研究报告

浙商证券-金属新材料行业专题报告-碳化硅：第三代半导体之星-230414

□耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。 □工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈 碳化硅制造工艺具有高技术壁垒，衬底长晶存在条件控制严、长晶速度慢、