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Research report
SiC 器件性能优势显著,下游应用环节广阔,在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性,预计未来几年行业将保持高增速。当前时间点,国内龙头企业不断扩张产能,抢占市场份额,有望打破海外垄断,投资价值凸现。建议关注衬底、外延环节具有技术优势且持续获得下游订单的龙头企业。 第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域。第三代半导体材料具有更宽的禁带、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率,在高压
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