Log in
Research report
速览 半导体CMP设备即Chemical Mechanical Polishing化学机械抛光设备,主要依托CMP技术的化学-机械动态耦合作用原理,通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化——全局平整落差5nm以内的超高平整度,是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。随着半导体制造技术节点进一步提升,CMP工艺已成为铜互连技术、高
Read full report →No related institutions