Research report

平安证券-半导体行业系列专题(二)之碳化硅：衬底产能持续扩充，关注渗透加速下的国产化机会-240110

材料性能突出，器件优势明显。当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一，SiC材料拥有高击穿电场、高导热率以及高饱和电子漂移速度等特性，制备的器件相较于Si产品能够降低80%损耗的同时将器件尺寸缩小90%，在新能源汽车、光伏以及轨道交通等领域具备广阔的替代空间。  SiC为半导体重要新材料，产业链自主可控需求强烈。