研究报告
刻蚀:半导体制造三大核心设备之一。刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀,CCP主要用于介质刻蚀,两者市占率平分秋色。随着晶体管尺寸不断缩小,对刻蚀的精准度要求更高,原子层刻蚀(ALE)登场,其
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