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Research report
碳化硅性能优异,衬底为最核心环节:碳化硅材料性能突破硅基极限,相较于传统硅基器件,碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始,经历芯片的设计与制造,再到模块的封装后,最终流向下游应用市场。从成本拆分来看,衬底成本占比达46%,是产业链中最为核心的环节。目前衬底制备环节中,晶体生长环节,受碳化硅长晶速度慢,黑箱操作以及碳化硅晶体结构类
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