设备和配件、软件和 IP 模块。王阳元院士指出，半导体产业链上游的任何一种材料、一种设备甚至一个配件都可能成为制约竞争者的手段。建议梳理产业链的关键技术、“卡脖子”技术，企业牵头，委托高校院所或企业高校联合体，探索采取“揭榜挂帅”、“定向研发合作制”等方式，针对“卡脖子”环节进行专项补贴，推动半导体产业整体技术的进步。贯通半导体产业链的上下游，同时完善创新成果转化收益分配机制，建立以成果转化为导向的科技创新评价体系，突破制约半导体产业发展的技术瓶颈问题。

2）充分发挥半导体领域的国家级科研机构、具有学科优势的高校以及科技创新型企业的作用。进一步加强高校集成电路和软件专业建设，加快推进集成电路一级学科设置工作；鼓励有条件的高校采取与集成电路企业合作的方式，加快推进示范性微电子学院建设；鼓励地方按照国家有关规定表彰和奖励在集成电路和软件领域做出杰出贡献的高端人才以及高水平工程师和研发设计人员，完善股权激励机制；加强行业自律，引导集成电路和软件人才合理有序流动，避免恶性竞争。集中优势力量加快研发和创新速度，实现我国在半导体领域的科技自立自强。

5、财税政策：加大优惠力度，结合多种税收优惠实现补贴

目前针对集成电路产业已有“两免三减半”、“五免五减半”、“十年免税”、“设计公司减按 10%征收”等所得税优惠政策，未来可以针对上游环节（如设备、材料、零部件等）和卡脖子核心环节加大优惠力度，结合多种税收（例如增值税等）优惠方式鼓励行业发展。

1）当前的税收优惠政策主要集中在企业所得税方面，后续还可以结合多种税收优惠方式鼓励行业发展。当前半导体行业的优惠税收政策主要集中在企业所得税的减免，如2020 年 7 月，国务院颁布了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中提到对“国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照 25%的法定税率减半征收企业所得税。”此后财政部等四部委在 2020 年、2021 年、2022 年发布了相应的税收支持政策，明确根据国家鼓励的不同类型的集成电路生产企业或项目制定相应的税收优惠政策。部分电子行业公司企业所得税减税对 2021 年的净利润影响弹性测算（详见附录表16），可以看出降低一定的所得税率（例如 3%），企业的净利润将增长相近比例（3%左右），长期来看对公司净利润带来较大提升力度。

2）可以考虑通过增值税的税收优惠带动国内全产业链发展。增值税是我国第一大税种，尤其产品在不同环节流通的过程中都不可避免的伴随着增值税的缴纳。为了鼓励整体半导体产业链的发展，上下游的合作联动，建议考虑对上下游相关行业或者符合条件的上下游公司进行所得税的税收进一步减免，以调动上下游积极性，鼓励产业链合作，共同发展。因此，作为关键优惠政策，我们认为后续国内可能会针对国产半导体产品采取增值税“退税”，扶持国内半导体产业发展。

6、国际合作：发挥庞大市场需求优势和成本优势，加强外部合作

加强国际关系协调，可积极引进国际领先芯片制造企业来中国投资建厂，从规划、土地、金融、服务、补贴、税收等环节推进招商引资。团结国内外可团结、符合正常商业逻辑的力量。

1）发挥庞大的市场需求优势，加强外部合作。吸引其他国家和地区共建区域产业链，支持国外企业来华生产。加强国际关系组织协调，积极引进国际领先芯片制造企业来中国投资建厂，从规划、土地、金融、服务、补贴、税收等环节全面创新招商引资政策，推动外资芯片产线国产化项目快速落地和建设，通过与先进生产力合作推动国内行业发展进步。

2）全球半导体供应链复杂而难以切断，应继续扩大开放，扩大商业合作。我们认为未来中美将在核心科技领域各自发展一套供应链体系的背景之下，日、韩、欧等地的供应链企业或将在两套体系内各自做出选择，甚至全部参与。例如日本村田是国际一线电子元器件大厂中，首个公开推行“双供应链”策略的厂商，其总裁在接受日经新闻采访时表示“我们将继续打造两套重复的供应链体系，一个针对美国主导的经济集团，一个针对中国主导的集团”。

7、专项补贴：针对卡脖子环节进行专项补贴，加速推动技术进步

1）集成电路产业要坚持长期主义，下行周期坚持逆周期扩产。根据芯谋研究预测，到 2030 年中国半导体扩产乐观的情况下（国产设备取得重大突破），与实际需求相差 170万片/月，悲观的情况下缺口达到 230 万片/月，因此中国半导体产能缺口将持续增加。中国制造是全球制造的重要力量，在智能化和芯片化的趋势下，芯片的用量将大幅增加，但是国产芯片的供给却落后于中国本土企业的需求。日本和韩国均在半导体产业下行周期时逆周期扩产，从而实现顺周期时反超；此外在目前的美国对华限制的背景下，中国半导体产业被美打压或将持续，甚至不排除扩大化。在形势特殊的当下，中国芯片的产能建设和技术进步要考虑底线思维，因此可以通过专项补贴的形式在国内积极扩产以应对未来需求，同时可以针对“卡脖子”环节进行专项补贴，推动半导体产业整体技术的进步。

2）避免短视，重视技术节点商业化考量。参考新能源车产业发展路线，政策大力推动新能源汽车发展，无论是在提升产销量方面还是在提升企业研发能力和竞争力方面，均起到了显著的积极作用。但也要清楚地看到，政策对新能源汽车产业的发展并非完全是正向的，这期间会因财政补贴额较大而引发一些违法违规的行为，如“骗补”行为。因此未来在完善半导体行业的政策时，除了要进行精准实施补贴，将补贴流向必要的环节，也需要考虑实施补贴退坡机制，一方面是预防一系列违规行为，另一方面则是倒逼产业链内企业不断提升自身的创新研发能力。

8、鼓励国产：通过补贴政策，鼓励采购国产设备/材料/EDA 等，积极打造全国产化产业链

1）我国的战略性优势是拥有庞大的芯片消费市场和丰富的应用场景。针对技术先进、受制裁影响面临实际困难的晶圆厂，可考虑给予专项补贴鼓励替代性设备材料的采购和技术验证。后续可鼓励终端企业采用国产芯片，鼓励国内芯片设计公司在国内晶圆厂流片。上下游产业链共同配合研发改进，推动产业技术成熟。同时尊重商业竞争，避免过度扶持。

2）建议通过政府采购或者专项补贴采购等方式助力高技术企业的产品打造应用场景，从而进一步促进技术发展和产品革新。部分高技术企业在发展初期面临主要的问题是产品不被市场认可的情况下难有应用场景，因此也缺少市场反馈从而改进技术和产品。同时，在难见产品落地的情况下，也比较不容易在资本市场取得资金认可，出现募资困难。因此建议通过鼓励政府采购或提供专项补贴等方式鼓励市场化机构进行采购，为高技术企业产品打造应用产经，从而进一步促进技术更新和产品的改进。同时可以参考新能源汽车行业对于终端消费者进行补贴，更好地进行资源配置。

！风险因素

政策力度不及预期：相关政策对行业企业自主创新、做大做强起到了重要作用，为行业企业创造了良好的发展机遇。若未来国家半导体政策的支持力度不及预期，对集成电路全产业链的支持力度减弱，则行业的发展或将受到不利影响。

先进技术创新不及预期：伴随着半导体行业技术升级速度的加快，对产业链中各环节的技术升级迭代提出了更高的要求。若在先进技术研发时未能充分论证或判断有误，则存在因技术研发方向偏差、所研发技术市场适用性差或研发难度过高导致先进技术创新不及预期的风险。

国际产业环境变化和贸易摩擦加剧：若未来中美贸易摩擦进一步加剧，不排除美国政府将继续加征关税、设置进出口限制条件或其他贸易和技术壁垒，进而对国内半导体行业的发展和进步带来不利影响。

技术变革：国内半导体产业积极布局当前的全球产业先进技术，若未来全球技术实现变革，原有技术体系被抛弃，会造成当前布局的新技术被迭代的风险。

下游需求波动：若未来宏观经济发生周期性波动等原因，导致计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等终端消费市场需求下降，进而造成半导体设备厂商、晶圆厂等产能过剩，大幅削减资本性支出，对半导体产业全链条造成影响。

投资策略

建议重点关注国内半导体产业链，尤其在当下产业安全角度，重点关注半导体设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望获得政策推动的环节。建议关注涉及“卡脖子”问题的半导体制造、设备、材料、零部件自主以及高端芯片国产化相关公司。（1）半导体设备/零部件：芯源微、拓荆科技、富创精密、北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科、至纯科技、华峰测控、长川科技等；（2）制造：中芯国际、华虹半导体；高端芯片：龙芯中科、海光信息、寒武纪、景嘉微等；（3）封测：长电科技、通富微电、甬矽电子等。

！附录

表 14：02 专项重要项目及承担单位

公司项目名称		领域时间		具体成果
北方华创	65-45nm PVD 设备研发（北方微电子）	设备	2009	物理气相沉积设备（PVD）
	65nm 超精细清洗设备研制与产业化	设备	2010	清洗设备
	45-32nm LPCVD 设备产业化	设备	2011-2016	化学气相沉积设备（CVD）
	14nm 立体栅等离子体刻蚀机研发及产业化	设备	2014-2017	刻蚀机
	28-14nm 原子层沉积系统（ALD）产品研发及产业化	设备	2015-2018	原子层沉积系统（ALD)
电科装备	14-7nm CuBS 多工艺腔室集成装备研发及产业化	设备	2016-2019	刻蚀、氧化/扩散、清洗、气体质量流量计等
	90-65nm 大角度离子注入机研发及产业化	设备	2008.8	离子注入机
	45-22nm 低能大束流离子注入机研发及产业化	设备	2011.1	离子注入机
	28-14nm 抛光设备及工艺、配套材料产业化	设备	2015.1	化学机械抛光设备（CMP)
	300mm 超薄晶圆减薄抛光一体机研发与产业化	设备	2014.1	化学机械抛光设备（CMP)
	300mm硅片单面抛光机（CMP）的开发	设备	2009.1	化学机械抛光设备（CMP）
	封装设备关键部件与核心技术	设备	2009.1	封装设备
	关键封装设备、材料应用工程	设备	2009.1	封装设备
	面向通讯、多媒体等（国产）高端芯片封装的封装设备与材料应用工程	设备	2012.1	封装设备
	12英寸晶圆划片机	设备	2014	晶圆划片机
拓荆科技	90-65nm 等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用	设备	2010-2015	等离子体增强化学的气相沉积（PECVD)
芯源微	1x nm 3D NAND PECVD研发与产业化	设备
	凸点封装涂胶显影、单片湿法刻蚀设备的开发与产业化	设备	2009-2012	湿法刻蚀设备
华海清科	300mm晶圆匀胶显影设备研发 28-14nm 抛光设备及工艺、配套材料产业化-CMP 抛光系	设备设备	2012-2015 2017-2019	匀胶机等
	统研发与整机系统集成			化学机械抛光设备（CMP）等
上海微电子	浸没光刻机关键技术预研项目	设备	2006-2017	光刻机等
	90nm 光刻机样机研制	设备	2006-2017
	65nm光刻机研制	设备
	大视/双面对准步进投影光刻机 28nm 节点浸没式分步重复投影光刻机研发成功并实现产	设备	2015
业化		设备	2015
中微公司	65-45nm 等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化	设备		介质刻蚀机（CCP）等
	32-22nm 等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化	设备
	22-14nm 等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化	设备
中科信	12英寸90-65nm 大角度离子注入机研发及产业化	设备	2006-2010	离子注入机
	12英寸45-22nm 低能大束流离子注入机研发及产业化	设备	2011-2015
晶盛机电	300mm硅单晶直拉生长装备的开发	设备	2009-2014	硅单晶炉
	8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制	设备	2011
盛美上海	45-22纳米单片晶圆清洗装备研发与应用	设备	2011-2015	清洗设备
	20-14nm 铜互连镀铜设备研发与应用	设备	2011-2015	镀铜设备
	65-45nm 铜互连无应力抛光设备研发	设备	2006-2010	无应力抛光设备
万业企业	300mm高能离子注入机装备及工艺研发	设备	2019	离子注入机
华卓精科	IC 装备高端零部件集成制造工艺研究与生产制造	设备	2013	整机系统
	浸没式光刻机双工件台产品研制与能力建设	设备	2017	光刻机双工件台
公司	项目名称	领域时间		具体成果
	浸没式光刻机双工件台平面光栅位置测量系统研发	设备	2018	光刻机双工件台
上海睿励	300mm硅片全自动光学膜厚测量设备	设备2011		测量设备
富创精密	IC 设备关键零部件集成制造技术与加工平台	设备	2011-2015	IC 装备金属类零部件
晶方科技	12 英寸硅通孔工艺国产集成电路制造关键设备与材料量产应用工程	设备	2013	封测设备
长川科技	国产中道工艺高端封测设备与材料量产应用工程高压大电流测试系统（通讯与多媒体芯片封装测试设备与	设备	2017	封测设备
	材料应用工程课题)	设备	2013	测试机
技美科技	SiP 吸放式全自动测试分选机（通讯与多媒体芯片封装测试设备与材料应用工程课题）	设备	2013	测试机
	减薄抛光一体机保护膜处理系统研发与产业化带减薄膜撕膜装置（全自动晶圆切割膜贴膜机的研发与产	设备	设备2014 2009	晶圆减薄抛光一体机撕膜装置
	业化课题)
有研硅江丰电子	90nm/300mm 硅片产品竞争力提升与产业化 45-28nm配线用超高纯系列溅射靶材开发与产业化	材料材料2011		硅片
	300mm 硅片极大规模集成电路用 Al、Ti、Ta靶材制造技	材料	2009	溅射靶材溅射靶材
派瑞气体	术研究与开发（300mm硅片工艺用溅射靶材研发与产业化子课题）
兴森科技	高纯特种电子气体研发与产业化项目高密度封装倒装芯片基板产品开发与产业化	材料2013		电子气体
丹邦科技		材料	2013	封装基板
	三维柔性基板及工艺技术研发与产业化	材料	2011-2017	封装基板
晶瑞股份	芯片柔性封装基板技术与中试工艺开发	材料	2009	封装基板
鼎龙股份	i线光刻胶开发及产业化 20-14nm 技术节点CMP 抛光垫产品研发（20-14nm 技术	材料材料	2010-2018 2016	光刻胶
	代关键材料技术和产品开发子课题）			CMP 抛光垫
华特气体	高纯三氟甲烷的研发与中试（高纯电子气体研发与产业化子课题）	材料	2013	高纯三氟甲烷
南大光电	193nm ArF光刻胶开发和产业化（高纯电子气体研发与产业化子课题）	材料	2013	光刻胶
沪硅产业	先进光刻胶产品开发和产业化	材料	2018	光刻胶
	高纯电子气体（砷烷、磷烷）研发与产业化项目	材料		电子气体
	40-28nm 集成电路用 300mm硅片研发与产业化项目	材料		300mm硅片
	20-14nm集成电路用300mm 硅片研发与产业化项目	材料		300mm硅片
	200mm SOI晶圆片研发与产业化	材料		SOI晶圆片
	硅基GaN材料及核心器件的研发项目	材料		GaN材料
	200mm 外延片产品开发与产业化（子课题）	材料		200mm外延片
	SOI材料及高压期间的研发与模型建立（子课题）	材料		SOI材料
	基于层转移技术的 FinFETSOI材料及工艺开发（子课题）	材料		SOI材料
中环股份	区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制	材料	2011	硅单晶
安集科技	90-65nm 集成电路关键抛光材料研发与产业化	材料	2009-2012	抛光材料
	45-28nm 集成电路关键抛光材料研发与产业化	材料		抛光材料
	高密度封装TSV 抛光液和清洗液研发与产业化	材料		抛光液
	CMP 抛光液及配套材料技术平台和产品系列	材料		抛光液
艺应用(在研)	128层3D NAND 金属铜、钨研磨抛光清洗液的研发与工	材料		抛光液
（在研）	图形化工艺用材料产品开发-钨系列抛光液/光刻胶剥离液	材料		抛光液/光刻胶剥离液
科华微电	极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究	材料2013		光刻胶
公司	项目名称		领域时间	具体成果
子			2009
康强电子	先进封装用键合丝的研发和产业化（先进封装材料研发及产业化子课题）	材料		封装用键合丝
	QFN高密度刻蚀引线框架的研发与产业化	材料	2009	刻蚀引线
江阴润玛	WLP 等高端先进封装用蚀刻液（通讯与多媒体芯片封装测试设备与材料应用工程课题)	材料	2013	蚀刻液
	超净高纯电子化学品品质提升和产业化及高纯包材的产业化技术研究	材料	2009	电子化学品
华进半导体	以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及应用	封测	2011-2015	先进封测技术
	高密度三维系统集成技术开发与产业化	封测	2014
华天科技	三维系统级封装／集成先导技术研究多圈 V/UQFN、FCQFN 和 AAQFN封装工艺技术研发及产	封测	2013	先进封测技术
业化		封测	2011
	通讯与多媒体芯片封装测试设备与材料应用工程	封测	2012
	以硅通孔为核心的集成电路三维封装技术及应用	封测	2011-2015
	阵列镜头智能成像TSV-CIS 集成模块工艺开发与产业化	封测	2014
	国产中道工艺高端封测测试装备与材料量产应用工程 12英寸国产装备新工艺开发与应用	封测	2017
通富微电	先进封装工艺开发及产业化、关键封测设备、材料应用工	封测封测	2017	先进封测技术
	程验证		2010
	移动智能终端芯片圆片级及铜线封装技术开发及产业化以 TCB-NCP 等技术为基础的高密度系统集成封装量产技	封测封测	2013
	术开发与产业化（先进封装材料研发及产业化子课题）		2014
晶方科技	高集成度多功能芯片系统级封装技术研发及产业化高密度三维系统集成技术开发与产业化	封测	2011	集成技术
长电科技	通讯与多媒体芯片封装测试设备与材料应用工程	封测封测	2014	先进封测技术
	高端封装工艺及高容量闪存集成封装技术开发与产业化	封测	2011
	重布线/嵌入式圆片级封装技术及高密度凸点技术研发及	封测	2009 2011
	产业化基于Low-k芯片的 BOT-FC等高密度键合技术的系统集成	封测
	封装开发与产业化（高密度三维系统集成技术开发与产业化子课题）		2014
深南电路	多叠层多芯片系统级封装工艺开发及产业化		封测2011	封装基板
	三维高密度基板及高性能CPU封装技术研发与产业化	封测	2009
	高密度多层封装基板制造工艺开发与产业化	封测	2009	IGBT封装
永济电机	高压大功率 IGBT模块封装技术开发及产业化	封测	2011	IGBT封装
时代电气	高速机车高压芯片封装与模块技术研发及产业化	封测	2011
时代民芯	多目标先进封装和测试公共服务平台	封测	2011	封装服务平台
北京达博	先进封装用键合金丝的研究及产业化高端封装用键合铜丝	封测封测		封装用键合金丝
华峰测控	高端模拟/混合电路测试系统的研发和产业化（通讯与多媒	封测	2013-2016	测试系统
	体芯片封装测试设备与材料应用工程中的课题） AccoTEST STS8200 模拟器件测试系统的研发和产业化	封测	2009
苏州固得	（关键封测设备、材料应用工程项目中的课题）国产集成电路封测关键设备与材料量产应用工程			封测设备与材料
上海贝岭	基于0.18umBCD 工艺的大尺寸 LCD 驱动芯片的开发	封测设计	2014 2009	LCD驱动芯片
思创医惠
	智能识别传感器集成一体化技术		设计2013	传感器
华润微	新型节能驱动与汽车电子芯片工艺开发与产业化	设计		汽车电子芯片

公司	项目名称	领域时间	具体成果
士兰微	高速低功耗600V以上多芯片高压模块	设计 2011	高压模块
士兰微	硅基GaN材料及核心器件的研究	设计 2013	GaN材料
中芯国际	20-14nm 先导产品工艺	制造 2016-2019	制造工艺
	7/5nm 集成电路先导工艺与系统集成新技术	制造 2017-2020	制造工艺
	28nm 特色工艺平台	制造 2017-2019	制造工艺
	12英寸国产装备新工艺开发与应用	制造 2017-2019	制造工艺
华虹半导体	面向移动终端和物联网的 CMOS-MEMS 智能传感器产品制造与封装一体化集成技术	制造 2013	MEMS传感器
士兰微	面向移动终端和物联网的智能传感器产品制造与封装一体制造化集成技术	2013	MEMS传感器

资料来源：科技部，各公司公告，中信证券研究部

表 15：大基金一期重要投资项目

	领域公司	IPO 状态	代码	投资时间	投资成本估测 (亿元）	持股比例	退出日期
IC设计	国科微	上市	300672.SZ	1/6/2015	4	15.63%	持股比例由2019年8月30日的15.79%降低至 2022年12月19日的9.66%
	纳思达	上市	002180.SZ	1/9/2015	5	4.02%	2021年12月31日退出
	北斗星通	上市	002151.SZ	1/6/2016	15	11.98%	持股比例由2019年3月29日的11.45%降低至2022年12月31日的8.56%
	兆易创新	上市	603986.SH	1/8/2017	14.5	9.72%	持股比例由2019年4月30日的10.97%降低至2022年9月30日的3.12%
	汇顶科技	上市	603160.SH	1/11/2017	28	6.62%	持股比例由2019年4月15日的6.61%降低至2022年9月30日的3.6%
	景嘉微	上市	300474.SZ	1/1/2018	9.79	9.14%	持股比例由2019年8月21日的9.14%降低至2022年9月30日的8.1%
	中兴微电子	非上市		1/11/2015	24	24.00%	持股比例由2019年3月1日的9.41%降低至2022年9月30日的6.98%
	紫光展锐	非上市紫光国		1/12/2015	45	30.00%	2020年10月13日退出持股比例由2020年6月8日的15.28%降低
	深圳国微	微子公司		1/9/2016	0.2	10.00%	至2023年3月1日的13.96%
盛科网络硅谷数模	非上市		1/9/2016	3.1		持股比例由2021年2月4日的25%降低至
		非上市		1/9/2016 34		2022年7月18日的22.32%
芯原微电子	上市	688521.SH	2017年	2		持股比例由2020年7月3日的20%降低至 2023年2月24日的14.31%
中国电子	非上市		1/7/2017	200		未查询到持股记录，仅有意向投资新闻
国科微-常州红盾			1/6/2018	1.5		未查询到该企业，应该是与大基金计划成立合伙企业
IC制造代工	中芯国际	上市	0981.HK	1/2/2015	30.99亿港元	15.78% 1.61%	截至 2022年9月30 日大基金二期持股截至2023年2月26日持股32%
	中芯北方	中芯国际子公司		1/8/2017	61.2	32.00%
	中芯南方	中芯国际子公司		1/1/2018	64.362	27.04%	持股比例由2020年4月28日的22.85%降低至2023年2月7日的14.56%
	中芯集成电路（宁	中芯国际子公		1/3/2018	6	32.97%	持股比例由2019年5月21日的32.97%降低至2023年2月12日的13.55%
	领域	公司	IPO状态代码		投资时间	投资成本估测（亿元）	持股比例	退出日期
	波）华虹半导	司					持股比例由2019年6月30日的18.86%降
	体	上市华虹半	1347.HK	1/1/2018	31.27亿港元	18.86%	低至2022年6月30日的13.74% 持股比例由2022年9月15日的29%降低
	华虹半导体（无锡）	导体子公司		1/1/2018	35.496	29.00%	至2023年2月10日的20.58%
IC制造- 存储	长江存储	非上市		1/12/2016	189.989	49.22%	持股比例由2023年2月27日的24.09%降低至2023年3月2日的12.88%
	三安光电	上市	600703.SH	2015/06、 2015/11	64.39	11.30%	持股比例由2019年4月26日的11.3%降低至2022年12月12日的5.81%
特色工艺	耐威科技	上市	300456.SZ	1/11/2016	20	13.77%	持股比例由2019年8月30日的13.75%降低至2023年2月23日的12.05%
	士兰集昕	士兰微子公司	600460.SH	2016/02、 2016/03	8		持股比例由2020年1月14日的20.03%降低至2022年12月16日的9.42%
子	燕东微电	上市	688172.SH	1/6/2018	10	19.76%	持股比例由2018年8月24日的48.78%降低至2023年2月20日的7.81%
	长电科技	上市	600584.SH	2015/01、 2017/06、	46.4	19.00%	持股比例由2019年4月30日的19%降低至2022年9月30日的13.31%
	通富微电	上市	002156.SZ	2018/08 1/11/2017	6.4	21.72%	持股比例由2019年4月1日的21.72%降低至2022年11月14日的13.29%
封装	晶方科技	上市	603005.SH	1/12/2017	6.8	9.44%	持股比例由2019年4月30日的9.26%降低至2022年12月29日的4.98%
测试	太极实业	上市	600667.SH	1/6/2018	9.49	6.17%	持股比例由2019年10月30日的6.17%降低至2022年9月30日的4%
	中芯长电	中芯国际子公		1/9/2015	19.04
	华天科技（西安）	司华天科技子公		1/12/2015	5	27.23%	2021年7月8日退出
	中微公司	司上市	688012.SH	1/1/2015	4.8	17.45%	持股比例由2018年12月7日的20.74%降
	长川科技	上市	300604.SZ	2015/06、	2.03	6.57%	低至2022年9月30日的15.15% 持股比例由2019年4月29日的7.28%降低至2023年2月17日的6.76%
设备北方华创		上市		2019/01 2016/08、		10.03%	持股比例由2019年4月30日的7.5%降低
盛美上海		上市	002371.SZ 688082.SH	2019/12	15.1089	5.51%	至2022年9月30日的7.44% 未查询到大基金持股记录
	沈阳拓荆	上市	688072.SH	1/12/2015	2.7		持股比例由2019年5月6日的35.30%降低至2022年9月30日的18.86%
	安集科技	上市	688019.SH	1/4/2016	0.06	11.57%	持股比例由2019年7月19日的15.43%降低至2022年12月31日的7.28%
	雅克科技	上市	002409.SZ	1/10/2017	5.5	5.73%	持股比例由2019年10月31日的5.73%降低至2022年9月30日的5%
材料	上海硅产	上市	688126.SH	1/12/2015	7	35.00%	持股比例由2019年4月30日的30.48%降低至2023年2月4日的20.74%
	业集团						持股比例由2019年1月11日的27.3%降低
鑫华半导非上市	德邦科技	上市	688035.SH	1/10/2016	0.21	27.30%	至2022年9月30日的18.65%
领域公司		IPO状态代码		投资时间	投资成本估测（亿元）	持股比例	退出日期
	体						降低至2023年3月1日的23.56%
	世纪金光半导体	非上市		1/6/2017	0.3	11.11%	持股比例由2019年11月1日的11.11%降低至2023年3月3日的8.06%
	中巨芯科			1/12/2017	3.9	39.00%	持股比例由2021年3月11日的39%降低
	技	非上市					至2023年3月3日的35.2%

资料来源：各公司公告，天眼查，中信证券研究部注：表格为不完全统计

表 16：电子行业部分公司企业所得税减税对 2021 年的净利润影响弹性测算

公司名称	代码	2021年净利润 (亿元）	2021年实际所得税率	税率降低对净利润影响
公司名称	代码	2021年净利润 (亿元）	2021年实际所得税率	-3%	-2%	-1%	0%
中芯国际	688981.SH	112.03	3.38%	3.10%	2.07%	1.03%	0.00%
北方华创	002371.SZ	11.93	4.73%	3.15%	2.10%	1.05%	0.00%
韦尔股份	603501.SH	45.46	9.12%	3.30%	2.20%	1.10%	0.00%
三安光电	600703.SH	13.13	21.17%	3.81%	2.54%	1.27%	0.00%
紫光国微	002049.SZ	19.84	8.82%	3.29%	2.19%	1.10%	0.00%
纳思达	002180.SZ	15.96	20.40%	3.77%	2.51%	1.26%	0.00%
中微公司	688012.SH	10.11	10.73%	3.36%	2.24%	1.12%	0.00%
兆易创新	603986.SH	23.37	7.39%	3.24%	2.16%	1.08%	0.00%
澜起科技	688008.SH	8.29	9.38%	3.31%	2.21%	1.10%	0.00%
卓胜微	300782.SZ	21.35	11.61%	3.39%	2.26%	1.13%	0.00%
复旦微电	688385.SH	5.59	2.46%	3.08%	2.05%	1.03%	0.00%
圣邦股份	300661.SZ	6.89	6.80%	3.22%	2.15%	1.07%	0.00%
龙芯中科	688047.SH	2.37	7.24%	3.23%	2.16%	1.08%	0.00%
斯达半导	603290.SH	3.99	12.02%	3.41%	2.27%	1.14%	0.00%
士兰微	600460.SH	15.18	12.28%	3.42%	2.28%	1.14%	0.00%
盛美上海	688082.SH	2.66	0.93%	3.03%	2.02%	1.01%	0.00%
寒武纪-U	688256.SH	-8.30	0.00%	2.98%	1.99%	0.99%	0.00%
北京君正	300223.SZ	9.21	1.35%	3.04%	2.03%	1.01%	0.00%
瑞芯微	603893.SH	6.02	0.82%	3.02%	2.02%	1.01%	0.00%
拓荆科技	688072.SH	0.67	0.67%	3.02%	2.01%	1.01%	0.00%
芯原股份-U	688521.SH	0.13	45.02%	5.46%	3.64%	1.82%	0.00%
晶晨股份	688099.SH	8.28	2.20%	3.07%	2.05%	1.02%	0.00%
立昂微	605358.SH	6.22	8.74%	3.29%	2.19%	1.10%	0.00%
华海清科	688120.SH	1.98	-1.26%	2.96%	1.98%	0.99%	0.00%
长川科技	300604.SZ	2.22	0.59%	3.02%	2.01%	1.01%	0.00%
扬杰科技	300373.SZ	8.26	12.47%	3.43%	2.28%	1.14%	0.00%
华峰测控	688200.SH	4.39	13.66%	3.47%	2.32%	1.16%	0.00%
汇顶科技	603160.SH	8.60	-7.10%	2.80%	1.87%	0.93%	0.00%
富创精密	688409.SH	1.21	10.40%	3.35%	2.23%	1.12%	0.00%
江丰电子	300666.SZ	0.99	4.83%	3.15%	2.10%	1.05%	0.00%
芯源微	688037.SH	0.77	-1.80%	2.95%	1.96%	0.98%	0.00%
国科微	300672.SZ	2.92	-7.76%	2.78%	1.86%	0.93%	0.00%
艾为电子	688798.SH	2.88	2.40%	3.07%	2.05%	1.02%	0.00%
精测电子	300567.SZ	1.40	18.87%	3.70%	2.47%	1.23%	0.00%
新洁能	605111.SH	4.10	12.59%	3.43%	2.29%	1.14%	0.00%
公司名称	代码	2021年净利	2021年实际所得	税率降低对净利润影响
		润 (亿元）	税率	-3%	-2%	-1%	0%
捷捷微电	300623.SZ	4.92	13.47%	3.47%	2.31%	1.16%	0.00%
长光华芯	688048.SH	1.15	5.58%	3.18%	2.12%	1.06%	0.00%
富瀚微	300613.SZ	3.82	6.17%	3.20%	2.13%	1.07%	0.00%
上海贝岭	600171.SH	7.38	3.80%	3.12%	2.08%	1.04%	0.00%
中颖电子	300327.SZ	3.71	6.57%	3.21%	2.14%	1.07%	0.00%
国芯科技	688262.SH	0.70	3.62%	3.11%	2.08%	1.04%	0.00%
东芯股份	688110.SH	2.84	5.72%	3.18%	2.12%	1.06%	0.00%
苏州固得	002079.SZ	2.21	13.61%	3.47%	2.32%	1.16%	0.00%
至纯科技	603690.SH	2.84	24.13%	3.95%	2.64%	1.32%	0.00%
宏微科技	688711.SH	0.68	5.62%	3.18%	2.12%	1.06%	0.00%
臻镭科技	688270.SH	0.99	0.00%	3.00%	2.00%	1.00%	0.00%
富满微	300671.SZ	4.53 1.04	9.17%	3.30%	2.20%	1.10%	0.00%
聚辰股份	688123.SH		8.49%	3.28%	2.19%	1.09%	0.00%
国民技术	300077.SZ	2.15	-0.99%	2.97%	1.98%	0.99%	0.00%

资料来源：Wind，中信证券研究部测算

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评级说明

投资建议的评级标准		评级	说明
报告中投资建议所涉及的评级分为股票评级和行业评级(另有说明的除外)。评级标准为报告发布日后6到12个月内的相对市场表现，也即：以报告发布日后的6到12个月内的公司股价（或行业指数）相对同期相关证券市场代表性指数的涨跌幅作为基准。其中：A 股市场以沪深 300指数为基准，新三板市场以三板成指 (针对协议转让标的)或三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准；美国市场以纳斯达克综合指数或标普 500 指数为基准；韩国市场以科斯达克指数或韩国综合股价指数为基准。	股票评级	买入	相对同期相关证券市场代表性指数涨幅 20%以上
		增持	相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于5%～20%之间
		持有	相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-10%～5%之间
		卖出	相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10%以上
	行业评级	强于大市	相对同期相关证券市场代表性指数涨幅10%以上
		中性	相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-10%～10%之间
		弱于大市	相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10%以上

特别声明

在法律许可的情况下，中信证券可能（1）与本研究报告所提到的公司建立或保持顾问、投资银行或证券服务关系，（2）参与或投资本报告所提到的公司的金融交易，及/或持有其证券或其衍生品或进行证券或其衍生品交易，因此，投资者应考虑到中信证券可能存在与本研究报告有潜在利益冲突的风险。本研究报告涉及具体公司的披露信息，请访问 https://research.citicsinfo.com/disclosure。

截至本报告发布日，中信证券股份有限公司及其另类投资子公司持有下述公司已发行股份的比例达到或超过 1%：海光信息（688041），对应持股业务类别：自营，持股比例：0.45%；另类投资子公司，限售持股比例：0.25%/1.34%，限售起始日：2022 年 08 月 12 日/2022 年 08 月 12 日，限售期：24 个月/12 个月；中信证券股份有限公司及其另类投资子公司持有下述公司已发行股份的比例达到或超过 1%：富创精密（688409），对应持股业务类别：自营，持股比例：0.09%；另类投资子公司，限售持股比例：1.25%/0.68%，限售起始日：2022 年 10 月 10 日/2022 年 10 月 10 日，限售期：12个月/24个月；中信证券股份有限公司及其另类投资子公司持有下述公司已发行股份的比例达到或超过 1%：芯源微（688037），对应持股业务类别：自营，持股比例：1.93%。

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本研究报告在中华人民共和国（香港、澳门、台湾除外）由中信证券股份有限公司（受中国证券监督管理委员会监管，经营证券业务许可证编号：Z20374000）分发。本研究报告由下列机构代表中信证券在相应地区分发：在中国香港由 CLSA Limited（于中国香港注册成立的有限公司）分发；在中国台湾由 CL Securities Taiwan Co., Ltd.分发；在澳大利亚由 CLSA Australia Pty Ltd.（商业编号：53 139 992 331/金融服务牌照编号：350159）分发；在美国由 CLSA（CLSA Americas, LLC 除外）分发；在新加坡由 CLSA Singapore Pte Ltd.（公司注册编号：198703750W）分发；在欧洲经济区由 CLSAEurope BV 分发；在英国由 CLSA （UK）分发；在印度由 CLSA India Private Limited 分发（地址：8/F, Dalamal House, Nariman Point, Mumbai 400021；电话：+91-22-66505050；传真：+91-22-22840271；公司识别号：U67120MH1994PLC083118）；在印度尼西亚由 PT CLSA Sekuritas Indonesia 分发；在日本由 CLSA Securities Japan Co., Ltd.分发；在韩国由 CLSA Securities Korea Ltd.分发；在马来西亚由 CLSA Securities Malaysia Sdn Bhd 分发；在菲律宾由 CLSA Philippines Inc.（菲律宾证券交易所及证券投资者保护基金会员）分发；在泰国由 CLSA Securities (Thailand) Limited 分发。

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核心观点

▍ 历史复盘：政策持续扶持，促进国内半导体产业发展

政策梳理：站在国家战略高度，多管齐下助力半导体产业发展

1、财税政策：集成电路各板块均享受所得税优惠政策，其中 IC 设计类企业优惠力度最大

2、重大专项：专注于核心技术突破和构建，加速构建集成电路自主产业链

3、融资支持：大基金直投+撬动地方资金，为产业链关键企业提供资金支持

4、其他配套政策：重点地区出台相关政策，针对各环节出台激励措施

▍ 产业现状：中低端环节实现国产替代，部分高端核心环节仍待突破

▍ 经验参考：全球多地区半导体产业及国内新能源汽车产业，政策加速产业发展

美国：试图通过补贴政策及打击挑战者保持半导体产业的长期领先地位

其他国家/地区：政府引导+技术研发+市场化实现上世纪 80 年代迅速崛起

国内新能源汽车产业：政策+补贴+免税推动高速发展，在全球汽车产业弯道超车

国内半导体产业政策展望与分析

1、顶层设计：统筹规划，制定统一目标，组织协调

2、引导投资：引导产业基金长期投资，进一步完善半导体企业融资渠道，优化考核指标

3、人才支持：培养产业人才，给予国内人才税收优惠，海外人才国民待遇

4、攻关机制：成立国家级科研机构，以企业为主体科研攻关

5、财税政策：加大优惠力度，结合多种税收优惠实现补贴

6、国际合作：发挥庞大市场需求优势和成本优势，加强外部合作

7、专项补贴：针对卡脖子环节进行专项补贴，加速推动技术进步

8、鼓励国产：通过补贴政策，鼓励采购国产设备/材料/EDA 等，积极打造全国产化产业链

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电子行业产业链安全再平衡系列之（二）：半导体产业政策梳理与分析，集成电路政策力度有望加大，持续看好半导体产业国产化机遇-20230308-中信证券-40页